李卫
- 作品数：22 被引量：19H指数：3
- 供职机构：南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术经济管理自动化与计算机技术更多>>
- 利用多层膜生长技术制备纳米印章模板被引量：1
- 2006年
- 在纳米印章技术中,为克服电子束刻蚀制备50nm以下线条的技术难点,利用等离子增强化学气相沉积技术制备了a-Si/SiNx多层膜,再利用选择性湿法腐蚀或干法腐蚀在横截面上制备出浮雕型一维纳米级模板.多层膜子层之间界面清晰陡峭,可以在纳米量级对子层厚度进行控制,得到了侧壁在纳米尺度上平滑的模板.通过控制多层膜子层的生长时间,制备出线条宽度和槽状宽度均为20nm的等间距模板,品质优于电子束刻蚀技术制备的模板.
- 张永军李卫孟祥东杨景海华中李伟徐骏黄信凡陈坤基
- 关键词：电子束刻蚀等离子
- 利用胶体小球掩蔽刻蚀技术制备的半导体纳米阵列的场电子发射特性
- 2008年
- 利用胶体小球掩蔽刻蚀技术,制备了单晶硅纳米阵列,利用原子力显微镜观察了硅阵列的表面形貌,实验结果表明,硅柱阵列具有高密度和较好的均匀性。同时研究了单晶硅纳米阵列的场电子发射特性。为了提高样品的场发射性能,在所制备的单晶硅有序纳米阵列上生长了一层非晶碳薄膜。与单晶纳米硅柱阵列相比,覆盖有非晶碳膜的样品的场电子发射特性有了明显的改善,表现在场发射的开启电场下降,同时场发射增强因子得到增加。结果表明非晶碳膜确实能够降低电子发射的表面有效势垒,从而增强了场电子发射特性。
- 周江李卫张贤高徐骏徐岭李伟陈坤基
- 关键词：场发射非晶碳
- 纳米印章技术中纳米级模板的制备方法
- 纳米印章技术中纳米级模板的制备方法，先制备多层膜：多层膜为非晶硅(a－Si)/氮化硅(SiN<Sub>x</Sub>)、(a－SiC)/(SiN<Sub>x</Sub>)、(a－Ge)/(SiN<Sub>x</Sub>)...
- 陈坤基张永军刘嘉瑜马忠元黄信凡李伟李卫徐骏
- 文献传递
- 室温下Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装被引量：1
- 2008年
- 应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族化合物—CdSe,CdTe纳米晶粒.紫外-可见光吸收谱(ABS)和光致荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒具有良好的单分散性.在室温下利用双功能分子在S i衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原子力显微镜图像和接触角实验证实,Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒已经自组装到了S i衬底表面,并且表面比较平整,纳米晶粒分布均匀.
- 赵伟明甘新慧戴明徐岭孙萍李卫马懿马忠元吴良才徐骏陈坤基
- 关键词：半导体纳米晶体自组装刻蚀
- 论跨国企业国际逃避税的特别国内法规制
- 国际逃税、国际避税是国内逃税、避税活动在国际范围内的延伸和发展，国际逃避税驱使大量资金流向易于逃避税收的国家和地区，造成资本的非正常流动。国际逃避税活动对维护纳税人的权益，实行公平竞争，维持公正有序的税收秩序和市场秩序是...
- 李卫
- 常温下构筑高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的方法
- 本发明涉及一种常温下用硅衬底上的单层CdTe纳米晶体作为掩模版，构筑高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括1)、氧化、刻蚀；2)、铺设单层CdTe纳米晶体模版；3)、反...
- 徐岭徐骏马忠元黄信凡陈坤基李伟李卫赵伟明孙萍
- 文献传递
- 室温下高密度Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装
- 应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族半导体-CdSe,CdTe 纳米晶粒。CdSe 纳米晶粒是利用 CdCl2和 NaSeSO在反相胶束溶液中反应制备;CdTe 纳米晶粒是在水溶液中通过 AlTe和 Cd(ClO)...
- 赵伟明徐岭郑正孙萍李卫马懿张宇马忠元徐骏黄信凡陈坤基
- 文献传递
- 气相共形薄膜生长制备光子量子点的方法
- 气相共形薄膜生长制备的光子量子点，在玻璃和硅衬底先设有横向尺寸为0.5-5μm，高度为0.4-2μm的柱形平台；在其上设有以共形薄膜生长制备有源层为a-SiN<Sub>z</Sub>的受DBR三维限制微腔；其中设有两个D...
- 陈坤基陈三钱波李卫张贤高李伟徐骏黄信凡
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- 室温下Ⅱ-Ⅵ族纳米晶体在Si衬底上的化学自组装
- 本文应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族-CdSe,CdTe纳米晶粒,紫外-可见光吸收谱(ABS)和光荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒良好的单分散性;在室温下利用双功能分子在Si衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原...
- 徐岭黄信凡陈坤基赵伟明郑正孙萍李卫马懿张宇马忠元徐骏
- 关键词：胶体化学纳米晶体
- 文献传递
- 气相共形薄膜生长制备光子量子点的方法
- 气相共形薄膜生长制备的光子量子点，在玻璃和硅衬底先设有横向尺寸为0.5－5μm，高度为0.4－2μm的柱形平台；在其上设有以共形薄膜生长制备有源层为a－SiN<Sub>z</Sub>的受DBR三维限制微腔；其中设有两个D...
- 陈坤基陈三钱波李卫张贤高李伟徐骏黄信凡
- 文献传递
