杨谟华
- 作品数：114 被引量：213H指数：7
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程核科学技术更多>>
- SiGe MOS器件SiO_2栅介质低温制备技术研究被引量：7
- 2001年
- 为了获得电学性能良好的 Si Ge PMOS Si O2 栅介质薄膜 ,采用等离子体增强化学汽相淀积 (PECVD)工艺 ,对低温 30 0°C下薄膜制备技术进行了研究。实验表明 ,采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度。该技术用于 Si Ge PMOS研制 ,在30 0 K常温和 77K低温下 ,其跨导分别达到 45m S/mm和 92 .5m S/mm(W/L=2 0 μm/2 μm)
- 李竞春杨沛峰杨谟华谭开洲何林郑娥
- 关键词：栅介质薄膜锗化硅MOS器件
- 应变Si沟道CMOS中的离子注入工艺
- 2005年
- 为避免应变Si沟道(Strained Si channel)CMOS工艺中的高温过程,通过选择合适的离子注入能量和剂量,采用快速热退火(RTP)工艺,制备出适合做应变Si沟道CMOS的双阱及源漏。霍尔测试得表面电子迁移率为1 117cm2/V.s,载流子激活率为98%;原子力显微镜测试表明应变Si表面RMS为110 nm;XRD测试虚拟衬底SiGe弛豫度达96.41%;源漏结击穿电压为43.64 V。
- 谭静李竞春杨谟华徐婉静张静
- 关键词：STRAINEDSICMOS离子注入
- GaN基HEMT器件的表面陷阱电荷输运过程实验研究
- 2006年
- 基于特制的无台面AlGaN/GaN HEMT,设计了一种实验方法,用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱态间的电荷输运过程。经实验证实,在器件电流崩塌效应中,存在表面陷阱电荷输运,并确定了相关时间常数。针对应力后电流崩塌驰豫过程,实验监测到小于0.1 s和大于10 s两类时间常数,其中较大的常数对应于表面陷阱电荷的输运过程。此结论可望用于对AlGaN/GaNHEMT电流崩塌效应进一步的理论探索和相关的器件研究。
- 罗谦杜江锋靳翀龙飞周伟夏建新杨谟华
- 关键词：GANHEMT电荷输运表面态电流崩塌
- 射频高损耗硅基双互连线建模被引量：1
- 2006年
- 针对高损耗硅衬底,采用部分元等效电路法和准静磁积分公式,将衬底涡流等效为衬底镜像电流,建立射频硅基双互连线等效电路模型。该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底损耗对互连线串联电感Ls和串联电阻Rs频率特性的制约。通过与全波分析方法对比,验证了在20 GHz范围内由该模型导出的互连线等效电感L、等效电阻R误差均在8%以内。该模型可望应用于硅基射频集成电路设计。
- 金香菊朱磊尤焕成王向展杨谟华
- 关键词：射频互连线趋肤效应
- 一种带有背电极的高耐压AlGaN/GaN RESURF HEMT被引量：4
- 2013年
- 针对常规AlGaN/GaN RESURF高电子迁移率晶体管(HEMT)中由于沟道电场分布不均匀而导致击穿电压过低的问题,提出一种带背电极的新型AlGaN/GaN RESURF HEMT结构。该背电极通过感应诱生负电荷调制器件沟道处的电力线分布,使栅漏之间的沟道横向电场分布更加均匀,从而提升器件击穿电压。仿真结果表明,对于栅漏间距为6μm的器件,背电极的引入使器件击穿电压得到显著提升(从1 118V增至1 670V),同时对器件导通电阻几乎没有影响(从0.87mΩ·cm2增至0.88mΩ·cm2)。研究结果为高耐压大功率AlGaN/GaN HEMT设计提供了一种新思路。
- 赵子奇杜江锋杨谟华
- 关键词：高电子迁移率晶体管
- 包含自加热效应的BJT电路的直流及瞬态模拟被引量：1
- 1999年
- 在分析ＢＪＴ的Ｇ－Ｐ器件模型参数温度效应的基础上，提出了采用自洽模拟和外部控制循环，利用ＰＳＰＩＣＥ对包含自加热效应的ＢＪＴ电路进行直流和瞬态模拟的方法，其模拟结果与实验数据较好吻合．结果表明，直流及小信号下电路的自加热效应显著，而大信号瞬态情形由于器件的大注入引起的非线性饱和效应，使电路自加热效应引入的误差减小．
- 陈勇杨谟华朱德之
- 关键词：电路模拟
- MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取
- MOSFET热载流子可靠性物理，并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔI＜，ds＞/I＜，ds0＞、I＜，sub＞等实测数据的拟合处理，本文发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化/寿命参数提取模型；进而由自动测试ATE...
- 于奇王向展陈勇刘玉奎肖兵杨沛锋方朋杨谟华谭超元
- 脉冲条件下GaN HEMT电流崩塌效应研究
- 2005年
- 基于GaN HEMT器件实验测试结果,提出了一种GaN电流崩塌效应产生的新观点。大量测试分析发现,脉冲条件下,漏极电流比直流时减小大约50%;脉冲信号频率对电流崩塌效应影响较小;当栅压较小时,随着脉冲宽度的改变,漏脉冲电流按I0(0.89+γT/16)的规律变化。分析认为,电子从栅极注入到栅漏之间,并被表面态捕获,在沟道中形成增加的耗尽层,使得沟道电流减小,从而导致电流崩塌效应。该结论可望用于GaN HEMT器件在脉冲条件下电流崩塌效应进一步的理论探讨和实验研究。
- 龙飞杜江锋罗谦靳翀周伟夏建新杨谟华
- 关键词：电流崩塌效应GANHEMT表面态脉冲测试
- 新型低功耗8位250 MSPS 3级Flash A/D转换器被引量：2
- 2007年
- 为了降低A/D转换器(ADC)的功耗和面积,基于Flash ADC原理,利用分级比较方式,减少ADC比较器数目,并源自全新的基准区间选通逻辑模块,替代MDAC和残差放大单元;针对8位分辨精度,提出了一种新型3级Flash ADC架构,并依此结构,设计实现了一个8位250 MSPSADC。0.35μm/3.3 V AMS Si-CMOS工艺模型和版图验证结果表明,在实现250 MSPS前提下,DNL<±0.4 LSB,INL<±0.5 LSB;Nyquist频率下,SFDR为59.2 dB,功耗85 mW,面积1.20mm×8 mm。对比同类ADC,功耗与面积指标明显占优。该系统架构可望应用于高速低功耗混合信号处理电路的研究和开发。
- 宁宁于奇范龙吴霜毅刘国庆刘源杨谟华
- 关键词：A/D转换器比较器高速低功耗
- 电流舵型DAC毛刺理论及改进设计
- 本文分析了高速电流舵型数模转换器中毛刺产生的原因,提出这样一个理论:开关对的栅信号转换速度不一致是产生毛刺的主要原因.并基于这一理论解释了输出的三个现象,做了三方面的改进,大幅减小了毛刺,减小了建立时间,改善了动态参数....
- 刘卫平杨谟华王向展宁宁兰中文
- 关键词：数模转换寄生电容电路设计
- 文献传递
