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文献类型

  • 20篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇经济管理

主题

  • 7篇封装
  • 6篇半导体
  • 5篇倒装焊
  • 5篇芯片
  • 4篇微电子
  • 4篇夹持
  • 4篇夹具
  • 4篇半导体器件
  • 3篇贴片
  • 3篇接触力
  • 3篇共晶
  • 2篇电路
  • 2篇电平转换
  • 2篇电平转换电路
  • 2篇电子封装
  • 2篇叠放
  • 2篇定位装置
  • 2篇动部件
  • 2篇堆叠
  • 2篇译码

机构

  • 27篇中国电子科技...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 27篇熊化兵
  • 15篇李金龙
  • 6篇胡琼
  • 5篇谈侃侃
  • 5篇李双江
  • 4篇唐昭焕
  • 4篇徐炀
  • 3篇赵光辉
  • 3篇何开全
  • 3篇陈洪波
  • 3篇尹超
  • 3篇张志红
  • 2篇刘伦才
  • 2篇李茂松
  • 2篇刘勇
  • 2篇蒲林
  • 2篇舒辉然
  • 2篇冉建桥
  • 2篇刘嵘侃
  • 2篇李文

传媒

  • 6篇微电子学

年份

  • 4篇2023
  • 3篇2022
  • 6篇2021
  • 5篇2020
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2004
  • 2篇2002
27 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
大流量超纯氢气纯化设备制造技术被引量:2
2002年
超纯氢气 (大于 6N)是半导体硅外延等工艺必备的工艺气体。文章介绍了利用超低温吸附的方法提纯大流量超纯氢气的工作原理 ,设备制造中的关键技术问题及难点 。
熊化兵李文陈洪波谈长平
关键词:硅外延半导体工艺
一种可固定任意异形晶圆的旋转清洗夹具
本发明涉及夹具工装领域,具体公开了一种可固定任意异形晶圆的旋转清洗夹具,包括底座和若干滑座,所述底座上设有第一轨道和第二轨道,所述第二轨道与第一轨道垂直且设置在第一轨道的两侧,所述底座上中心阵列安装有若干用于支撑晶圆的支...
李金龙熊化兵江凯张文峰李双江尹超吴小燕
文献传递
多芯片倒装焊三层封装结构的底填灌封方法
本发明公开了一种多芯片倒装焊三层封装结构的底填灌封方法,包括:制作多芯片倒装焊三层封装结构,并使其整体温度保持在100℃~120℃;采用送胶针管从三层封装结构侧面的缝隙处伸入并注入灌封胶;当三层封装结构四周的侧面均可见灌...
熊化兵李金龙胡琼
文献传递
一种弹性缓冲吸头装置
本发明涉及物料取放领域,具体涉及一种弹性缓冲吸头装置,包括:吸头杆套筒1、吸头杆2、吸头杆压紧弹簧7、弹簧锁定螺钉8,所述吸头杆套筒1上端设置有安装底座16;吸头杆套筒1的套筒内壁上部设置有螺纹;所述弹簧锁定螺钉8的大小...
李金龙熊化兵
文献传递
自定位竖直堆叠的工艺托盘及其制作方法
本发明公开了一种自定位竖直堆叠的工艺托盘,包括托盘本体和定位装置,所述托盘本体具有放置工件的容纳槽;所述定位装置包括定位杆和定位柱,所述定位杆的下端穿过托盘本体与定位柱连接,所述定位柱的下端设有容纳孔,所述容纳孔与定位杆...
李金龙熊化兵胡琼易紫婷周金华李蓉尹泽群张健王雪梅陈德雄
引线键合在温度循环下的键合强度衰减研究
2023年
研究了18、25、30μm三种金丝和25、32、45μm三种硅铝丝键合引线在不同温度循环次数下的键合强度衰减规律,并研究了拉断模式的比例。结果表明,所有试验样品,无论是否经历温度循环,均达到了GJB548B-2005方法2011.1中的最小键合强度要求,均未出现焊点拉脱的现象。随着温度循环次数的增加,金丝键合强度先略微增大,后缓慢减小并趋于平缓。硅铝丝键合强度先较快减小,后缓慢减小,并趋于平缓。相比于金丝,硅铝丝在0~50次的温度循环下键合强度衰减较快。通过曲线拟合,获得不同丝径下的键合强度衰减变化方程。
熊化兵李金龙胡琼赵光辉张文烽谈侃侃
关键词:微电子封装引线键合键合强度温度循环
非接触式加热的倒装焊工艺方法
本发明公开了一种非接触式加热的倒装焊工艺方法,包括以下步骤:提供一倒装焊设备,准备一具有焊料球凸点的芯片和一具有焊盘的管壳;将芯片具有焊料球凸点的一面与管壳相对;吸头携带芯片移动至管壳上方对应的焊接位置;吸头携带芯片下压...
李金龙熊化兵李双江张文烽王旭光江凯
文献传递
半密闭共晶贴片装置及共晶贴片方法
本发明提供了一种半密闭共晶贴片装置及共晶贴片方法,通过吸附孔的开口沿着吸附端到吸头杆的方向逐渐收缩的吸头结构设计,后续在共晶贴合时,能抬升吸头使得吸头的吸附端与芯片无紧密接触且吸附孔的下端面不脱离芯片的上表面,进而能带动...
熊化兵李金龙
文献传递
金丝球焊中显微织构的研究
拉拔后金丝的主要织构是〈111〉和〈100〉织构。随着老化时间的延长,金丝中〈111〉织构减少,〈100〉织构增多。空气自由球中心的主要织构是〈100〉织构,且与劈刀接触出金球表面主要是〈111〉织构。在热超声金丝球焊过...
张志红何开全熊化兵
关键词:织构超声金丝球焊功率
文献传递
一种提升封装后的半导体器件抗盐雾能力的处理方法
本发明公开了一种提升封装后的半导体器件抗盐雾能力的处理方法,包括喷砂、去油、清洗、表面活化、镀保护层、清洗、脱水和烘培8个工艺步骤。本发明能够在金属外壳封装后的成本半导体器件上镀保护层,从而有效解决平行缝焊、储能焊或激光...
徐炀江德凤谈侃侃熊化兵刘嵘侃唐昭焕
文献传递
共3页<123>
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