杜传兴
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：同济大学电子与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 退火处理对长波长InAsSb材料电学性能的影响
- 2014年
- 研究长波长InAsSb半导体材料在退火处理前、后,傅里叶变换红外(FTIR)透射光谱、组份元素In、Sb和As在外延层中的分布以及电学性质的变化。用熔体外延(ME)技术,在InAs衬底上生长InAs0.05Sb0.95外延层,外延层的厚度达到100μm。在350℃下,在氢气氛中对样品进行了11h的退火。测量结果表明,退火处理使InAsSb样品的电子迁移率从300K下的43600cm2/(V·s)提高到77K下的48300cm2/(V·s),材料的电学性能及元素分布均匀性得到了明显改善。
- 高玉竹周冉龚秀英杜传兴
- 关键词：INASSB退火处理电学性质
- 长波InAsSb材料的结构特性研究
- 2012年
- 用熔体外延(ME)法在InAs衬底上生长了InAsSb外延层,用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的横截面,并测量出外延层的厚度达到100μm,用X-射线衍射(XRD)谱研究了InAsSb外延层的结构性质。测量结果表明,InAs/InAs0.023Sb0.977单晶具有相当完美的晶体取向结构及良好的结晶质量,这可能得益于100μm的外延层厚度基本消除了外延层与衬底之间晶格失配的影响。电子探针微分析(EPMA)测量的元素分布图像显示,Sb(锑)元素在外延层中的分布相当均匀。
- 杜传兴高玉竹龚秀英方维政
- 关键词：INASSB
