于彤军
- 作品数：155 被引量：106H指数：5
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>
- 一种利用PVT法在SiC籽晶上异质生长AlN的方法
- 本发明公布了一种利用物理气相输运法在SiC籽晶上异质生长AlN的方法，设计包含蒸气饱和微腔的坩埚结构，微腔内部可抽真空和充气；在AlN生长初期，通过采用蒸气饱和微腔抑制初期SiC的正向分解升华并实现AlN的生长，通过留有...
- 吴洁君赵起悦于彤军王泽人韩彤沈波
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- 选区生长GaN基LED的研究
- ＜正＞选区生长作为一项外延技术已经被广泛应用于半导体材料和器件的研究中。近年来,由于Ⅲ族氮化物成为半导体材料研究领域的热点,这项技术也逐渐受到 GaN 基半导体材料研究者们的关注。利用选区生长技术得到的外延结构已经被应用...
- 方浩杨志坚王彦桑立雯赵璐冰于彤军沈波张国义
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- 一种高压高功率GaN基LED阵列芯片的制备方法
- 本发明提出了一种高压高功率GaN基LED阵列芯片的制备方法，属于光电子高功率发光器件技术领域。本发明一方面可实现单颗LED芯片的高压高功率特性,另一方面避免了后续封装时对大量微米级芯片集成的困难，降低了对封装设备和工艺的...
- 康香宁李诚诚陈志忠焦飞冯玉龙詹景麟于彤军沈波
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- 带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法
- 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术，在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面，在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上，而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸...
- 于彤军秦志新胡晓东陈志忠杨志坚童玉珍康香宁陆羽张国义
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- MOCVD生长的AlInN薄膜性质研究
- 近几年,InAlN薄膜的研究引起了广泛关注。研究表明,In组分为18%的AlInN薄膜的a面晶格常数与GaN相同,AlInN/GaN为无应变的异质结构。从而,这一材料体系为制备性能优异的微电子器件和光电子器件提供了可能。...
- 于彤军苗振林许福军沈波张国义
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- 一种AlN缓冲层的生长方法
- 本发明提供了一种AlN缓冲层的生长方法，采用金属有机化学气相沉积方法，以氢气作为载气，TMAl和NH<Sub>3</Sub>分别作为Al源和N源，控制温度为1050℃－1200℃，压力为100－200torr，V/III...
- 桑立雯杨志坚秦志新方浩于彤军张国义
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- 基于外延材料应力控制的GaN厚膜自分离方法
- 本发明公开了一种基于外延材料应力控制的GaN厚膜自分离方法。本发明包括如下步骤：对衬底材料进行预处理；在衬底上生长外延材料，工艺条件渐变调制，实现外延材料的应力逐渐集中到预定自分离的位置；在外延材料的厚度达到预定自分离的...
- 张国义吴洁君杜彦浩于彤军杨志坚康香宁贾传宇孙永健罗伟科刘鹏
- 一种GaN衬底的制备方法
- 本发明公布了一种GaN衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明在铺设有碳纳米管的蓝宝石衬底上外延生长GaN、InGaN、AlGaN、AlN或InN薄膜或纳米柱构成过渡层，碳纳米管铺设范围需超过衬底边缘200um-...
- 于彤军程玉田吴洁君韩彤张国义
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- AlGaN基深紫外LED电子阻挡层的智能优化设计被引量：1
- 2023年
- 为了提高AlGaN基深紫外发光二极管(light emitting diode,LED)的内量子效率(internal quantum efficiency,IQE),本文采用了基于InAlGaN/AlGaN超晶格的电子阻挡层(electron blocking layer,EBL)结构,结果表明与传统的单层和双层电子阻挡层结构相比,超晶格EBL结构能够有效提高LED的内量子效率.在此基础上,本文提出了基于JAYA智能算法的LED结构优化方法,应用该方法以最大化内量子效率为目标,对InAlGaN/AlGaN超晶格EBL结构进行优化设计.结果表明,采用优化超晶格EBL结构后电子泄露和空穴注入问题都有所改善,在200 mA电流注入时深紫外LED的内量子效率比采用单层结构EBL提高了41.2%.
- 冯丽雅路慧敏朱一帆陈毅勇于彤军王建萍
- 关键词：内量子效率智能优化算法
- GaN基脊型激光二极管的制备方法
- 本发明公开了一种脊型GaN基激光二极管的制备方法，该方法通过在干法蚀刻脊型和沉积绝缘层之前在脊型的顶部掩埋一层不透明挡光层，阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，然后通过背向曝光技术实现第二次光刻，继而可以采用湿法腐蚀绝缘层...
- 鲁辞莽康香宁胡晓东陈伟华张国义秦志新吴洁君于彤军陈志忠
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