武七德
- 作品数:64 被引量:320H指数:12
- 供职机构:武汉理工大学更多>>
- 发文基金:国家科技攻关计划湖北省科技攻关计划教育部重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域:化学工程一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
- 高密度反应烧结SiC的耐化学腐蚀性能被引量:4
- 2007年
- 考察了以SiC和碳粉为主要原料制备的不同密度和游离硅含量的反应烧结SiC陶瓷的耐酸碱腐蚀性能,结果表明:游离硅含量及其分布状况是决定SiC陶瓷耐化学腐蚀性能的主要因素。密度为3.16 g/cm3的反应烧结SiC耐化学腐蚀性能显著优于密度为3.07 g/cm3的材料。同等密度但含少量游离碳的高密度材料耐腐蚀性能更好,在98℃5%HF/5%HNO3(质量分数)中腐蚀30 h后失重量仅为中等密度材料的1/17.4。混酸腐蚀时反应烧结SiC初始1 h腐蚀量与材料中游离硅的体积含量呈线性关系,其后,高、低密度材料的腐蚀失重量的比值减小。
- 武七德王友兵吉晓莉叶春燕郑彩华
- 关键词:反应烧结碳化硅化学腐蚀
- 整形的陶瓷原料粉体制备方法和所用振捣整形装置
- 本发明涉及整形的陶瓷原料粉体制备方法和所用振捣整形装置。该方法包括配制待整形物料、振捣整形、补料、筛分和除杂步骤。所用振捣整形装置包括变频振动电机(5)、电机支架(6)、振捣锤头(9)、振捣料桶(8),其中:电机支架的伸...
- 武七德陈海亚邓明进汪建勋
- SiC收尘粉和石油焦凝胶注模成型制备反应烧结SiC陶瓷被引量:3
- 2012年
- 采用SiC收尘粉和石油焦为原料,粉体经提纯和表面改性后,凝胶注模成型(Gelcasting,GC)制备坯体,在真空炉中1600℃液相渗硅2h制备反应烧结SiC(Reaction bonded silicon carbide,RBSC)陶瓷。Zeta电位值和流变曲线显示,酸洗和粉体改性有效改善了SiC粉的分散性能。浆料粘度随石油焦添加量的增加上升。添加16-18wt%的石油焦,浆料的浓度为50v01%时,粘度介于600-900mPa·S,满足凝胶注模成型的要求。素坯碳密度(c)可控制在0.81-0.84g/cm^3之间,RBSC的密度和三点抗弯强度分别为3.07-3.10g/cm3和425-653MPa,而且材料的显微结构均匀。实现了以SiC收尘粉和石油焦为原料GC成型制备高性能RBSC材料的目标。
- 武七德杨朝臣张宏泉范霞尹长霞
- 关键词:原位凝固成型石油焦SIC
- 分散剂对改性SiC料浆流变性的影响
- 本文研究了分散剂对1种有机包覆改性SiC粉水基分散料浆的流变特性的影响.结果表明,分散剂的种类,用量对料浆的Zeta电位、粘度、触变性均有较大的影响.分散剂四甲基氢氧化铵比聚乙烯醇、聚乙二醇、聚丙烯酸钠更为有效.当四甲基...
- 武七德郝慧吉晓莉郭兵健孙峰周波
- 关键词:包覆改性分散剂流变性
- 文献传递
- 莫来石晶须-莫来石复合涂层及其制备方法
- 本发明由原位合成得到莫来石晶须-莫来石复合涂层,其制备方法是:通过在基体材料真空中涂覆硅溶胶、铝溶胶和莫来石料浆的混合料浆,或真空逐层依次涂覆硅溶胶、铝溶胶、莫来石料浆,或以符合莫来石化学计量比的正硅酸乙酯和铝盐为原料采...
- 武七德孙峰王浩吉晓莉田庭燕王友兵郭万里
- 文献传递
- 以淀粉为填充剂的碳坯渗硅制备反应烧结碳化硅陶瓷被引量:12
- 2004年
- 探索了一条高性能RBSC低成本制造的新途径,本研究以石油焦粉为碳质原料制坯,玉米淀粉为填充剂调整碳坯的密度,纯碳素坯经高温渗硅得到密度为3.12g/cm3,强度为580MPa的反应烧结碳化硅陶瓷.研究结果表明掺加淀粉后素坯中含有更多的微孔,烧结体晶粒平均尺寸为2-4μm,晶粒细化是材料性能比传统RBSC材料高的原因.
- 武七德鄢永高郭兵健李美娟刘小磐
- 关键词:反应烧结碳化硅陶瓷填充剂显微结构材料性能
- 纯碳粉水基分散一步法制造反应烧结碳化硅陶瓷材料的方法
- 一种用水为分散剂,以纯碳粉取代碳化硅粉制造高性能反应烧结碳化硅陶瓷的方法,采用添加外加剂的方法制成高分散的水基泥浆(料),采用注浆、挤塑、凝胶注成型的方法制成生坯,用控制粉料粒径以及烧蚀剂、填充剂加入量的方法,调整生(素...
- 武七德魏明坤王怀德韩建军洪小林
- 文献传递
- 渗硅碳化硅材料的高温氧化被引量:2
- 2001年
- 研究了全碳粉反应渗硅碳化硅 (PCRBSC)材料 ,在 1 3 0 0℃静态空气中的高温氧化行为。研究结果表明 :PCRBSC材料的氧化过程遵循直线—抛物线规律 ,其结构对高温氧化有很大的影响 ,特别是游离硅fsi和游离碳fc 的含量对氧化影响更大 ,fsi含量高的PCRBSC材料单位面积氧化增重 (Δm/s)明显 ,fc 含量高的PCRBSC材料氧化后表现为先减重后增重 ,氧化层断口经扫描电镜观察有明显的气孔存在。
- 魏明坤张丽鹏武七德
- 关键词:渗硅碳化硅高温氧化
- 掺加SiC片晶对反应烧结SiC性能的影响被引量:7
- 2005年
- 以液Si浸渗SiC片晶和C的坯体制备了SiC片晶增韧反应烧结SiC陶瓷材料,讨论了SiC片晶的掺加分数及烧结温度对材料显微结构和力学性能的影响,并比较了所得材料与传统反应烧结材料的力学性能。结果表明,当烧结温度较低时,SiC片晶在烧结体中仍以片晶的形态存在;而当烧结温度提高到1 800℃后,SiC片晶明显向SiC颗粒转变。与传统材料相比,掺加质量分数为40%SiC片晶制备的材料,材料抗折强度由300 MPa左右提高到587 MPa,断裂韧性由3.5MPa.m1/2提高到4.6 MPa.m1/2。
- 吉晓莉鄢永高武七德
- 关键词:片晶SIC抗折强度断裂韧性
- 改性SiC粉悬浮浆料流变特性研究被引量:5
- 2007年
- 采用亲水、亲油硅烷偶联剂WD-50、WD-20对SiC微粉进行包覆改性。研究表明,有机包覆改性SiC粉的表面结构中亲水与亲油基团的比例对料浆在低剪切速率下的流变特性有极大影响。改性粉表面全是亲水基团时,料浆触变性大,当固相体积含量由57.4%上升到58.5%时,料浆粘度突然增大1 236.0 mPa.s;随着亲油基团的引入,料浆触变性降低,高固相含量时粘度增大平缓。
- 武七德周波吉晓莉王浩郝慧
- 关键词:碳化硅包覆改性剪切速率流变特性