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闫大卫

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇SNO
  • 1篇FE

机构

  • 1篇吉林大学

作者

  • 1篇王宗昌
  • 1篇马晓翠
  • 1篇闫大卫

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1993
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜界面过渡层的性质及其形成机制研究被引量：2
1993年
用等离子体化学气相淀积法制备SnO_2/Fe_2O_3多层膜的界面处存在着一个厚度约为数百埃的O-Sn-Fe过渡层,而通常化学气相沉积法所制备的SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜不存在与其相似的过渡层。不同SnO_2含量的烧结型SnO_2-Fe_2O_3复合材料的电导及气敏测量分析结果支持过渡层具有低电导、低灵敏特性的假设。AES,XPS及气敏特性的研究表明,退火过程不是形成过渡层的主要原因。过渡层的形成源与沉积过程中的等离子体的作用。
马晓翠闫大卫吴军王宗昌邹慧珠
关键词：半导体材料
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共1页<1>
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