王晓伟
- 作品数：7 被引量：34H指数：3
- 供职机构：南京大学物理学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 二维定域有序纳米硅的制备及微结构表征
- 硅作为微电子器件的主要材料具有其他半导体材料无可比拟的优越性和良好的应用前景，因此如何以和硅平面工艺兼容的方法制备出高密度、尺寸可控、位置可控的单层纳米硅薄膜成为当今半导体领域的研究热点之一.而其中重要的一步是实现对纳米...
- 王晓伟
- 关键词：纳米硅微结构表征
- 文献传递
- 激光干涉结晶法制备三维有序分布的nc-Si阵列被引量：3
- 2002年
- 利用准分子激光干涉结晶法使a Si∶H/a SiNx∶H多层膜中的超薄a Si∶H层定域晶化 ,成功地制备出三维有序分布的nc Si阵列。原子力显微镜 (AFM )、微区拉曼 (micro Raman)光谱及剖面透射电子显微镜 (X TEM)的分析结果揭示在晶化薄膜中已形成平均尺寸约为 3 6nm ,横向周期 2 μm ,纵向周期与a Si∶H/a SiNx∶H多层膜周期 (14nm)相等的nc Si阵列。
- 王晓伟王立马忠元鲍云徐骏黄信凡陈坤基
- 关键词：纳米硅
- 一维深亚波长光栅的耦合波分析及偏振特性的研究被引量：23
- 2002年
- 讨论了一种新的一维深亚波长光栅,其周期结构由等离子体增强化学气相淀积法(PECVD)制备的周期性多层膜构成。简单介绍了这种深亚波长光栅的制作方法。采用严格耦合波分析(RCWA)理论计算了这种一维深亚波长光栅的衍射效率,分析了它的偏振特性。
- 袁惠周进王晓伟黄信凡
- 关键词：偏振特性
- 利用脉冲干涉激光晶化技术制备三维有序的纳米硅晶粒
- 利用准分子脉冲干涉激光晶化技术使非晶硅/非晶氮化硅(a-Si:H/a-SiNX:H)多层膜中的超薄a-Si:H层定域晶化,成功地在超晶格结构的生长平面内定域制备出有序分布的纳米硅(nc-Si)结构.同时,用原子力显微镜(...
- 黄信凡王晓伟王立马忠元鲍云徐骏陈坤基
- 关键词：微结构
- 文献传递
- 绝缘衬底上高密度均匀纳米硅量子点的形成与表面形貌被引量：5
- 2004年
- 利用等离子体增强化学气相淀积技术 ,在绝缘氮化硅 (SiNx)衬底上制备超薄非晶硅 (a Si:H)薄膜 ,通过超短脉冲激光辐照与准静态常规热退火技术处理 ,制备出高密度、均匀纳米硅 (nc Si)量子点 .使用原子力显微镜对处理前后样品的表面形貌进行了研究 ,发现激光辐照能量密度增加的同时 ,所形成的nc Si尺寸也随之增加 .在合适的能量密度范围内 ,可以得到面密度大于 10 1 1 /cm2 、尺寸分布标准偏差小于 2 0 %的 10nmnc Si量子点薄膜 ,表明所制备的nc Si量子点具有较好的均匀性及较高的面密度 .同时 ,对nc
- 李鑫王晓伟李雪飞乔峰梅嘉欣李伟徐骏黄信凡陈坤基
- 关键词：纳米硅衬底化学气相淀积等离子体增强能量密度热退火
- 等离子体氧化nc-Si/SiO_2多层膜的蓝光发射被引量：2
- 2002年
- 报道了在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中用交替淀积 a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了 a-Si∶H/ Si O2 多层膜。随着 a-Si∶H子层的厚度从 3 .8nm减小到 1 .5 nm,a-Si∶H/ Si O2 多层膜的光吸收边和光致发光 (PL )出现了蓝移。在晶化的 a-Si∶ H/ Si O2 多层膜中不仅观察到室温下的红光带 (80 0nm)的发光峰 ,而且还观察到蓝光发射 (4 2 5 nm) ,结合 Raman,TEM和 PL测试 。
- 马忠元王立陈坤基李伟张林鲍云王晓伟徐俊黄信凡冯端
- 关键词：纳米硅光致发光
- 激光定域晶化技术制备纳米硅的研究被引量：1
- 2002年
- 利用相移光栅模板使KrF准分子激光形成强度周期分布的激光束,定域晶化a-Si∶H(4nm)/a-SiNx∶H(10nm)多层膜中的超薄a-Si∶H层,成功地制备出了三维有序分布的nc-Si阵列。原子力显微镜(AFM)、微区喇曼光谱、剖面透射电子显微镜(X-TEM)及高分辨电子显微镜(HREM)技术分析揭示了晶化后薄膜中形成了横向周期与移相光栅周期相同、纵向周期与a-Si∶H/a-SiNx∶H多层膜周期(14nm)相等的nc-Si阵列。
- 朱乐仪黄信凡王立王晓伟马忠元李伟陈坤基
- 关键词：激光纳米硅相移光栅
