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Fe／Si薄膜中硅化物的形成和氧化被引量：4: 2008年; 用磁控溅射方法制备Fe/Si薄膜,采用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了退火过程中的相变过程和氧化.结果表明:未退火的Fe/Si薄膜界面清晰,873 K退火后,界面附近Fe、Si原子开始相互扩散,973 K退火后富金属相Fe_(1+x)Si形成,而1073 K退火后形成中间相FeSi,当温度增加至1273 K后所有硅化物完全转变为富硅相FeSi_2,即随退火温度的升高,Fe,Si原子间扩散增强,从而形成不同化学计量比的Fe-Si化合物,且薄膜中易迁移原子种类由Fe变为Si.同时,质子束RBS和XRD测量结果显示,在未退火及低温退火的样品中,薄膜有氧化现象,随退火温度增加,由于高温下金属氧化物被还原并逐渐挥发,样品中氧的含量逐渐减少最后完全消失.; 张晋敏谢泉梁艳曾武贤; 关键词：无机非金属材料半导体材料原子扩散卢瑟福背散射

激光扫描磁控溅射Fe/Si膜直接形成α-FeSi_2被引量：2: 2008年; 用直流磁控溅射方法分别在室温及不同温度的Si(100)衬底上沉积Fe膜,随后采用脉冲激光扫描进行退火,X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了激光扫描对薄膜结晶性质和表面显微结构的影响。测量结果证实直接形成了Fe-Si化合物系的富硅高温相-αFeSi2,室温沉积样品的结晶性质随激光能量密度的增加而提高;反应沉积样品的结晶性质随衬底温度升高而提高。; 张晋敏谢泉余平张勇肖清泉杨子义梁艳曾武贤; 关键词：磁控溅射显微结构

制备Cr掺杂β-FeSi2薄膜的工艺方法: 本发明公开了一种磁控溅射方法制备Cr掺杂β-FeSi2薄膜的工艺方法。它包括以下过程：第一，清洗Si片；第二，采用磁控溅射方法，在Si片衬底上沉积Cr/Fe或Fe/Cr双层膜，或Fe/Cr/Fe多层...; 谢泉张晋敏肖清泉梁艳曾武贤王衍马道京; 文献传递

铁硅化合物β-FeSi_2带间光学跃迁的理论研究被引量：18: 2007年; 采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了β-FeSi2基态的几何结构、能带结构和光学性质.能带结构计算表明β-FeSi2属于一种准直接带隙半导体,禁带宽度为0.74eV;其能态密度主要由Fe的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的β-FeSi2材料的介电函数、反射谱、折射率以及消光系数等光学性质计算结果,复介电函数的计算结果表明β-FeSi2具有各向异性的性质;吸收系数最大峰值为2.67×105cm-1.; 闫万珺谢泉张晋敏肖清泉梁艳曾武贤; 关键词：Β-FESI2 电子结构光学特性

Effects of Annealing on Atomic Interdiffusion and Microstructures in Fe/Si Systems被引量：5: 2007年; Pure metal Fe films with thickness of about 100nm were deposited on Si （100） substrates by DC magnetron sputtering. Annealing was subsequently performed in a vacuum furnace in the temperature range of 600-1000℃ for 2h. The samples were characterized by means of Rutherford backscattering （RBS） with 3MeV carbon ions. The RBS data were fitted with SIMNRA 6.0, and the results show the atomic interdiffusion in Fe/Si systems. The microstructures and crystal structures were characterized by scanning electron microscope and X-ray diffrac- tion. The effects of annealing on atomic interdiffusion, silicide formation, and microstructures in Fe/Si systems were analyzed.; 张晋敏谢泉曾武贤梁艳张勇余平田华; 关键词：ANNEALING MICROSTRUCTURE

制备Mn掺杂β-FeSi2薄膜的工艺方法: 本发明公开了一种磁控溅射方法制备Mn掺杂β-FeSi2薄膜的工艺方法，其特征在于：它包括以下过程：第一，清洗Si片；第二，采用磁控溅射方法，在Si片衬底上沉积Mn/Fe或Fe/Mn双层膜，或Fe/M...; 谢泉张晋敏肖清泉曾武贤梁艳王衍马道京; 文献传递

Ag保护层对TbFeCo磁光薄膜光学性质的影响: 2007年; 用直流磁控溅射法制备出Ag/TbFeCo/Si(100)磁光薄膜。利用可变入射角椭圆偏振光谱仪测量了其可见光区的光学常数,给出薄膜介电函数实部和虚部随入射光子能量的变化规律,结果与经典的Drude模型相一致。同时把Ag/Si、Ag/TbFeCo/Si和TbFeCo/Si的光谱进行了比较,结果表明,由于Ag的高反射率,Ag/TbFeCo/Si的光谱更接近Ag。; 余平任雪勇梁艳曾武贤张晋敏; 关键词：椭偏光谱

保护层Ag对Ag/TbFeCo光学性质的影响: 2007年; 磁光记录介质非晶稀土-过渡金属合金TbFeCo薄膜覆盖Ag保护层可减小稀土元素的氧化且能增强其磁光克尔效应。利用直流磁控溅射法制备出Ag/TbFeCo／Si(100)磁光薄膜,利用可变入射角椭圆偏振光谱仪测量了其可见光区的光学常数,给出薄膜介电函数实部和虚部随入射光子能量的变化规律,同时把Ag／Si、Ag／TbFeCo／Si和TbFeCo／Si的光谱进行了比较。实验结果与经典的Drude模型相一致,而且Ag／TbFeCo／Si的光谱更接近Ag。不同厚度Ag/TbFeCo／Si薄膜其光学参数变化趋势相同,且随Ag厚度的增加变化幅度减小。; 余平任雪勇梁艳曾武贤张晋敏; 关键词：磁光薄膜椭偏光谱磁控溅射 AG

新型环境半导体光电子材料β－FeSi2薄膜的制备工艺: 本发明公开了一种新型环境半导体光电子材料β－FeSi2薄膜的制备工艺，涉及一种Fe－Si化合物，首先采用磁控溅射方法在Si基片上沉积一层厚度50－150nm的金属Fe膜，随后在真空退火炉中880－9...; 谢泉张晋敏曾武贤梁艳肖清泉; 文献传递

溅射参数对Fe-Si化合物的相形成及结构的影响被引量：5: 2008年; 对直流磁控溅射方法制备Fe-Si化合物的工艺过程进行了研究.首先通过改变溅射气压,溅射功率和Ar气流量,在Si(100)衬底上沉积约100 nm纯金属Fe膜,随后在真空退火炉中800℃长时间退火形成Fe-Si化合物.由X射线衍射(XRD)对所形成的Fe-Si化合物的物相和晶体结构进行分析,给出了一组最优化的溅射工艺参数:溅射Ar气压1.5 Pa,溅射功率100 W,溅射Ar气流量20 SCCM.; 张晋敏谢泉梁艳曾武贤; 关键词：磁控溅射溅射参数 X-射线衍射晶体结构

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曾武贤