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杨帆

作品数:11 被引量:14H指数:2
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金中央高校基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程理学更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇片上螺旋电感
  • 3篇螺旋电感
  • 2篇等效
  • 2篇等效电路
  • 2篇电路
  • 2篇电路设计
  • 2篇趋肤效应
  • 2篇无线
  • 2篇物理模型
  • 2篇宽带
  • 2篇硅衬底
  • 2篇衬底
  • 1篇带材
  • 1篇等离子显示
  • 1篇等离子显示板
  • 1篇等效电路模型
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电极

机构

  • 11篇电子科技大学

作者

  • 11篇杨帆
  • 4篇任军
  • 4篇郑薇
  • 3篇尤焕成
  • 3篇王向展
  • 3篇杨谟华
  • 2篇乔明
  • 2篇刘冲
  • 2篇韦敏
  • 2篇李立萍
  • 2篇邓宏
  • 1篇方健
  • 1篇张旨遥
  • 1篇彭迪
  • 1篇杨旭
  • 1篇张萌
  • 1篇李竞春
  • 1篇杨胜辉
  • 1篇段明伟
  • 1篇刘永

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇今日电子
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇四川省电子学...
  • 1篇四川省电子学...
  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 2篇2006
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
宽带硅衬底RF片上螺旋电感物理模型被引量:2
2006年
针对高损耗硅衬底,源自部分元等效电路方法考虑了趋肤效应和邻近效应对螺旋电感中串联电感Ls、串联电阻Rs频率特性的制约,并基于全耦合变压器模型计入了复杂的衬底涡流损耗,从而建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.通过与全波分析方法对比,验证了在20GHz范围内由该模型导出的等效电感Leff、等效电阻Reff和Q值误差仅在7%以内.该模型可望用于硅基射频集成电路中电感进一步的理论探讨和优化设计.
任军杨帆郑薇尤焕成王向展李立萍杨谟华
关键词:片上螺旋电感物理模型趋肤效应
硅衬底片上螺旋电感宽带2π等效电路模型被引量:4
2006年
针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和全耦合变压器模型,建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感中串联电感和串联电阻频率特性的制约,并通过2π等效电路结构计入了电感中寄生电容的分布特性.通过与全波分析方法对比,验证了在15GHz范围内由该模型导出的等效电感、等效电阻和Q值误差均在8%以内.该模型可望用于硅基射频集成电路中电感的优化设计和进一步的理论探讨.
杨帆王向展郑薇任军尤焕成李立萍杨谟华
关键词:片上螺旋电感趋肤效应
带PVT补偿LNA带宽为100MHz-2GHz的软件无线电接收机
作为实现多模移动通信标准的最重要的解决方案之一,软件定义无线电(SDR)近年来已成为研究的热门课题.根据软件无线电方案提出将2MHz-2000MHz的空中信号全部收集下来进行抽样、量化,转化成数字信号用软件处理,本文采用...
彭媛张小龙杨帆
关键词:无线电接收机电路设计温度补偿
文献传递
PDP驱动电路中高压SOI PLDMOS设计
提出一种用于PDP(Plasma Display Panel)驱动电路的SOI高压P型LDMOS器件结构,分析了其特有的背栅效应,以及漂移区浓度,漂移区长度、栅极板长度等参数对器件击穿电压的影响。所设计的器件结构已成功用...
杨帆乔明杨旭张萌
关键词:等离子显示板背栅效应击穿电压驱动芯片
文献传递
电极材料对IGZO薄膜晶体管性能的影响被引量:4
2014年
采用射频磁控溅射方法在n型硅片上制备了底栅顶结构的铟镓锌氧-薄膜晶体管(IGZO-TFT)。分别采用Au、Cu、Al 3种金属材料作为电极,研究不同电极材料对IGZO薄膜晶体管性能的影响。器件的输出特性和转移特性测试结果表明:以Au为电极的IGZO-TFT具有最佳的性能,其饱和输出电流达到17.9μA,开关比达到1.4×106。基于功函数比较分析了3种电极的接触特性,根据TLM(Transmission line model)理论推算得出Au电极具有三者中最小的接触电阻。
刘冲韦敏杨帆贾卓邓宏
关键词:IGZO接触电阻功函数
铜掺杂氧化锌薄膜阻变特性的研究被引量:2
2014年
以ZnO∶Al为底电极,Cu为顶电极,在同种工艺条件下分别制备了类电容结构的纯ZnO阻变器件和ZnO∶2%Cu阻变器件,分析比较了两种器件的典型I-V特性曲线、置位电压(V Set)和复位电压(V Reset)的分布范围、器件的耐久性。结果显示,ZnO∶Cu阻变器件较纯ZnO阻变器件有更大的开关比和更稳定的循环性能。另外,研究了ZnO∶Cu阻变器件的阻变机理,通过对其I-V特性曲线分析得出以下结论:ZnO∶Cu阻变器件在高阻态遵循空间电荷限制电流效应,低阻态符合欧姆定律。
杨帆韦敏邓宏杨胜辉刘冲
硅基片上螺旋电感宽带物理模型被引量:1
2007年
针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和麦克斯韦电磁场理论,计入了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感串联电感Ls与串联电阻Rs频率特性的制约,并通过nπ等效电路结构模拟了寄生电容的分布特性,从而建立了一种新的片上螺旋电感物理模型。通过与全波分析方法对比,验证了在20GHz范围内由该模型导出的等效电感Leff,等效电阻Reff和Q值误差均在7%以内。该模型可望用于硅基射频集成电路中螺旋电感进一步的理论探讨和优化设计。
郑薇王向展任军杨帆尤焕成李竞春杨谟华
关键词:片上螺旋电感物理模型涡流损耗
沉积速率对MOCVD-Y(Gd)BCO超导薄膜结构与性能的影响研究
2021年
第二代高温超导带材制备中提升超导层的沉积速率有助于降低带材成本。本文基于自主设计的MOCVD系统在LaMnO_(3)/epi-MgO/IBAD-MgO/Y_(2)O_(3)/Al_(2)O_(3)/哈氏合金模板基带上沉积Y(Gd)BCO高温超导薄膜。通过改变前驱体进液速率实现沉积速率的调控,采用多种分析测试方法研究Gd_(0.5)Y_(0.5)Ba_(2)Cu_(3)O_(7)-δ(Y(Gd)BCO)薄膜结构与性能。在加热温度和气氛等工艺条件保持不变的前提下,调节沉积速率为520 nm/min时,制备得到约250 nm厚的Y(Gd)BCO超导层结构性能良好,在0 T,77 K的条件下,临界电流密度(J_(c))可达到3.5 MA/cm^(2),临界电流(I_(c))为89 A/cm,面内、面外半高宽值分别为2.36°和1.69°。即使提高沉积速率到1000 nm/min,虽然Y(Gd)BCO薄膜表面出现了a轴晶粒,但是Jc仍能保持在一个较优的水平。实验结果表明,MOCVD方法可以实现高温超导薄膜的高速率沉积。
杨帆赵睿鹏陈曦黄涛陶伯万
关键词:高温超导带材MOCVD沉积速率
PDP驱动逻辑控制电路设计
本文基于自主开发的SOI CD高低压兼容工艺,研制一种64位、工作电压80V、最大输出电流20mA的PDP驱动电路。主要对其逻辑控制电路的结构和工作原理作了详细的分析,按照功能进行了子模块电路的划分,在此基础上进行电路设...
刘新新段明伟杨帆乔明方健
关键词:逻辑控制电路设计驱动电路
文献传递
基于十倍光学拉伸的5GHz微波信号模数转换研究(英文)被引量:2
2014年
利用光学时间拉伸法对微波信号进行降频处理,提高了后端电子模数转换器的有效模拟带宽和有效采样速率.设计了一套对5GHz微波信号十倍降频的光学时间拉伸模数转换系统.对色散导致的信号功率损耗特性以及调制引起的谐波失真进行了理论分析和数值仿真,结果表明:当系统带宽为5GHz时,光学时间拉伸引入的信号噪声失真比不会劣化后续电子模数转换器的有效位数,该模数转换系统的有效模带宽可达8GHz,有效采样率为200GS/s.
彭迪张旨遥杨帆袁飞刘永
关键词:模数转换器光子学色散谐波失真
共2页<12>
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