赵光辉
- 作品数：9 被引量：17H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 金丝球焊复合键合工艺可靠性研究被引量：1
- 2021年
- 对芯片铝焊盘上不同重叠面积的金丝球焊复合键合的可靠性进行研究,并与非复合键合进行对比。结果表明,随着复合键合重叠面积的减少,键合拉力和界面生成的合金化合物面积均无明显变化,而剪切强度呈下降趋势。高温储存结果表明,复合键合拉力值满足国军标要求。复合键合有掉铝和弹坑缺陷隐患。经分析,原因是复合键合时施加的超声能量破坏了硅及金属化的结合态,在硅及金属化的结合界面上形成微裂纹。复合键合在高可靠电路中应进行键合参数优化并验证充分后使用。
- 燕子鹏赵光辉谢廷明周成彬
- 关键词：混合集成电路金丝键合
- 引线键合在温度循环下的键合强度衰减研究
- 2023年
- 研究了18、25、30μm三种金丝和25、32、45μm三种硅铝丝键合引线在不同温度循环次数下的键合强度衰减规律,并研究了拉断模式的比例。结果表明,所有试验样品,无论是否经历温度循环,均达到了GJB548B-2005方法2011.1中的最小键合强度要求,均未出现焊点拉脱的现象。随着温度循环次数的增加,金丝键合强度先略微增大,后缓慢减小并趋于平缓。硅铝丝键合强度先较快减小,后缓慢减小,并趋于平缓。相比于金丝,硅铝丝在0~50次的温度循环下键合强度衰减较快。通过曲线拟合,获得不同丝径下的键合强度衰减变化方程。
- 熊化兵李金龙胡琼赵光辉张文烽谈侃侃
- 关键词：微电子封装引线键合键合强度温度循环
- 基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法
- 本发明涉及一种基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法。本发明方法采用电镀和溅射淀积Sn/Au层，利用金锡合金在加热时的等温凝固和共晶反应，来实现局部真空封装，能使局部真空封装的成品率达到99％。与常规铅锡共晶...
- 张志红熊化兵何开全朱虹娇赵光辉李茂松胡琼
- 一种基板预植Au凸点的倒装焊工艺方法
- 本发明公开了一种基板预植Au凸点的倒装焊工艺方法，包括以下步骤，提供一具有镀金焊盘的基板和一具有焊料球凸点的倒装芯片；在所述基板的镀金焊盘上制备Au凸点；将倒装芯片移动至基板上方，使焊料球凸点与基板上的Au凸点相对完成倒...
- 李金龙张文烽赵光辉胡琼
- 基于平行缝焊工艺的AuSn合金焊料封盖技术研究被引量：6
- 2007年
- 为了解决聚合物粘结电路的质量与长期可靠性问题,提出了一种采用平行缝焊工艺对AuSn合金焊料熔封器件进行封盖的新方法。通过对平行缝焊工艺的深入研究,解决了该类器件封盖的气密性与外观质量问题,从而找到了一种有效解决熔封外壳组装的低温聚合物粘结电路水汽含量、抗剪强度、键合强度控制的新方法。
- 李茂松欧昌银陈鹏赵光辉胡琼黄大志朱虹姣
- 关键词：封装平行缝焊气密性
- 集成电路内腔多余物控制技术研究
- 介绍了集成电路封装产品内腔多余物控制措施，主要从划片、贴片、键合、封帽几个方面控制多余物的引入，通过镜检检验并剔除多余物，提高了PIND格率。
- 陈鹏欧昌银李茂松赵光辉黄大志邓连春
- 关键词：集成电路空间结构
- Si-Al丝键合强度退化机理研究
- 经受不同的试验后，半导体器件的键合强度将发生不同程度的变化。该文介绍了单片IC中国产和进口Si-Al丝键合强度退化情况，通过对其退化机理的研究，表明Si-Al键合金强度的退化率与Si-Al丝中的Fe含量直接相关。
- 刘学如陈光炳葛良兵许爱群赵光辉
- 关键词：键合强度铁含量
- 文献传递
- 微电路内部气氛含量分析与控制被引量：10
- 2005年
- 微电路内部水汽含量是影响器件可靠性的主要因素,水汽的控制包括粘接材料选择、清洗、密封前预烘烤、气密性焊接,等等。文章分析了微电路内部气氛的组成及来源,并根据实际案例,提出了与热应力和机械应力相关的间隙性漏气或单向漏气原理及其解决措施;给出了计算器件漏率的数学模型和内部气氛含量控制技术。
- 欧昌银李茂松陈鹏赵光辉胡琼
- 关键词：水汽含量气密性封装
- 基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法
- 本发明涉及一种基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法。本发明方法采用电镀和溅射淀积Sn/Au层，利用金锡合金在加热时的等温凝固和共晶反应，来实现局部真空封装，能使局部真空封装的成品率达到99％。与常规铅锡共晶...
- 张志红熊化兵何开全朱虹娇赵光辉李茂松胡琼
- 文献传递
