任军
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 供职机构：电子科技大学更多>>
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- 硅衬底片上螺旋电感宽带2π等效电路模型被引量：4
- 2006年
- 针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和全耦合变压器模型,建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感中串联电感和串联电阻频率特性的制约,并通过2π等效电路结构计入了电感中寄生电容的分布特性.通过与全波分析方法对比,验证了在15GHz范围内由该模型导出的等效电感、等效电阻和Q值误差均在8%以内.该模型可望用于硅基射频集成电路中电感的优化设计和进一步的理论探讨.
- 杨帆王向展郑薇任军尤焕成李立萍杨谟华
- 关键词：片上螺旋电感趋肤效应
- 宽带硅衬底RF片上螺旋电感物理模型被引量：2
- 2006年
- 针对高损耗硅衬底,源自部分元等效电路方法考虑了趋肤效应和邻近效应对螺旋电感中串联电感Ls、串联电阻Rs频率特性的制约,并基于全耦合变压器模型计入了复杂的衬底涡流损耗,从而建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.通过与全波分析方法对比,验证了在20GHz范围内由该模型导出的等效电感Leff、等效电阻Reff和Q值误差仅在7%以内.该模型可望用于硅基射频集成电路中电感进一步的理论探讨和优化设计.
- 任军杨帆郑薇尤焕成王向展李立萍杨谟华
- 关键词：片上螺旋电感物理模型趋肤效应
- 硅基片上螺旋电感建模及其在射频芯片中的应用
- 近年来，无线通信飞速发展的市场对重量轻、体积小、功耗低、成本低的收发器的大量需求以及微电子技术的不断进步，使得硅基片上螺旋电感作为射频集成电路的重要器件成为了当今科技研究的热点。 在大量文献调研的基础上，本文总结了片上...
- 任军
- 关键词：片上电感RLC模型射频芯片集成电路
- 硅基片上螺旋电感宽带物理模型被引量：1
- 2007年
- 针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和麦克斯韦电磁场理论,计入了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感串联电感Ls与串联电阻Rs频率特性的制约,并通过nπ等效电路结构模拟了寄生电容的分布特性,从而建立了一种新的片上螺旋电感物理模型。通过与全波分析方法对比,验证了在20GHz范围内由该模型导出的等效电感Leff,等效电阻Reff和Q值误差均在7%以内。该模型可望用于硅基射频集成电路中螺旋电感进一步的理论探讨和优化设计。
- 郑薇王向展任军杨帆尤焕成李竞春杨谟华
- 关键词：片上螺旋电感物理模型涡流损耗
- CMOS多频段低噪声放大器设计
- 2007年
- 郑薇任军杨帆
- 关键词：低噪声放大器多频段放大器设计CMOS通信系统标准无线通信技术
