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王建霞

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

主题

  • 4篇氮化镓
  • 3篇镓
  • 3篇衬底
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化层
  • 2篇氮化镓薄膜
  • 2篇氮化镓基发光...
  • 2篇电子阻挡层
  • 2篇多量子阱
  • 2篇阻挡层
  • 2篇铟镓氮
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 2篇蓝宝石衬底
  • 2篇二极管
  • 2篇发光
  • 2篇发光二极管
  • 2篇非极性
  • 2篇铟
  • 1篇单晶

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇王建霞
  • 7篇王占国
  • 7篇杨少延
  • 7篇赵桂娟
  • 7篇魏鸿源
  • 6篇焦春美
  • 5篇刘祥林
  • 4篇桑玲
  • 4篇刘长波
  • 3篇朱勤生
  • 3篇李辉杰
  • 3篇张恒
  • 2篇李志伟
  • 2篇汪连山
  • 2篇冯玉霞
  • 2篇项若飞
  • 1篇刘建明

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法
本发明公开了一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法，利用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上以InGaN插入层和GaN低温缓冲层作为弱键合层生长a面氮化镓的自剥离薄膜，具体包括：取一蓝宝石衬底；在MOCVD设备中通入氨...
王建霞李志伟赵桂娟桑玲刘长波魏鸿源焦春美杨少延刘祥林朱勤生王占国
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半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法
本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半...
项若飞汪连山赵桂娟金东东王建霞李辉杰张恒冯玉霞焦春美魏鸿源杨少延王占国
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制备非极性A面GaN薄膜的方法
本发明提供了一种制备非极性GaN薄膜的方法。该方法包括：在衬底表面制备A面ZnO缓冲薄膜；在制备的A面ZnO缓冲薄膜上制备非极性GaN薄膜。本发明中，ZnO缓冲层能够协调GaN和衬底之间的晶格失配和热失配，从而极大的提高...
刘建明桑玲赵桂娟刘长波王建霞魏鸿源焦春美刘祥林杨少延王占国
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制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法
一种制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法，包括：取一衬底；在衬底上生长一层氧化锌结晶层做为牺牲层；在氧化锌结晶层上低温生长一层半导体支撑层；在半导体支撑层的表面生长半导体单晶外延层，在生长过程中，使氧化锌结晶...
张恒魏鸿源杨少延赵桂娟金东东王建霞李辉杰刘祥林王占国
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利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法
本发明公开了一种利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：利用MOCVD方法，通入铟源和锌源，在衬底上得到高度均一、竖直排列的InN纳米棒；步骤3：关闭铟源和锌源，通入镓源，在...
刘长波赵桂娟桑玲王建霞魏鸿源焦春美刘祥林朱勤生杨少延王占国
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半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法
本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半...
项若飞汪连山赵桂娟金东东王建霞李辉杰张恒冯玉霞焦春美魏鸿源杨少延王占国
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一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法
本发明公开了一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法，利用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上以InGaN插入层和GaN低温缓冲层作为弱键合层生长a面氮化镓的自剥离薄膜，具体包括：取一蓝宝石衬底；在MOCVD设备中通入氨...
王建霞李志伟赵桂娟桑玲刘长波魏鸿源焦春美杨少延刘祥林朱勤生王占国
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