王宗昌
- 作品数：4 被引量：5H指数：2
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜界面过渡层的性质及其形成机制研究被引量：2
- 1993年
- 用等离子体化学气相淀积法制备SnO_2/Fe_2O_3多层膜的界面处存在着一个厚度约为数百埃的O-Sn-Fe过渡层,而通常化学气相沉积法所制备的SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜不存在与其相似的过渡层。不同SnO_2含量的烧结型SnO_2-Fe_2O_3复合材料的电导及气敏测量分析结果支持过渡层具有低电导、低灵敏特性的假设。AES,XPS及气敏特性的研究表明,退火过程不是形成过渡层的主要原因。过渡层的形成源与沉积过程中的等离子体的作用。
- 马晓翠闫大卫吴军王宗昌邹慧珠
- 关键词：半导体材料
- Fe_2O_3-SnO_2双层薄膜对氨气敏感特性及其机理研究被引量：2
- 1998年
- 本文报道了以Ｆｅ（ＣＯ）５和ＳｎＣｌ４为源，采用ＰＥＣＶＤ技术淀积Ｆｅ２Ｏ３－ＳｎＯ２双层薄膜，将该薄膜淀积在陶瓷管上，对氨气的敏感特性进行了测量，并讨论了敏感机理．
- 戴国瑞何秀丽王宗昌南金
- 关键词：半导体传感器氨气
- 熔凝玻璃薄膜的形成及其C-V特性
- 2001年
- 报道了在成功地研制彩色电视机用的高反压大功率晶体管钝化玻璃粉的基础上 ,摸索了采用电泳涂覆技术以形成一定厚度的高质量熔凝玻璃薄膜的方法 ,用差热分析 (DTA)技术确定了玻璃粉的软化温度、烧结温度分别为 5 90和 6 80℃。用X射线衍射 (XRD)和光电子能谱 (XPS)对薄膜的物相和组份进行了分析 ,同时 ,将熔凝玻璃薄膜做成金属 绝缘体 半导体 (MIS)结构 ,对样品进行了C V特性测量 ,固定电荷密度为 1 4× 10 10 cm-2 ,可动离子数为 1 2× 10 11cm-2 。
- 戴国瑞孙颖童茂松王宗昌张英兰
- 关键词：玻璃薄膜电泳涂覆C-V特性
- 聚苯胺薄膜的制备及其C—V特性研究被引量：1
- 1999年
- 报导了采用PECVD技术制备聚苯胺薄膜及沉积条件对薄膜沉积速率的影响，红外吸收光谱和电容－电压法表征了薄膜的组成及介电特性。
- 戴国瑞王晓薇马哲南金王宗昌
- 关键词：PECVD聚苯胺C-V特性
