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蒋明

作品数：1 被引量：6H指数：1
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇等离子体
  • 1篇氧化硅
  • 1篇二氧化硅
  • 1篇SIO
  • 1篇超薄
  • 1篇超薄氧化

机构

  • 1篇南京大学

作者

  • 1篇黄少云
  • 1篇马忠元
  • 1篇鲍云
  • 1篇黄信凡
  • 1篇陈坤基
  • 1篇李伟
  • 1篇蒋明
  • 1篇王立

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2001
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
等离子体氧化制备超薄SiO_2层的性质被引量：6
2001年
利用等离子体氧化方法在单晶硅片上制备了厚度小于 10 nm的超薄 Si O2 层 .通过傅里叶红外光谱 (FTIR)、X射线光电子谱 (XPS)、透射电子显微镜 (TEM)、椭圆偏振法和电流电压 (I- V)、电容电压 (C- V)
鲍云蒋明李伟马忠元黄少云王立黄信凡陈坤基
关键词：超薄氧化二氧化硅
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