张进城
- 作品数：133 被引量：162H指数：6
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺化学工程更多>>
- 应变SiGeSn鳍型光电探测器
- 本发明公开了一种应变SiGeSn鳍型光电探测器，主要解决现有光电探测器中材料毒性大、成本高的问题。其自下而上包括：下电极(102)、吸收区(103)、上电极(104)和应力薄膜(105)；吸收区(103)采用空隙与SiG...
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- 基于耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法
- 本发明公开了一种基于耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、绝缘层、钝化层和用于调节二维电子气浓度...
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- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管解析模型被引量：5
- 2005年
- 基于电荷控制理论 ,考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响 ,建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I V特性和小信号参数的解析模型 .计算表明 ,自发极化和压电极化的综合作用对器件特性影响尤为显著 ,2V栅压下 ,栅长为 1μm的Al0 .2 Ga0 .8N/GaNHEMT获得的最大漏电流为 1370mA/mm ;降低寄生源漏电阻可以获得更高的饱和电流、跨导和截至频率 .模拟结果同已有的测试结果较为吻合 ,该模型具有物理概念明确且算法简单的优点 ,适于微波器件结构和电路设计 .
- 杨燕王平郝跃张进城李培咸
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管解析模型极化效应
- 基于InAs材料的铁电隧穿场效应晶体管及其制备方法
- 一种基于InAs材料的铁电隧穿场效应晶体管及其制备方法，解决了现有隧穿场效应晶体管导通电流小和亚阈摆幅无法降低的问题。该铁电隧穿场效应晶体管包括：衬底1、源极2、沟道3、漏极4、绝缘电介质薄膜5、内部栅电极6、铁电栅介质...
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- 基于GaAsN-GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管
- 本发明公开了一种基于GaAsN-GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管，主要解决现有III-V族材料制备隧穿场效应晶体管性能差的问题。其包括衬底(1)、源极(2)、沟道(3)、漏极(4)、绝缘电介质(5)和栅电极...
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- 不同厚度未掺杂GaN薄膜的特性分析被引量：1
- 2005年
- 对厚度不同的样品进行了XRD和PL谱测量,由(0002)面、(30-32)面的摇摆曲线的半峰宽值和GaN(0002)衍射峰位置计算了样品的刃位错、螺旋位错的密度以及C轴应变,实验结果表明厚度增加后GaN薄膜中的刃位错、螺旋位错密度及C轴薄膜应力均得到减小,而PL谱带边峰和蓝带强度显著增强。分析认为:厚度增加后,位错减少是由材料生长过程中位错的合并和湮灭作用造成的;样品PL谱的带边峰和蓝带强度显著增强是因为位错引入的非辐射性复合中心数目减少。
- 周小伟郝跃张春福张进城
- 关键词：GAN位错XRDPL
- 带源场板槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法
- 本发明公开了一种带源场板槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，主要解决目前AlGaN/GaN高迁移率晶体管获得高频率高击穿电压的问题。所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlG...
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- 基于导通型SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法
- 本发明公开了一种基于导通型SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管结构及制作方法，主要解决GaAs基太赫兹耿氏器件输出功率极低的问题。该二极管包括SiC衬底层、AlN成核层和GaN外延层，其中SiC衬底层为n型导通型，掺杂浓度...
- 杨林安郝跃张进城毛维冯倩
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- AlGaN/GaN HEMT研制及特性分析被引量：7
- 2005年
- 以蓝宝石为衬底研制出栅长1μmAlGaN/GaNHEMT.在室温下,测试该器件显示出良好的输出特性和肖特基伏安特性,最大跨导160mS/mm,栅压1V下饱和电流720mA/mm,击穿电压大于50V.分析了几个关键工艺对器件特性的影响,指出较大的欧姆接触电阻(3 19Ω·mm)限制了器件性能进一步提高,需提高肖特基接触的势垒高度.
- 王冲郝跃张进城
- 关键词：微波功率器件ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管
- 垂直型宽禁带半导体器件结构及制作方法
- 本发明公开了一种垂直型半导体器件结构及制作方法。主要解决宽禁带半导体材料、器件高缺陷密度及大功率器件散热的问题。采用立体形三维纳米结构，包括衬底、垂直单晶、外延层、金属层、介质层，其中垂直单晶与衬底表面垂直，外延层与垂直...
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