邱素娟
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
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- 少子陷阱特性和铍硅共注半绝缘GaAs空穴陷阱
- 1994年
- 用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术测量了高温退火的Ｂｅ和Ｓｉ共注入的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ（无掺杂）。在多子脉冲作用下的Ａｌ／Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣＳＩＧａＡｓ肖特基势垒中，观测到Ｅ＿（０１）（０．２９８），Ｅ＿（０２）（０．３４１），Ｅ＿（０３）（０．５５５）和Ｅ＿（０４）（０．８２１）等四个电子陷阱以及两个主要的少子（空穴）陷阱Ｈ＇＿（０３）（０．５４）和Ｈ″＿（０３）（０．５７）。两少子陷阱的ＤＬＴＳ信号具有若干特点，比如它们的ＤＬＴＳ·峰难于通过增宽脉冲达到最大高度；以及峰的高度强烈地依赖于温度等。这些现象可以用少子陷阱的少子俘获和热发射理论进行合理地解释。鉴于用ＤＬＴＳ技术测量这种陷阱的困难，我们用恒温电容瞬态技术测定它们的空穴表观激活能分别为０．５４和０．５７ｅＶ。它们是新观测到的和Ｂｅ－Ｓｉ共注ＳＩＧａＡｓ有关缺陷。
- 陈开茅金泗轩邱素娟
- 关键词：砷化镓离子注入空穴
- 改善GaAs MESFET输出功率线性的载流子浓度分布设计与制备
- 1991年
- 经过对GaAs MESFET输出功率及其线性失真的综合分析,提出了无拖尾双峰n^+n载流子浓度分布的最佳设计。用Si离子注入和Be注入埋层方法,以及优化的快速退火技术,满意地制备出所希望的无拖尾双峰n^+n浓度分布。用于DX571功率GaAs MESFET器件时的研究表明,与常规注入分布的器件相比,无拖尾n浓度分布器件在4GHz下测得的1dB增益压缩功率输出增加了0.4W;在输入信号提高50mW情况下增益仍为9dB,漏极效率提高3％,加上n^+注入后饱和压降又下降0.3V,预计其线性输出功率能力将会有进一步改善。
- 邱素娟
- 关键词：场效应晶体管GAASMESFET
- 注硅半绝缘GaAs的深能级
- 1993年
- 用深能级瞬态谱(DLTS)详细研究了硅离子注入Liquid-encapsulated Czochralski(缩写为LEC)半绝缘GaAs的深中心。结果表明,在注硅并经高温退火的有源区中观测到4个多子(电子)陷阱,E_(01),E_(02),E_(03)和E_(04)。它们的电子表观激活能分别为0.298,0.341,0.555和0.821eV。其中E_(04)与EL2有关,但不是EL2缺陷。E_(04)的电子俘获截面激活能为0.119eV。还在有源区中观测到3个少子(空穴)陷阱,H_(01),H_(02)和H_(03)。其中H_(03)的空穴表观激活能为0.713eV以及它的浓度约为2.8×10^(16)cm^(-3)。
- 邱素娟陈开茅武兰青
- 关键词：砷化镓离子注入深能级
- GaAs离子注入损伤SEM电子通道像研究
- 邱素娟林奇全
- 关键词：扫描电子显微镜离子注入晶体不完整性晶体结构
- 注氮GaAs中的深能级及其对自由载流子的补偿
- 1996年
- 详细研究了注氮n型GaAs中深的和浅的杂质缺陷的电学性质。深能级瞬态谱(DLTS)技术测量表明,能量为140keV和剂量为1×10^(13)cm^(-2)的氮离子注入并经800℃退火30min的GaAs中存在四个电子陷阱,E_1(0.111),E_2(0.234),E_3(0.415),E_4(0.669)和一个空穴陷阱H(0.545),而在能量为20keV和剂量为5×10^(14)cm^(-2)的氮离子注入并经同样退火的同种GaAs中,只观测到E_4和H(0.545)两种缺陷,E_2和E_3是高能量注入损伤缺陷,E_4可能是本征缺陷和注入损伤的络合物,H(0.545)是与氮有关的深能级,它可能与掺氮n型GaAs中的自由载流子受到严重补偿有关。
- 陈开茅金泗轩贾勇强邱素娟吕云安何梅芬刘鸿飞
- 关键词：砷化镓注氮深能级载流子
- 半导体表面晶体完整性的SEM电子通道花样研究
- 1991年
- 本文对各种GaAs晶体表面作了SEM电子通道技术测量,对测得的电子通道花样进行了结晶学注释,确定了评价晶体完整性的标准。可广泛用来检查和评估半导体表面的晶体完整性.
- 邱素娟林奇全
- 关键词：GAAS晶体SEM
