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南金

作品数:17 被引量:38H指数:4
供职机构:吉林大学电子科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 17篇中文期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 8篇自动化与计算...
  • 4篇理学
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 7篇感器
  • 7篇传感
  • 7篇传感器
  • 6篇气体传感
  • 6篇气体传感器
  • 4篇气敏
  • 4篇敏感特性
  • 4篇半导体
  • 3篇修饰
  • 3篇PECVD
  • 2篇氧化锡
  • 2篇气敏特性
  • 2篇硫化氢
  • 2篇聚苯
  • 2篇聚苯胺
  • 2篇二氧化锡
  • 2篇苯胺
  • 2篇SNO
  • 2篇表面修饰
  • 2篇H

机构

  • 17篇吉林大学

作者

  • 17篇南金
  • 17篇戴国瑞
  • 8篇管玉国
  • 3篇焦伯恒
  • 2篇何秀丽
  • 2篇吴远大
  • 2篇王宗昌
  • 2篇王晓薇
  • 1篇孙颖
  • 1篇黄劲松
  • 1篇杨开霞
  • 1篇侯晶莹
  • 1篇刘式墉
  • 1篇谢志元
  • 1篇姜喜兰
  • 1篇李传南
  • 1篇张玉书

传媒

  • 3篇Journa...
  • 3篇云南大学学报...
  • 3篇功能材料
  • 2篇半导体杂志
  • 1篇传感器世界
  • 1篇吉林大学自然...
  • 1篇传感器技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇材料导报
  • 1篇传感技术学报

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 6篇1998
  • 8篇1997
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
含C_(60)聚合物薄膜的制备及其光电特性被引量:2
1998年
采用PECVD技术,分别在不同衬底上淀积了含C60聚合物薄膜材料。对所淀积的薄膜材料进行了紫外可见光谱、质谱和表面光电压谱的分析,对异质结光伏特性和薄膜表面横向光电压进行了测量,得到了具有应用前景的可喜效果。
管玉国戴国瑞孙颖南金
关键词:谱学表征PECVD半导体
气敏元件测试电路的研究被引量:3
1997年
提出了新的测试电路,配合函数记录仪,实现了敏感元件的自动加热。
管玉国戴国瑞焦伯恒南金
关键词:气敏元件测试电路敏感特性
有机高亮度黄光发光二极管被引量:8
2000年
用有机小分子制备的高亮度黄光电致发光器件,在19V 下器件亮度可达40000cd/m 2,外量子效率达3.4% .
黄劲松谢志元杨开霞李传南侯晶莹刘式墉南金戴国瑞
关键词:发光二极管高亮度有机物
聚环戊二烯薄膜中C_60的薄板层析分离与检测
1997年
报道了采用薄板层析技术分离聚环戊二烯薄膜中富勒烯C60的方法,其薄膜是用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术制备的,以质谱分析的方法观察了不同色层带的有机化合物分子的大小,并得到了质荷比m/z为720的C60谱峰和其他的有机化合物的分子谱峰。
戴国瑞管玉国窦红飞南金
关键词:富勒烯碳60
气体传感器阵列中微加热器的发展现状被引量:5
1998年
本文总结了气体传感器中微加热器的材料、结构及热特性,列举了常见的几种微加热器,对Pt加热器和多晶Si加热器进行比较,并在此基础上简要介绍了传感器阵列中微加热器的制作及气体传感器阵列的气敏特性。
何秀丽南金戴国瑞
关键词:微加热器传感器阵列神经网络气体传感器
激光CVD制备SnO_2薄膜的结构及其反应机理研究被引量:2
1998年
采用SnCl4和O2为反应源,ArF准分子激光CVD生长SnO2薄膜,利用XRD、UVT、XPS研究了薄膜的组成和结构,实验表明SnO2薄膜属于四方晶系、金红石结构,薄膜的紫外可见光透射率大于90%,吸收边波长为355nm,禁带宽度为3.49eV。最后。
戴国瑞姜喜兰南金张玉书
关键词:二氧化锡半导体薄膜技术
H_2S敏感薄膜材料的研究被引量:1
1999年
报导了采用PECVD方法制备SnO_2敏感薄膜材料,并用浸渍法对薄膜修饰了金属氧化物CuO。实验发现该薄膜材料对H_2S气体具有很高的灵敏度和选择性,并且具有较快的响应、恢复速度。
吴远大戴国瑞南金
关键词:气敏材料表面改性硫化氢
Fe_2O_3-SnO_2双层薄膜对氨气敏感特性及其机理研究被引量:2
1998年
本文报道了以Fe(CO)5和SnCl4为源,采用PECVD技术淀积Fe2O3-SnO2双层薄膜,将该薄膜淀积在陶瓷管上,对氨气的敏感特性进行了测量,并讨论了敏感机理.
戴国瑞何秀丽王宗昌南金
关键词:半导体传感器氨气
薄膜的表面修饰对气体敏感特性的影响 ̄①被引量:2
1997年
采用PECVD方法制备了氧化物簿膜,为了改善气体敏感特性,将几种元素覆盖于薄膜表面进行了表面修饰。
戴国瑞管玉国焦伯恒南金孙太玺朱勇韩征许秀来
关键词:表面修饰氧化物半导体气敏特性
多层氧化物薄膜气体敏感特性的研究被引量:1
1997年
报道了采用PECVD方法制备多层薄膜材料,研究了不同结构薄膜材料的气敏特性,制得了具有优越性能的NOx。
戴国瑞管玉国焦伯恒南金许秀来韩征朱勇
关键词:气体传感器敏感特性氧化物薄膜
共2页<12>
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