您的位置： 专家智库 > >

高玉竹

作品数：23 被引量：48H指数：4
供职机构：同济大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 3篇专利

领域

  • 10篇电子电信
  • 8篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 10篇INASSB
  • 8篇波长
  • 7篇截止波长
  • 5篇液相外延
  • 5篇外延法
  • 5篇INAS
  • 5篇长波
  • 4篇电学
  • 4篇电学性质
  • 4篇探测器
  • 3篇电学性能
  • 3篇透射
  • 3篇透射光
  • 3篇透射光谱
  • 3篇迁移率
  • 3篇光谱
  • 3篇光谱响应
  • 3篇红外
  • 3篇非制冷
  • 3篇半导体

机构

  • 21篇同济大学
  • 8篇中国科学院
  • 2篇静冈大学
  • 2篇华星电子工业...
  • 1篇西安现代控制...
  • 1篇中国兵器工业...

作者

  • 23篇高玉竹
  • 18篇龚秀英
  • 5篇方维政
  • 3篇戴宁
  • 2篇杜传兴
  • 2篇闻瑞梅
  • 2篇吴俊
  • 2篇山口十六夫
  • 2篇徐非凡
  • 2篇周冉
  • 2篇冯彦斌
  • 1篇陈涌海
  • 1篇梁骏吾
  • 1篇王卓伟
  • 1篇桂永胜
  • 1篇胡古今
  • 1篇邓会勇
  • 1篇洪伟
  • 1篇李继军
  • 1篇哈继欣

传媒

  • 6篇光电子．激光
  • 2篇电子与封装
  • 1篇上海师范大学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子测量技术
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇光子学报
  • 1篇微型机与应用
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇探测与控制学...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇中国光学学会...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2018
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 3篇2004
共 23 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
用熔体外延法生长的截止波长10μm以上的InAsSb单晶被引量：5
2004年
用熔体外延法,在液相外延系统中,在InAs衬底上成功地生长出了截止波长为11μm的InAsSb单晶.虽然使用液相外延设备,但熔体外延具有不同于液相外延等常规晶体生长方法的创新生长工艺.红外傅里叶光谱测量证明InAsSb材料的截止波长超过10μm.X射线衍射光谱揭示InAsSb外延层具有相当完美的晶体取向结构,且与InAs衬底取向一致,均为(100)方向.霍尔测量结果给出295K下,InAsSb的电子迁移率为4.75×104cm2/Vs,截流子浓度为3.61×1016cm-3;77K下电子迁移率为2.86×104cm2/Vs,载流子浓度为1.50×1016cm-3.数据显示这种材料具有研制新型探测器的良好前景.
高玉竹龚秀英方维政徐非凡吴俊戴宁
关键词：截止波长液相外延电子迁移率外延层载流子浓度
用一种新方法生长的截止波长10μm以上的InAsSb单晶
采用一种新的晶体生长方法-熔体外延，在液相外延系统中，在（100）InAs衬底上生长出了室温截止波长11μm的InAsSb单晶。这是国内第一次生长出波长10μm以上的InAsSb材料，从而填补了我国长波红外InAsSb材...
高玉竹龚秀英方维政徐非凡戴宁
关键词：晶体生长载流子浓度
截止波长12μm的p型-InAs_(0.04)Sb_(0.96)材料的熔体外延生长被引量：2
2009年
为了获得p-型的长波长InAsSb材料并研究掺杂剂Ge对材料特性的影响,用熔体外延法生长了掺Ge的波长为12μm的p型-InAsSb外延层.用傅里叶红外光谱仪、Vander Pauw法和电子探针微分析研究了材料的透射光谱、电学性质以及组分的分布.结果表明,两性杂质Ge在熔体外延生长的InAs0.04Sb0.96材料中起受主杂质作用.当外延层的组分相同时,材料的截止波长不随掺Ge浓度的变化而变化,但是随着外延层中掺Ge量的增加,外延层的透射率下降.掺杂原子Ge在外延层的表面及生长方向的分布都是相当均匀的.77K下测得,载流子浓度为9.18×1016cm-3的掺Ge的p型-InAs0.04Sb0.96样品,其空穴迁移率达到1120cm2.Vs-1.
高玉竹王卓伟龚秀英
关键词：INASSB截止波长空穴迁移率
3-5μm室温探测器用InAs/InAsSb和InAs/InAsPSb的液相外延生长
在液相外延系统中采用多井石墨滑动舟成功地生长了InAs/InAsSb多层及InAs/InAsPSb异质外延层。外延生长是在InAs（100）衬底上分别于550oC及600oC左右在高纯H2气氛中进行的。利用稀土元素的吸杂...
高玉竹龚秀英胡古今邓会勇方维政戴宁
关键词：液相外延纯度
文献传递
熔体外延法生长的截止波长8-12μm InAsl-xSbx单晶的透射光谱研究
用熔体外延法在InAs衬底上成功地生长了截止波长为8-12μm的InAs1-xSbx单晶.用红外光谱仪测量了样品的透射光谱.提出了组分微观分布函数的概念,并计算了一个InSb单晶和三个不同组分的InAs1-xSbx样品的...
高玉竹龚秀英山口十六夫
关键词：截止波长透射光谱
文献传递
退火处理对长波长InAsSb材料电学性能的影响
2014年
研究长波长InAsSb半导体材料在退火处理前、后,傅里叶变换红外(FTIR)透射光谱、组份元素In、Sb和As在外延层中的分布以及电学性质的变化。用熔体外延(ME)技术,在InAs衬底上生长InAs0.05Sb0.95外延层,外延层的厚度达到100μm。在350℃下,在氢气氛中对样品进行了11h的退火。测量结果表明,退火处理使InAsSb样品的电子迁移率从300K下的43600cm2/(V·s)提高到77K下的48300cm2/(V·s),材料的电学性能及元素分布均匀性得到了明显改善。
高玉竹周冉龚秀英杜传兴
关键词：INASSB退火处理电学性质
引信用非制冷快响应长波红外敏感技术
2024年
为了解决引信近场探测对非制冷快响应长波红外敏感技术的需求,开展光子型材料在长波红外敏感技术方面的应用研究。采用熔体外延技术生长出的铟砷锑厚膜单晶通过工艺制备,形成一种可在非制冷条件下截止波长延伸到11μm的光子型红外探测器。通过对器件的性能测试及末敏弹扫描平台的应用表明,该器件在响应波段和响应时间两方面可有效提升红外引信的探测能力。
马明徐博高玉竹陈遵田
关键词：红外引信末敏弹
长波InAsSb材料的结构特性研究
2012年
用熔体外延(ME)法在InAs衬底上生长了InAsSb外延层,用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的横截面,并测量出外延层的厚度达到100μm,用X-射线衍射(XRD)谱研究了InAsSb外延层的结构性质。测量结果表明,InAs/InAs0.023Sb0.977单晶具有相当完美的晶体取向结构及良好的结晶质量,这可能得益于100μm的外延层厚度基本消除了外延层与衬底之间晶格失配的影响。电子探针微分析(EPMA)测量的元素分布图像显示,Sb(锑)元素在外延层中的分布相当均匀。
杜传兴高玉竹龚秀英方维政
关键词：INASSB
用于多电压域设计的双向全摆幅电平转换器被引量：4
2012年
提出了一种无静态漏电流的高性能电平转换器.与现有的电平转换器不同,此设计能够在无静态功耗的情况下,将阈值电压转换为全摆幅输出,只要输入电平高于输出端电压域的NMOS的阈值电压即可正常工作,并且具有更短的传播延时和更低的动态功耗.此设计具有通用性,其电平转换范围仅受限于半导体工艺.针对40 nm工艺实现了该电平转换器电路,并且用SPICE模型进行了仿真.仿真结果显示:该电平转换器能够在无静态功耗的情况下,将0.9 V的输入电平转换为输出端电压域的工作电平1.8 V,传播延时仅为200 ps.
哈继欣高玉竹
关键词：超大规模集成电路NM电平转换器
用液相外延法生长3～7μm波段InAs/InAs_(1-y)Sb_y及其光学和电学性质被引量：2
2012年
用液相外延(LPE)法在InAs衬底上生长了3～7μm波段的InAs1-ySby外延层,研究了外延多层的组份与禁带宽度和晶格常数的关系。用光学显微镜、傅立叶变换红外(FTIR)透射、光荧光(PL)谱测试以及偏振光椭圆仪研究了外延材料的光学特性。电学性质是将计算值与实测有效霍尔(Hall)参数的厚度关系拟合得到的。结果表明,本文生长的材料在中红外光伏型探测器上具有良好的应用前景。
高玉竹龚秀英Makino TYamaguchi TRowell N L
关键词：电学性质
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0