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钱波

作品数:14 被引量:3H指数:1
供职机构:南京大学更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信哲学宗教更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇哲学宗教

主题

  • 7篇硅基
  • 6篇衬底
  • 5篇发光
  • 4篇折射率
  • 4篇谐振波长
  • 4篇硅衬底
  • 4篇薄膜生长
  • 4篇波长
  • 3篇气相
  • 3篇微腔
  • 3篇共形
  • 3篇光学
  • 3篇光学微腔
  • 3篇光致
  • 3篇二极管
  • 3篇发光二极管
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇直径尺寸

机构

  • 14篇南京大学

作者

  • 14篇钱波
  • 12篇陈坤基
  • 12篇李伟
  • 11篇徐骏
  • 11篇黄信凡
  • 9篇陈三
  • 7篇马忠元
  • 5篇张贤高
  • 4篇徐岭
  • 4篇韩培高
  • 3篇李卫
  • 2篇王祥
  • 2篇刘奎
  • 2篇冯端
  • 2篇丁宏林
  • 2篇黄锐
  • 2篇梅嘉欣
  • 1篇岑展鸿
  • 1篇陈德媛
  • 1篇徐俊

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇南京大学学报...
  • 1篇发光学报
  • 1篇江西科学
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 5篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
气相共形薄膜生长制备光子量子点的方法
气相共形薄膜生长制备的光子量子点,在玻璃和硅衬底先设有横向尺寸为0.5-5μm,高度为0.4-2μm的柱形平台;在其上设有以共形薄膜生长制备有源层为a-SiN<Sub>z</Sub>的受DBR三维限制微腔;其中设有两个D...
陈坤基陈三钱波李卫张贤高李伟徐骏黄信凡
文献传递
硅基光子分子的设置与制备方法
硅基光子分子的设置方法,以气相共形薄膜生长制备的光子分子,在玻璃和硅衬底设有直径尺寸为0.5-5μm,高度为0.4-2μm的柱形平台,并以共形薄膜生长方法制备含两个或多个有源层为a-SiN<Sub>z</Sub>的三维限...
钱波陈三陈坤基张贤高刘奎丁宏林李伟徐岭徐骏马忠元黄信凡
文献传递
气相共形薄膜生长制备光子量子点的方法
气相共形薄膜生长制备的光子量子点,在玻璃和硅衬底先设有横向尺寸为0.5-5μm,高度为0.4-2μm的柱形平台;在其上设有以共形薄膜生长制备有源层为a-SiN<Sub>z</Sub>的受DBR三维限制微腔;其中设有两个D...
陈坤基陈三钱波李卫张贤高李伟徐骏黄信凡
文献传递
硅基短波长发光二极管及其制备方法
本发明涉及一种硅基短波长发光二极管,同时还涉及其制备方法,属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。本发明的发光二极管在P+的硅基底上沉积有由相邻层氮组分有明显差异a-SiNx:H薄膜构成的第一组光学微腔;在第一组光学微...
马忠元韩培高徐岭黄信凡李伟陈三钱波徐骏陈坤基冯端
文献传递
掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管及制备方法
掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管,在电阻率为4-20Ωcm的P型单晶硅片或ITO玻璃衬底上淀积a-SiN<Sub>X</Sub>薄膜,薄膜厚度在40-100nm之间,在a-SiN<Sub>X</Sub>薄膜上再镀有薄...
黄锐陈坤基钱波韩培高李伟徐骏王祥马忠元黄信凡
文献传递
a-Si:H/SiO2多层膜晶化过程中的发光机理
2006年
采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中淀积a-Si:H薄膜结合原位等离子体氧化的技术,制备了一系列不同a-Si:H子层厚度的a-Si:H/SiO2多层膜.通过对其进行三步热处理:脱氢、快速热退火及准静态退火,使a-Si:H/SiO2多层膜中a-Si:H层发生非晶态到晶态的相变,获得尺寸可控的纳米硅nc-Si/SiO2多层膜.结合Raman谱,FTIR谱和TEM测试,对退火过程中多层膜的光致发光性质进行跟踪研究,分析了a-Si:H/SiO2多层膜在各个热处理阶段发光机理的演变,讨论了a-Si:H/SiO2多层膜晶化为nc-Si/SiO2多层膜过程中,发光机制与微结构之间的相互联系.
马忠元韩培高李伟陈三钱波徐骏徐岭黄信凡陈坤基冯端
关键词:NC-SI光致发光
硅基一维光子晶体微腔光发射特性的调制
2005年
利用一维光子晶体带隙结构对光发射特性进行调制,采用掺杂光子晶体微腔限制电磁场从而控制材料中的光传输。采用不同组分的氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜作为介质层和发光层,由等离子体化学气相淀积(PECVD)方法制备出一维全a-SiNx:H光子晶体微腔。观察到微腔对于发光层a-SiNx:H薄膜光致荧光显著的调制作用,发光峰的半高宽从原始的208nm强烈的窄化为11nm,峰值强度提高了2个数量级,品质因子为69。通过透射谱测量,清晰地观察到710nm处的谐振峰出现在一维光子晶体带隙中,进一步证实了微腔的选模特性。
钱波陈三魏俊伟陈坤基徐俊李伟马忠元黄信凡
关键词:光子晶体光学微腔光致荧光
掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管及制备方法
掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管,在电阻率为4-20Ωcm的P型单晶硅片或ITO玻璃衬底上淀积a-SiN<Sub>x</Sub>薄膜,薄膜厚度在40-100nm之间,在a-SiN<Sub>x</Sub>薄膜上再镀有薄...
黄锐陈坤基钱波韩培高李伟徐骏王祥马忠元黄信凡
文献传递
非晶碳化硅材料与光学微腔的制备与发光被引量:3
2007年
利用等离子体化学气相沉积技术在100℃的衬底温度下,制备了具有不同组分比的系列非晶碳化硅薄膜。结合傅里叶变换红外光谱与喇曼光谱对所制备的薄膜微结构进行了表征与分析,同时,对具有不同组分比的非晶碳化硅薄膜室温光致发光性质进行了系统的研究。结果表明在Ar+离子激光和Xe灯紫外光的激发下,不同组分的样品显示出不同的光致发光特性,并对样品的发光特性与其微结构的联系进行了讨论。在此基础上,用碳化硅薄膜设计和制备了全固体光学微腔,研究了微腔对碳化硅发光行为的调制作用。
陈德媛钱波徐骏梅嘉欣陈三李伟黄信凡陈坤基
关键词:光致发光微结构光学微腔
一个步进逻辑系统及其应用
现实推理主体处于一个动态的世界中,在主体推理的同时世界也正发生着各种变化,这些变化需要及时地为主体所考虑。在这些变化中容易被忽略的一点是,在推理的同时时间也在流逝,因为推理本身需要花费时间。现实推理主体常常受限于推理的时...
钱波
关键词:自省能力
共2页<12>
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