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李小刚

作品数:9 被引量:0H指数:0
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信经济管理更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理

主题

  • 6篇电路
  • 5篇感器
  • 5篇传感
  • 5篇传感器
  • 4篇单片
  • 4篇单片集成
  • 4篇电容式
  • 4篇压力传感器
  • 4篇力传感器
  • 3篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇电路简化
  • 2篇电容
  • 2篇电容式压力
  • 2篇电容式压力传...
  • 2篇淀积
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇杨氏模量
  • 2篇金属化

机构

  • 9篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 9篇李小刚
  • 7篇梅勇
  • 5篇张正元
  • 4篇李健根
  • 2篇胡刚毅
  • 2篇张志红
  • 1篇税国华
  • 1篇王志宽
  • 1篇冯志成
  • 1篇梁涛
  • 1篇张正元
  • 1篇徐勇
  • 1篇冯志成

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇2014`全...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2011
  • 2篇2010
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
单片集成压力传感器的制造方法
本发明公开了一种单片集成压力传感器的制造方法。本发明方法克服了电阻式压力传感器与放大处理电路加工工艺兼容的问题,将电阻式压力传感器加工工艺与放大处理电路的加工工艺结合起来,利用专用的夹具保护了正面的集成电路和压敏电阻,同...
张正元梅勇冯志成李建根李小刚徐勇
文献传递
多晶硅悬梁结构的单片制造方法
本发明涉及一种多晶硅悬梁结构的单片制造方法,本发明方法在常规BiCMOS工艺过程中,插入了多晶硅悬梁结构的加工步骤,在金属化工艺之前完成多晶硅的淀积和退火,避免了MEMS高温工艺对于金属化工艺的影响;在多晶硅悬梁结构的释...
李小刚李健根梅勇张正元
一种电容式压力传感器及其制备方法
本发明公开了一种电容式压力传感器,包括由导电单晶硅可动电极板和金属固定电极构成的平板电容,还包括导电单晶硅基底和设置在导电单晶硅可动电极板和导电单晶硅基底之间的导电支承结构,所述导电单晶硅可动电极板、导电单晶硅基底和导电...
张正元胡刚毅李勇建梅勇张志红李小刚
热激励硅基双梁谐振型压力传感器
2010年
针对热激励硅基谐振型压力传感器温度漂移严重的问题,提出了一种双梁硅基谐振型压力传感器结构,利用不测试压力的谐振梁感应温度对谐振梁的变化,并与测试压力的谐振梁相减,消除测试压力的谐振梁随温度变化的部分,补偿热激励硅基谐振型压力传感器的温度漂移。通过实验,研制出双梁结构的硅基谐振型压力传感器样品,初步测试结果显示,温度漂移的影响已降低到原来的1/30,大大提高了热激励硅基谐振型压力传感器的测试精度。
梅勇张正元李健根李小刚冯志成
关键词:压力传感器谐振梁
一种适用于高压双极工艺的单晶深槽介质隔离技术研究
通过对P-N结隔离和SOI全介质隔离技术的对比研究,提出了一种适用于100V以内的单晶硅深槽介质隔离工艺,隔离电压100V时,相邻隔离岛之间的最大漏电流小于0.5nA,隔离击穿耐压高达150V,完全满足器件隔离要求。采用...
梁涛税国华王志宽李小刚
关键词:集成电路双极工艺
一种电容式压力传感器及其制备方法
本发明公开了一种电容式压力传感器,包括由导电单晶硅可动电极板和金属固定电极构成的平板电容,还包括导电单晶硅基底和设置在导电单晶硅可动电极板和导电单晶硅基底之间的导电支承结构,所述导电单晶硅可动电极板、导电单晶硅基底和导电...
张正元胡刚毅李勇建梅勇张志红李小刚
文献传递
一种单片集成温湿度传感器制造工艺研究
设计了一种单片集成温湿度传感器的制造工艺,将CMOS信号处理电路和温湿度传感器集成在同一芯片上.采用聚酰亚胺作为感应环境湿度的敏感材料,并对温湿度传感器的敏感电容进行对比测试分析。对聚酰亚胺厚度为1.7μm和2.4μm的...
李健根李小刚张正元梅勇
关键词:温湿度传感器CMOS电路聚酰亚胺
TSV技术分析与发展现状
本文就硅通孔技术及其非常关键的可靠性和工艺成本做一个比较详细的分析,并就该技术的使用现状及未来应用前景进行一个全面介绍.本文同时也介绍了中电24所在TSV方面所作的一些初步工作.总的来看,随着TSV技术的发展和成品率的提...
李小刚梅勇
关键词:可靠性分析
文献传递
多晶硅悬梁结构的单片制造方法
本发明涉及一种多晶硅悬梁结构的单片制造方法,本发明方法在常规BiCMOS工艺过程中,插入了多晶硅悬梁结构的加工步骤,在金属化工艺之前完成多晶硅的淀积和退火,避免了MEMS高温工艺对于金属化工艺的影响;在多晶硅悬梁结构的释...
李小刚李健根梅勇张正元
文献传递
共1页<1>
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