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贾传宇

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 8篇应力
  • 7篇衬底
  • 6篇应力释放
  • 4篇单晶
  • 4篇电流扩展
  • 4篇电子器件
  • 4篇调制
  • 4篇紫外发光二极...
  • 4篇光电
  • 4篇光电子
  • 4篇光电子器件
  • 4篇厚膜
  • 4篇二极管
  • 4篇发光
  • 4篇发光二极管
  • 3篇氮化物
  • 3篇掩膜
  • 3篇碳纳米管
  • 3篇亮度
  • 3篇纳米

机构

  • 18篇北京大学
  • 2篇东莞市中镓半...

作者

  • 18篇贾传宇
  • 15篇张国义
  • 15篇于彤军
  • 7篇吴洁君
  • 6篇杨志坚
  • 6篇孙永健
  • 4篇刘鹏
  • 4篇罗伟科
  • 4篇杜彦浩
  • 4篇童玉珍
  • 4篇康香宁
  • 3篇冯晓辉
  • 2篇田朋飞
  • 2篇邓俊静
  • 2篇龙浩
  • 2篇王新强

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
III族氮化物微观图形结构的选区生长方法及结构
本发明公开了一种III族氮化物微观图形结构的选区生长方法及结构。本发明采用了碳纳米管阵列作为微米/纳米复合尺寸掩膜，既有捆簇内纳米级生长窗口，也有捆簇间微米级生长窗口，二者相间排列，利用微米级生长窗口和纳米级生长窗口内I...
于彤军冯晓辉程玉田吴洁君贾传宇张国义
文献传递
Ⅲ族氮化物材料的光学偏振特性研究
半导体照明时21世纪最具发展前景的高技术领域之一，GaN基发光二极管（LED）在特种照明、液晶显示屏、汽车灯和室内照明灯领域具有广泛的应用前景。除了传统的c-面材料和器件研究之外，非极性面（α-面和m-面）GaN基LED...
贾传宇
一种在大尺寸Si衬底上制备高电子迁移率场效应晶体管的方法
本发明提供一种在大尺寸Si衬底上制备高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)的方法，尤其涉及一种采用炭纳米管作为周期性介质掩膜，采用选区外延(SAG)方法制备无龟裂、高晶体质量的AlGaN/GaN？HEMT器件方法。在Si衬...
张国义贾传宇
文献传递
基于外延材料应力控制的GaN厚膜自分离方法
本发明公开了一种基于外延材料应力控制的GaN厚膜自分离方法。本发明包括如下步骤：对衬底材料进行预处理；在衬底上生长外延材料，工艺条件渐变调制，实现外延材料的应力逐渐集中到预定自分离的位置；在外延材料的厚度达到预定自分离的...
张国义吴洁君杜彦浩于彤军杨志坚康香宁贾传宇孙永健罗伟科刘鹏
一种制备LED器件出光结构的方法
本发明提供一种制备LED器件出光结构的方法，属于LED器件的制备技术领域。该方法具体是，在图形的蓝宝石衬底(PSS)上生长GaN外延片，然后使用周长为3～1000微米，且两个最远角距离或最长直径不超过400微米的光斑对P...
孙永健于彤军张国义贾传宇田朋飞邓俊静
文献传递
高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法
本发明公开一种高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法。该方法包括如下步骤：对衬底进行预处理；第一阶段，实现应力有效释放的渐变调制——工艺参数从高质量生长条件渐变到应力释放生长条件；第二阶段，实现外延材料质量提高的渐变调制—...
杜彦浩吴洁君张国义于彤军杨志坚康香宁贾传宇孙永健罗伟科刘鹏
文献传递
一种GaN衬底的制备方法
本发明提供了一种GaN衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是：在衬底(如Si，蓝宝石，SiC等)外延生长表面上形成一过渡层，该过渡层为含有碳纳米管的InN、高In组分InGaN材料或GaA...
于彤军龙浩张国义吴洁君贾传宇杨志坚王新强
文献传递
一种高亮度近紫外LED及其外延生长方法
本发明公开了一种高亮度近紫外发光二极管及其外延生长方法。该LED结构结构从下向上依次为：图形化蓝宝石衬底、低温GaN成核层、高温非掺杂GaN缓冲层、n型GaN层、10至20个周期的n‑In<Sub>x1</Sub>Ga<...
贾传宇于彤军殷淑仪张国义童玉珍
文献传递
硅衬底上III族氮化物外延薄膜的选区生长方法及结构
本发明公开了一种硅衬底上III族氮化物外延薄膜的选区生长方法及结构。本发明采用了碳纳米管阵列作为微米/纳米复合尺寸掩膜，可直接得到高质量的III族氮化物外延薄膜，在较小厚度内得到表面光亮，且高质量、低应力的III族氮化物...
于彤军冯晓辉贾传宇张国义
文献传递
一种高亮度近紫外LED及其制备方法
本发明公开了一种高亮度近紫外发光二极管及其制备方法，属于半导体光电子技术领域。该LED结构结构从下向上依次为：图形化蓝宝石衬底、低温GaN成核层、高温非掺杂GaN缓冲层、n型GaN层、n-In<Sub>x1</Sub>G...
贾传宇于彤军殷淑仪张国义童玉珍
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共2页<12>
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