李健根
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信经济管理更多>>
- 多晶硅悬梁结构的单片制造方法
- 本发明涉及一种多晶硅悬梁结构的单片制造方法，本发明方法在常规BiCMOS工艺过程中，插入了多晶硅悬梁结构的加工步骤，在金属化工艺之前完成多晶硅的淀积和退火，避免了MEMS高温工艺对于金属化工艺的影响；在多晶硅悬梁结构的释...
- 李小刚李健根梅勇张正元
- 一种注入增强型快速SOI-LIGBT新结构研究
- 2024年
- 薄顶层硅SOI(Silicon on Insulator)横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor, LIGBT)的正向饱和电压较高,引入旨在减小关断态拖尾电流的集电极短路结构后,正向饱和电压进一步增大。提出了一种注入增强型(Injection Enhancement, IE)快速LIGBT新结构器件(F-IE-LIGBT),并对其工作机理进行了理论分析和模拟仿真验证。该新结构F-IE-LIGBT器件整体构建在薄顶层硅SOI衬底材料上,其集电极采用注入增强结构和电势控制结构设计。器件及电路联合模拟仿真说明:新结构F-IE-LIGBT器件在获得较小正向饱和电压的同时,减小了关断拖尾电流,实现了快速关断特性。新结构F-IE-LIGBT器件非常适用于SOI基高压功率集成电路。
- 黄磊李健根陆泽灼俞齐声陈文锁
- 关键词：SOI
- 热激励硅基双梁谐振型压力传感器
- 2010年
- 针对热激励硅基谐振型压力传感器温度漂移严重的问题,提出了一种双梁硅基谐振型压力传感器结构,利用不测试压力的谐振梁感应温度对谐振梁的变化,并与测试压力的谐振梁相减,消除测试压力的谐振梁随温度变化的部分,补偿热激励硅基谐振型压力传感器的温度漂移。通过实验,研制出双梁结构的硅基谐振型压力传感器样品,初步测试结果显示,温度漂移的影响已降低到原来的1/30,大大提高了热激励硅基谐振型压力传感器的测试精度。
- 梅勇张正元李健根李小刚冯志成
- 关键词：压力传感器谐振梁
- 一种单片集成温湿度传感器制造工艺研究
- 设计了一种单片集成温湿度传感器的制造工艺，将CMOS信号处理电路和温湿度传感器集成在同一芯片上.采用聚酰亚胺作为感应环境湿度的敏感材料，并对温湿度传感器的敏感电容进行对比测试分析。对聚酰亚胺厚度为1.7μm和2.4μm的...
- 李健根李小刚张正元梅勇
- 关键词：温湿度传感器CMOS电路聚酰亚胺
- 多晶硅悬梁结构的单片制造方法
- 本发明涉及一种多晶硅悬梁结构的单片制造方法，本发明方法在常规BiCMOS工艺过程中，插入了多晶硅悬梁结构的加工步骤，在金属化工艺之前完成多晶硅的淀积和退火，避免了MEMS高温工艺对于金属化工艺的影响；在多晶硅悬梁结构的释...
- 李小刚李健根梅勇张正元
- 文献传递
