何梅芬
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 用于微波单片和功率管的GaAs VPE材料
- 吕云安严振斌徐永强张藏珍何梅芬艾广勤刘玉兰等
- 一、成果内容简介：采用常用规的Ga/AsCl<,3>/H<,2>氯化物气相外延的方法，在Si-GaAs单晶衬底上生长出适用于CaAsMMIC和功率MESFET的2in与3inn+/n/n-/Si-GaAs多层外延材料并具...
- 关键词：
- 关键词：半导体工艺微波器件功率晶体管汽相外延
- 注氮GaAs中的深能级及其对自由载流子的补偿
- 1996年
- 详细研究了注氮n型GaAs中深的和浅的杂质缺陷的电学性质。深能级瞬态谱(DLTS)技术测量表明,能量为140keV和剂量为1×10^(13)cm^(-2)的氮离子注入并经800℃退火30min的GaAs中存在四个电子陷阱,E_1(0.111),E_2(0.234),E_3(0.415),E_4(0.669)和一个空穴陷阱H(0.545),而在能量为20keV和剂量为5×10^(14)cm^(-2)的氮离子注入并经同样退火的同种GaAs中,只观测到E_4和H(0.545)两种缺陷,E_2和E_3是高能量注入损伤缺陷,E_4可能是本征缺陷和注入损伤的络合物,H(0.545)是与氮有关的深能级,它可能与掺氮n型GaAs中的自由载流子受到严重补偿有关。
- 陈开茅金泗轩贾勇强邱素娟吕云安何梅芬刘鸿飞
- 关键词：砷化镓注氮深能级载流子
