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吴洁君

作品数：82 被引量：7H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金河北省高等学校科学技术研究青年基金更多>>
相关领域：电子电信理学化学工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 77篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 7篇理学
  • 4篇化学工程
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇文化科学

主题

  • 21篇氮化
  • 21篇衬底
  • 20篇厚膜
  • 18篇氮化物
  • 17篇化物
  • 15篇单晶
  • 15篇晶体
  • 13篇应力
  • 13篇籽晶
  • 13篇坩埚
  • 12篇光电
  • 11篇电子器件
  • 11篇晶体质量
  • 10篇光电子
  • 9篇氮化镓
  • 9篇光电子器件
  • 8篇自支撑
  • 8篇蓝宝
  • 8篇蓝宝石
  • 7篇氮化铝

机构

  • 75篇北京大学
  • 7篇中国科学院
  • 2篇北京燕园中镓...
  • 1篇河北工业大学

作者

  • 82篇吴洁君
  • 53篇于彤军
  • 43篇张国义
  • 40篇沈波
  • 26篇韩彤
  • 25篇王新强
  • 19篇康香宁
  • 13篇杨志坚
  • 10篇荣新
  • 7篇贾传宇
  • 7篇刘祥林
  • 6篇郑显通
  • 6篇王占国
  • 6篇罗伟科
  • 6篇刘强
  • 6篇盛博文
  • 5篇许福军
  • 5篇杜彦浩
  • 4篇李杰民
  • 4篇孙永健

传媒

  • 2篇第13届全国...
  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇力学研究

年份

  • 5篇2024
  • 5篇2023
  • 8篇2022
  • 4篇2021
  • 6篇2020
  • 10篇2019
  • 6篇2018
  • 3篇2017
  • 7篇2016
  • 3篇2015
  • 5篇2014
  • 5篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 3篇2006
  • 2篇2005
共 82 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于外延材料应力控制的GaN厚膜自分离方法
本发明公开了一种基于外延材料应力控制的GaN厚膜自分离方法。本发明包括如下步骤：对衬底材料进行预处理；在衬底上生长外延材料，工艺条件渐变调制，实现外延材料的应力逐渐集中到预定自分离的位置；在外延材料的厚度达到预定自分离的...
张国义吴洁君杜彦浩于彤军杨志坚康香宁贾传宇孙永健罗伟科刘鹏
一种GaN衬底的制备方法
本发明公布了一种GaN衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明在铺设有碳纳米管的蓝宝石衬底上外延生长GaN、InGaN、AlGaN、AlN或InN薄膜或纳米柱构成过渡层，碳纳米管铺设范围需超过衬底边缘200um-...
于彤军程玉田吴洁君韩彤张国义
文献传递
GaN基脊型激光二极管的制备方法
本发明公开了一种脊型GaN基激光二极管的制备方法，该方法通过在干法蚀刻脊型和沉积绝缘层之前在脊型的顶部掩埋一层不透明挡光层，阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，然后通过背向曝光技术实现第二次光刻，继而可以采用湿法腐蚀绝缘层...
鲁辞莽康香宁胡晓东陈伟华张国义秦志新吴洁君于彤军陈志忠
文献传递
无翘曲Ⅲ族氮化物复合衬底的制备方法和衬底放置装置
本发明公布一种无翘曲Ⅲ族氮化物复合衬底的制备方法和衬底放置装置，将双面抛光的衬底直立于衬底放置装置置于反应室内，双面同时外延生长Ⅲ族氮化物薄膜或微结构形成缓冲层，再双面同时生长厚膜Ⅲ族氮化物，并保证蓝宝石Al面一侧外延厚...
吴洁君程玉田于彤军韩彤张国义
文献传递
利用低温防分解籽晶层在砷化镓衬底上生长氮化镓的方法
本发明公布一种利用低温防分解籽晶层在砷化镓衬底上生长氮化镓的方法，包括将砷化镓衬底正面沉积形成一层低温防分解籽晶层；在上述衬底的背面与侧面通过沉积用致密材料进行保护；处理得到的砷化镓衬底外延生长氮化镓材料得到氮化镓复合衬...
吴洁君程玉田纪骋韩彤于彤军张国义
文献传递
一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法
一种在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物的方法，涉及半导体技术领域，利用应力补偿缓冲层在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物薄膜。该方法，1)首先在单晶硅衬底上沉积20纳米左右铝化的高温氮化铝缓冲层，然后在其上再沉积一层晶格常...
吴洁君韩修训李杰民黎大兵陆沅王晓晖刘祥林王占国
文献传递
一种生长高质量全组分可调三元半导体合金的方法
本发明公开了一种生长高质量全组分可调三元半导体合金的方法。本发明的生长高质量全组分可调三元半导体合金的方法根据三元半导体合金的各原子的组分确定最佳生长温度以及各原子的原子束流，从而控制三元半导体合金的生长，得到了晶体质量...
王新强荣新沈波刘世韬陈广吴洁君许福军张国义
一种利用PVT法在SiC籽晶上异质生长AlN的方法
本发明公布了一种利用物理气相输运法在SiC籽晶上异质生长AlN的方法，设计包含蒸气饱和微腔的坩埚结构，微腔内部可抽真空和充气；在AlN生长初期，通过采用蒸气饱和微腔抑制初期SiC的正向分解升华并实现AlN的生长，通过留有...
吴洁君赵起悦于彤军王泽人韩彤沈波
用于HT-HVPE生长大尺寸氮化铝厚膜的装置和方法
本发明公布了一种用于HT‑HVPE生长大尺寸氮化铝厚膜的装置和方法，包括隔光通流装置，配合间断式生长方法。隔光通流装置至少包括：单层隔板或多层隔板及磨砂牺牲石英管；隔板内设有多个隔光通孔；气流可顺畅通过隔光通孔；光线则被...
于彤军王泽人吴洁君刘云琪张皇澍陈加昊沈波
一种适用于AlN的HVPE反应室结构
本发明公开一种适用于AlN的HVPE反应室结构，属于深紫外光电材料领域。该结构设置在HVPE设备主体石英管中，包括感应加热器、通流陶瓷支架、反光隔光管、高纯材料保温层和磨砂牺牲石英管，感应加热器为高纯石墨柱体，样品固定在...
吴洁君刘云琪于彤军王泽人张皇澍陈加昊杨浩王新强沈波
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