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张恒

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

主题

  • 4篇氮化镓
  • 4篇氮化镓基发光...
  • 4篇二极管
  • 4篇发光
  • 4篇发光二极管
  • 2篇电子阻挡层
  • 2篇多量子阱
  • 2篇阻挡层
  • 2篇铟镓氮
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 2篇蓝宝石衬底
  • 2篇加热温度
  • 2篇衬底
  • 1篇单晶
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化物
  • 1篇氧化锌
  • 1篇抛光
  • 1篇铝镓氮

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇王占国
  • 5篇杨少延
  • 5篇赵桂娟
  • 5篇魏鸿源
  • 5篇张恒
  • 4篇焦春美
  • 4篇汪连山
  • 3篇王建霞
  • 3篇刘祥林
  • 3篇李辉杰
  • 2篇冯玉霞
  • 2篇项若飞

年份

  • 2篇2016
  • 3篇2014
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法
本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半...
项若飞汪连山赵桂娟金东东王建霞李辉杰张恒冯玉霞焦春美魏鸿源杨少延王占国
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制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法
一种制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法，包括：取一衬底；在衬底上生长一层氧化锌结晶层做为牺牲层；在氧化锌结晶层上低温生长一层半导体支撑层；在半导体支撑层的表面生长半导体单晶外延层，在生长过程中，使氧化锌结晶...
张恒魏鸿源杨少延赵桂娟金东东王建霞李辉杰刘祥林王占国
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利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法
一种利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法，包含：在蓝宝石衬底表面上先制备一包含铟组分的薄III族氮化物合金层和一低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将蓝宝石硅衬底加热温度升高；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层...
杨少延张恒魏鸿源焦春美赵桂娟汪连山刘祥林王占国
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利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法
一种利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法，包含：在蓝宝石衬底表面上先制备一包含铟组分的薄III族氮化物合金层和一低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将蓝宝石硅衬底加热温度升高；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层...
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半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法
本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半...
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