方维政
- 作品数：79 被引量：116H指数：6
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金创新研究群体科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射及探测被引量：2
- 2009年
- 通过Te熔剂方法生长出〈331〉晶向的ZnTe体单晶,利用X射线衍射和红外透射显微技术对材料进行了测试.在钛-宝石激光器的泵浦下,利用〈331〉晶向的ZnTe晶体辐射-探测到太赫兹波,激发频谱可达5 THz左右.〈331〉晶向的ZnTe晶体表现出良好的太赫兹辐射性能.
- 王仍葛进李栋胡淑红方维政戴宁马国宏
- 长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件被引量：10
- 2009年
- 介绍了长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件的制备技术和达到的性能参数.探测器采用离子注入平面pn结制备光敏元,通过间接倒焊技术和读出电路互联,采用8个256元焦平面模块拼接2048元线列焦平面器件.光敏元的响应截止波长达到9.9μm,相应的R0A达到10Ωcm2,平均峰值探测率达到9.3×1010cmHz1/2W-1,响应不均匀性为8%,有效光敏元率大于99.5%.
- 李言谨杨建荣何力张勤耀丁瑞军方维政陈新强魏彦峰巫艳陈路胡晓宁王建新倪云芝唐红兰王正官
- 关键词：长波红外焦平面碲镉汞
- 碲锌镉表面腐蚀坑所对应缺陷的特性研究
- 文中通过使用Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种常用腐蚀剂对碲锌镉材料的腐蚀坑空间分布特性进行研究,结果显示,20μm厚的(111)晶片A、B面上的腐蚀坑在空间位置上不存在对应关系,这表明腐蚀坑所对应...
- 刘从峰方维政涂步华孙士文杨建荣何力
- 关键词：碲锌镉位错密度
- 文献传递
- MBE生长的HgCdTe材料B离子注入特性研究
- 1999年
- 用剥层霍耳测量分析了ＭＢＥ生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜的Ｂ离子注入的电学特性，测量了薄膜材料的载流子浓度和迁移率分布．当剥层腐蚀到结区，结区增透引起红外透射光谱的峰值提高．
- 黄根生姬荣斌方维政杨建荣陈新强何力
- 关键词：MBE汞镉碲
- 碲-熔剂方法生长ZnTe单晶的太赫兹辐射及探测(英文)被引量：5
- 2009年
- 通过Te熔剂方法生长出<110>晶向的ZnTe单晶,利用X射线衍射(XRD)及拉曼光谱对该材料进行了测试.详细研究了太赫兹时域光谱系统中该ZnTe单晶作为激发和探测晶体的辐射和探测特性.结果表明在钛-宝石激光器的泵浦下,Te熔剂方法生长的<110>晶向的ZnTe晶体表现出良好的THz辐射性能,室温下激发频谱可达3THz以上.
- 王仍葛进方维政张惠尔胡淑红戴宁李栋马国宏
- 采用不同材料坩埚对碲锌镉晶体质量的影响被引量：6
- 2007年
- 文中采用热解氮化硼（pBN）坩埚生长Cd0．96Zn0．04Te单晶体，并与采用内壁涂碳的石英坩埚生长的晶体进行了对比分析。本文获得的晶体尺寸为φ45mm×110mm，（111）衬底晶片面积最大可达40mm×30mm，测试分析结果显示：Everson腐蚀坑密度小于2×10^4cm^-2，且分布均匀，无网络状分布结构，与石英熏碳坩埚相比，结构质量有了明显提高；第二相夹杂物尺寸小于2μm，密度为0～1×10^3cm^-3；（111）B晶片的X—ray反射貌相图显示，晶体的结构均匀，完整性较好。上述晶体质量评价指标均优于采用石英熏碳坩埚生长获得的晶体，而且更为重要的是，上述各项指标在同一晶锭的各晶片上基本重复，这说明了单晶具有良好的均匀性，有利于生长均匀的碲镉汞外延层。
- 孙士文刘从峰方维政杨建荣
- 关键词：碲锌镉晶体生长
- HgCdTe/CdTe界面组分互扩散研究
- 尝试椭偏测量的方法，通过对HgCdTe/CdTe/GaAs样品进行剥层腐蚀，获得样品在不同厚度下的椭偏光谱。对测得的光谱进行组分分析，得到HgCdTe/CdTe样品的组分在不同厚度下的分布。并根据上述结果对Zanio的提...
- 巫艳杨建荣陈新强方维政王善力于梅芳乔怡敏何力
- 关键词：高温退火互扩散
- 一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法
- 本发明公开了一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法，它涉及光电探测器材料检测技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)的方法，来显现红外CZT衬底缺陷的技术方案，巧妙地运用...
- 叶振华尹文婷王建新方维政杨建荣陈昱林春胡晓宁丁瑞军何力
- HgCdTe分子束外延薄膜的应变弛豫被引量：5
- 2004年
- 对不同衬底上外延生长的HgCdTe薄膜进行了倒易点二维图测试 ,分析了外延层与衬底之间的结构取向关系以及晶格常数的失配现象 .通过测定Cd1-yZnyTe衬底上的HgCdTe外延层的应变弛豫状况 ,获得了晶格匹配条件时衬底Zn组分的准确值 .实验结果还表明 :HgCdTe外延层与晶格失配的衬底之间存在着倾角 ,该倾角随失配度的增大而增大 ;当衬底失配度较小时 ,非对称倒易点二维图显示外延层并不处于全应变状态 ,而是处于应力部分释放状态 ;相反 ,当外延层晶格失配产生的应力全部释放时 ,外延层包含着较大的失配位错 ,摇摆曲线半峰宽展宽较大 .
- 方维政王元樟巫艳刘从峰魏彦锋王庆学杨建荣何力
- 关键词：晶格失配分子束外延晶格匹配弛豫CDTE薄膜
- 3-5μm室温探测器用InAs/InAsSb和InAs/InAsPSb的液相外延生长
- 在液相外延系统中采用多井石墨滑动舟成功地生长了InAs/InAsSb多层及InAs/InAsPSb异质外延层。外延生长是在InAs（100）衬底上分别于550oC及600oC左右在高纯H2气氛中进行的。利用稀土元素的吸杂...
- 高玉竹龚秀英胡古今邓会勇方维政戴宁
- 关键词：液相外延纯度
- 文献传递
