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郝慧

作品数:7 被引量:28H指数:3
供职机构:武汉理工大学材料科学与工程学院硅酸盐材料工程教育部重点实验室更多>>
相关领域:化学工程理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 5篇碳化硅
  • 4篇陶瓷
  • 4篇改性
  • 3篇碳化硅陶瓷
  • 3篇流变性
  • 3篇包覆
  • 3篇包覆改性
  • 2篇反应烧结碳化...
  • 2篇反应烧结碳化...
  • 2篇分散剂
  • 2篇SIC
  • 2篇
  • 1篇水基
  • 1篇碳化硅陶瓷材...
  • 1篇碳化硅微粉
  • 1篇陶瓷材料
  • 1篇陶瓷浆料
  • 1篇微粉
  • 1篇显微结构
  • 1篇流变特性

机构

  • 7篇武汉理工大学
  • 1篇山东大学

作者

  • 7篇郝慧
  • 6篇吉晓莉
  • 6篇武七德
  • 5篇孙峰
  • 3篇周波
  • 3篇王浩
  • 2篇鄢永高
  • 2篇郭兵健
  • 1篇田庭燕

传媒

  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇武汉理工大学...

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
改性SiC粉悬浮浆料流变特性研究被引量:5
2007年
采用亲水、亲油硅烷偶联剂WD-50、WD-20对SiC微粉进行包覆改性。研究表明,有机包覆改性SiC粉的表面结构中亲水与亲油基团的比例对料浆在低剪切速率下的流变特性有极大影响。改性粉表面全是亲水基团时,料浆触变性大,当固相体积含量由57.4%上升到58.5%时,料浆粘度突然增大1 236.0 mPa.s;随着亲油基团的引入,料浆触变性降低,高固相含量时粘度增大平缓。
武七德周波吉晓莉王浩郝慧
关键词:碳化硅包覆改性剪切速率流变特性
分散剂对改性SiC料浆流变性的影响被引量:3
2005年
研究了分散剂对1种有机包覆改性SiC粉水基分散料浆的流变特性的影响.结果表明,分散剂的种类,用量对料浆的Zeta电位、粘度、触变性均有较大的影响.分散剂四甲基氢氧化铵比聚乙烯醇、聚乙二醇、聚丙烯酸钠更为有效.当四甲基氢氧化铵的量为0.8%(质量分数)时,可使改性SiC微粉的Zeta电位绝对值提高30 mV,在剪切速率为80 r/min时,料浆粘度为166.5 mPa·s(55%,体积分数,下同),触变性降低.由此制得了固相含量为60%、低粘度的SiC陶瓷料浆.
武七德郝慧吉晓莉郭兵健孙峰周波
关键词:碳化硅包覆改性分散剂流变性
纯碳反应烧结碳化硅陶瓷材料连接被引量:2
2005年
以纯碳质糊料连接PCRBSC基体,采用原位合成的方法焊接PCRBSC陶瓷.探讨了焊缝的碳含量、烧结温度对焊接强度的影响.研究表明,气孔和游离碳(fC)是影响焊缝强度的最主要原因.焊缝不含气孔和fC时,连接强度随焊缝中游离硅(fSi)的减少而增大.调节糊料的碳含量以控制fSi的含量;采用合适的涂覆工艺和1800℃高温烧结,当焊缝的厚度为35μm~50μm时,焊接强度达到460 MPa,且断裂发生在母材中.原位合成碳化硅焊缝具有与PCRBSC母材相似的物相结构是连接强度得以提高的原因.
武七德孙峰吉晓莉鄢永高郝慧王浩
关键词:碳化硅
分散剂对改性SiC料浆流变性的影响
本文研究了分散剂对1种有机包覆改性SiC粉水基分散料浆的流变特性的影响.结果表明,分散剂的种类,用量对料浆的Zeta电位、粘度、触变性均有较大的影响.分散剂四甲基氢氧化铵比聚乙烯醇、聚乙二醇、聚丙烯酸钠更为有效.当四甲基...
武七德郝慧吉晓莉郭兵健孙峰周波
关键词:包覆改性分散剂流变性
文献传递
纯碳反应烧结碳化硅陶瓷材料连接
本文以纯碳质糊料连接PCRBSC基体,采用原位合成的方法焊接PCRBSC陶瓷.探讨了焊缝的碳含量、烧结温度对焊接强度的影响.研究表明,气孔和游离碳(fC)是影响焊缝强度的最主要原因.焊缝不含气孔和fC时,连接强度随焊缝中...
武七德孙峰吉晓莉鄢永高郝慧王浩
关键词:碳化硅陶瓷材料
文献传递
水基高固相含量SiC浆料的制备及其流变性研究
本文通过自由基聚合合成了含有苯乙烯—马来酸酐共聚物(SMA)的改性剂。利用上述改性剂对SiC粉体进行表面改性,制备了表面含有羧酸基团的改性粉体。 利用FTIR对改性剂及改性前后SiC粉体的结构进行分析;利用TE...
郝慧
关键词:陶瓷浆料表面改性流变性改性剂
文献传递
用低纯碳化硅微粉烧结碳化硅陶瓷被引量:14
2006年
用工业尾料低纯W3.5μmSiC微粉为原料,在N2保护下烧结碳化硅(SiC)陶瓷。研究了低纯SiC微粉中杂质对SiC陶瓷力学性能的影响,对比了微粉提纯后材料的性能与结构。通过扫描电镜、金相显微镜分析材料的显微结构。结果表明:微粉杂质中SiO2、金属氧化物在SiC烧结温度下的放气反应是影响陶瓷材料力学性能的主要因素。由低纯SiC粉制得的材料的烧结密度达到(3.15±0.01)g/cm3,抗折强度达到(441±10)MPa。
武七德孙峰吉晓莉田庭燕郝慧
关键词:碳化硅显微结构
共1页<1>
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