赵建辉
- 作品数：24 被引量：0H指数：0
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- 相关领域：自动化与计算机技术轻工技术与工程理学文化科学更多>>
- 低限流下含Ag电极的BiFeO_3薄膜的阻变开关特性
- 2015年
- 采用磁控溅射系统在Pt衬底上构建了Ag/BiFeO_3(BFO)/Pt三明治结构的阻变存储器件单元,该器件可以在较低的限制电流下实现阻变行为并显著降低功耗。在0.5μA的低限制电流下,器件具较好双极I-V滞回曲线,开关电阻比值超过1个数量级,有效开关次数达500次以上,阻态保持时间超过1.8×104s,有较好的保持特性。分析了该Ag/BFO/Pt器件的阻变开关机制,主要归因于Ag原子在BFO薄膜内的氧化还原反应引起的金属导电细丝的形成与断开。
- 闫小兵李玉成闫铭杨涛贾信磊陈英方赵建辉李岩娄建忠李小亭
- 一种有机电极阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种有机电极阻变存储器，其结构是在衬底上依次形成有PCBM有机电极介质层、Zr<Sub>0.5</Sub>Hf<Sub>0.5</Sub>O<Sub>2</Sub>阻变转换层和Ag电极层。同时公开了该阻变存储...
- 闫小兵张磊赵建辉
- 文献传递
- 一种有机可降解阻变神经仿生器件及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种有机可降解阻变神经仿生器件，包括ITO玻璃衬底、在ITO玻璃衬底的ITO膜上依次生长有复合有机蛋白膜和Ag电极膜；复合有机蛋白膜为掺有金纳米颗粒的羊毛角蛋白和蚕丝蛋白的复合膜。其制备方法为：a）制备羊毛角...
- 闫小兵赵建辉
- 文献传递
- 一种基于TiO<Sub>2</Sub>神经仿生层的神经仿生器件及其制备方法
- 本发明公开了一种基于TiO<Sub>2</Sub>神经仿生层的神经仿生器件，包括Pt/Ti/SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底、在所述Pt/Ti/SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底的Pt膜上依次形成的神经仿生...
- 闫小兵赵建辉张磊
- 文献传递
- 一种有机电极阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种有机电极阻变存储器，其结构是在衬底上依次形成有PCBM有机电极介质层、Zr<Sub>0.5</Sub>Hf<Sub>0.5</Sub>O<Sub>2</Sub>阻变转换层和Ag电极层。同时公开了该阻变存储...
- 闫小兵张磊赵建辉
- 一种有机可降解阻变神经仿生器件及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种有机可降解阻变神经仿生器件，包括ITO玻璃衬底、在ITO玻璃衬底的ITO膜上依次生长有复合有机蛋白膜和Ag电极膜；复合有机蛋白膜为掺有金纳米颗粒的羊毛角蛋白和蚕丝蛋白的复合膜。其制备方法为：a）制备羊毛角...
- 闫小兵赵建辉
- 基于量子点对阻变存储器性能提升的研究进展
- 2019年
- 由于传统的半导体集成电路受工艺和物理尺寸的限制,因此进一步提高它的性能变得愈加困难。与此同时,阻变存储器(RRAM)由于其结构简单、编程/擦除速度快、功耗低等优点逐渐进入人们的视野。目前,基于Ag、Cu为电极的忆阻器,研究者们认为其阻变机制是其功能层中导电细丝(CFs)的形成和破裂。然而,由于导电细丝是随机形成的,从而使得器件的开关电压参数存在一定的弥散性,因此目前忆阻器还无法代替当今传统的非易失性存储器。为了优化其开关参数的均一性,研究者提出在介质中加入金属纳米团簇的方法来限制导电细丝的位置,降低CFs形成的随机性,但由于金属纳米团簇存在颗粒尺寸不均匀、无法制备更小的纳米团簇等弊端,从而迫使研究者探索新的方法来克服金属纳米团簇的弊端并解决器件开关的弥散性。总结了使用非金属量子点掺杂的方法克服这一技术障碍,掺杂的量子点特性类似金属量子点,不仅在器件中起到局域化电场的作用,同时有效地引导导电细丝的生长方向,提高开关参数的均匀性、降低阈值电压,增强器件的保持性能,实现良好的神经突触仿生特性,而且非金属量子点可以实现更加均匀、尺寸更小、排列更加整齐。这为提高阻变存储器的性能提供了的新方法,也为器件的小型化发展提供了新思路,促进了人工神经网络的发展。
- 李晓钰赵莹赵建辉裴逸菲闫小兵
- 关键词：掺杂量子点
- 一种基于TiO<Sub>2</Sub>神经仿生层的神经仿生器件及其制备方法
- 本发明公开了一种基于TiO<Sub>2</Sub>神经仿生层的神经仿生器件，包括Pt/Ti/SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底、在所述Pt/Ti/SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底的Pt膜上依次形成的神经仿生...
- 闫小兵赵建辉张磊
- 一种基于SiO<sub>2</sub>神经仿生层的神经仿生器件及其制备方法
- 本发明公开了一种基于SiO<Sub>2</Sub>神经仿生层的神经仿生器件，包括Ag衬底、在Ag衬底上依次形成的神经仿生层和Ag电极层；神经仿生层从下而上依次包括：第一SiO<Sub>2</Sub>膜层、Ag膜中间层、第...
- 闫小兵赵建辉李小燕
- 文献传递
- 一种基于二氧化硅隧道结的阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种基于二氧化硅隧道结的阻变存储器，其是在高导Si衬底上制有SiO<Sub>2</Sub>隧穿层，并在所述SiO<Sub>2</Sub>隧穿层上制有TiN电极膜层。并且，本发明还公开了该阻变存储器的制备方法，...
- 闫小兵周振宇赵建辉张园园
