吴海飞
- 作品数：10 被引量：7H指数：2
- 供职机构：绍兴文理学院数理信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家级大学生创新创业训练计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- Co/PbTe(111)界面X光电子能谱研究
- 2020年
- 磁性材料可在无磁场条件下实现对非磁性半导体的自旋注入,实现电子学、光子学和磁学三者的最终融合,从而提升现有器件的功能.首先利用分子束外延技术在新鲜解离的BaF 2(111)表面制备高质量的以Pb为截止面的PbTe(111)薄膜,在此基础上,进行磁性金属Co的沉积,结果表明Co在PbTe(111)薄膜表面沉积的初始阶段(θ≤0.35 ML),Co原子向PbTe(111)薄膜内部发生扩散,以间隙位的方式形成PbCoTe合金;当Co沉积厚度θ>0.35 ML时,Co原子在PbTe(111)薄膜表面以金属Co团簇的方式成核生长.
- 姚育鹏唐曙锋潘媛媛郑双羽李培泽王舒凯蔡梦婷牛逸潇吴海飞
- 关键词：异质结分子束外延X光电子能谱
- 分子束外延制备薄膜虚拟仿真实验教学探索
- 2020年
- 借助3D MAX建模技术、U3D仿真软件等行业最新的现代化信息技术,开发了分子束外延制备薄膜虚拟仿真实验项目,项目包括实验预习、基础性实验、设计性实验、创新性实验四大递进式实验模块,模块间通过闯关模式晋级,教学过程中以任务为驱动、问题为导向的团队协作互动式实验教学方法.项目开发了动态、开放的分子束外延材料制备数据库平台,源自教学、科研和生产的各类数据将得以不断整合并共享,企业、高校和科研院所的研发人员可以充分交流,有助于形成产、学、研交叉融合的良好环境.
- 吴海飞余国祥俞立先梁奇锋方泽波高晓辉李春鹤张丽英
- 关键词：分子束外延虚拟仿真实验
- 窄带隙IV-VI族半导体PbTe(111)的表面氧化及氧的热脱附机理被引量：3
- 2012年
- 利用X射线光电子能谱(XPS)、扫描隧道显微镜(STM)以及低能电子衍射(LEED),对PbTe(111)薄膜的表面氧化及氧的热脱附机理进行了研究.结果表明:PbTe(111)薄膜经500VAr+轰击加上250℃高温退火循环处理,可得到呈(1×1)周期性排列的清洁表面.将此清洁表面暴露于大气两天后,表面被氧化形成了PbO2、PbO和TeO2,氧化层的厚度大于2个单原子层(ML),与清洁PbTe(111)表面相比,被氧化的PbTe(111)表面的Te3d5/2与Pb4f7/2芯态谱峰的面积比明显减小,表明被氧化的PbTe(111)表面是富Pb的.在热脱附处理过程中,PbO2和TeO2的芯态峰消失,且O1s芯态峰的强度迅速减弱,表明加热处理不仅使PbO2和TeO2发生了分解,同时也使氧发生了脱附,但PbO即使在350℃退火仍吸附于PbTe(111)表面.
- 吴海飞吴珂张寒洁廖清何丕模
- 关键词：脱附X射线光电子能谱扫描隧道显微镜
- In掺杂对PbTe薄膜结构及电输运特性影响
- 2017年
- 本文采用分子束外延(MBE)方法在BaF2(111)衬底上外延生长了Pb1-xInxTe (0.00 ≤ x ≤ 0.20)薄膜。研究结果表明当x ≤ 0.06时,In在PbTe中进行替位式掺杂,形成n型的立方相Pb1?xInxTe结构,薄膜电导率随In掺杂量的增加而增大;当x ≥ 0.10时,In掺杂出现过饱和,过量的In形成In2Te3结构相,Pb1-xInxTe薄膜电导率急剧下降。整个掺杂过程中,In均向薄膜表面发生了偏析。综合分析不同In掺杂量下Pb1-xInxTe薄膜的Seebeck系数和电导率测试结果,可以得出In的微量掺杂可实现PbTe薄膜电输运性能的提升,In掺杂量为0.06时薄膜表现出最佳的电输运性能,440K时Pb1-xInxTe (x = 0.06)的功率因子可达9.7 μW-cm-1`K-2,为本征PbTe最大功率因子的1.2倍。
- 徐珊瑚郑春波蒋磊陈忠兰周丹朱希斯剑霄廖清吴海飞
- 关键词：热电材料分子束外延
- PbTe薄膜表面氧化机理研究被引量：2
- 2008年
- 用分子束外延方法在BaF2(111)衬底上生长了PbTe单晶薄膜,原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征显示PbTe表面具有单原子层的平整性,并观察到由螺位错形成的螺旋台阶面。高分辨X射线衍射(HRXRD)测量得到PbTe(111)衍射峰的线宽<100 arc sec,表明薄膜具有优良的晶体结构特性。然后将样品暴露于大气环境中3个月后,用X射线光电子谱(XPS)分析了PbTe表面的氧化机理,发现PbTe表面氧化形成了PbO和TeO2,接着将样品在超高真空中加温,同时测量样品表面的Pb、Te、O元素价态、束缚能、含量等参量随温度的变化,发现在温度达到475℃时PbTe样品表面的氧化层已除去,获得了较干净的PbTe表面,为PbTe光电器件工艺提供了实验依据。
- 斯剑霄王擎雷吴海飞张寒洁吴惠桢徐天宁夏明龙
- 关键词：化合物半导体XPS
- IV-VI族半导体薄膜生长行为及金属/IV-VI族半导体界面性质研究
- Ⅳ-Ⅵ族半导体PbX (X=S,Se,Te)具有窄的直接带隙(常温下约0.3 eV),对称的能带结构,以及由重空穴带缺失导致的低俄歇复合率等本征特性,使其在中红外(波长范围3-30μm)激光器和探测器两大领域有着重要的应...
- 吴海飞
- 关键词：PBSEPBTESTMPES
- 文献传递
- PbTe(111)薄膜的分子束外延生长及其表面结构特性被引量：1
- 2017年
- 采用分子束外延(MBE)方法在Ba F_2(111)衬底上直接外延生长了Pb Te薄膜。反射高能电子衍射(RHEED)实时监控的衍射图样揭示了Pb Te在Ba F_2(111)表面由三维生长向二维生长的变化过程。转动对称性的研究结合第一性原理密度泛函理论(DFT)的计算揭示了在富Pb及衬底温度(Tsub)为350°C的生长条件下,得到的Pb Te(111)薄膜具有稳定的(2×1)重构表面。Pb Te(111)-(2×1)表面覆盖Te膜后,通过300°C的退火处理,重构表面可完全复原,这为大气环境下Pb Te薄膜表面结构的保护提供了有效的方法。
- 吴海飞陈耀徐珊瑚鄢永红斯剑霄谭永胜
- 关键词：DFTRHEED
- Te/Pb<sub>0.985</sub>Mn<sub>0.015</sub>Te异质结生长行为研究
- 2020年
- 研究金属与PbMnTe薄膜界面的形成机理及结构特性对PbMnTe功能器件的应用具有重要的意义。本文利用分子束外延在BaF22(111)基底上制备了高质量Pb0.985Mn0.015Te单晶薄膜,在此基础上,系统研究了Te在Pb0.985Mn0.015Te单晶薄膜表面的生长行为。结果表明当在Pb0.985Mn0.015Te薄膜表面沉积一层Te时,Te将会跟最表面的Pb结合形成原子层平整度表面;当沉积的Te薄膜厚度大于1 ML时,Te在Pb0.985Mn0.015Te薄膜螺旋台阶边缘成核形成Te团簇,随着沉积厚度的增加,这些Te团簇不断长大,之后相互融合形成绕着台阶线盘旋的连续的螺旋线状Te岛。
- 唐曙锋潘媛媛王子龙周佩聪牛逸潇郑双羽姚育鹏王舒凯吴青书严正博吴海飞
- 关键词：分子束外延异质结
- Mn/PbTe(111)界面行为的光电子能谱研究被引量：3
- 2009年
- 利用X光电子能谱(XPS)对Mn在PbTe(111)表面上沉积生长的界面性质进行了研究.研究表明Mn的沉积使衬底发生了原子尺度上的突变及金属/半导体界面的形成.从X光电子能谱的芯态能级峰来看,随着Mn膜的沉积Pb4f峰的低结合能端出现了金属Pb的特征新峰,而Te3d峰的高结合能端却出现了MnTe特征新峰.且随着Mn膜厚度的增加这些新峰变得越来越明显,当Mn膜厚度超过7ML(monolayer)(即超过Pb,Te的探测深度)时,衬底信号峰完全消失,只剩下金属Pb和MnTe的芯态能级峰.Mn膜厚度继续增加时,金属Pb芯态能级峰的峰强在误差范围内基本保持不变,而具有MnTe特性的Te的芯态能级峰峰强呈明显下降趋势,当膜厚为102ML时,几乎已经探测不到Te的芯态峰,而金属Pb的芯态峰却仍然较强.由此可以推测随着金属Mn膜的沉积,衬底原子Pb和Te均向金属层发生了不同程度的偏析.偏析的Te以MnTe化合物的形式被束缚在Mn金属生长层中,而偏析的Pb则以金属Pb的形式漂浮在Mn生长层的最表面.
- 吴海飞张寒洁廖清陆赟豪斯剑霄李海洋鲍世宁吴惠祯何丕模
- 关键词：光电子能谱偏析
- Ⅳ-Ⅵ族半导体薄膜生长行为及金属/Ⅳ-Ⅵ族半导体界面性质研究
- IV-VI族半导体PbX(X=S，Se，Te)具有窄的直接带隙（常温下约0.3 eV），对称的能带结构，以及由重空穴带缺失导致的低俄歇复合率等本征特性，使其在中红外（波长范围3-30μm）激光器和探测器两大领域有着重要的...
- 吴海飞
- 关键词：半导体薄膜自旋注入
- 文献传递
