公共文化服务平台

张晋敏: 作品数：99 被引量：150H指数：6; 供职机构：贵州大学更多>>; 发文基金：贵州省自然科学基金国家自然科学基金贵州省优秀科技教育人才省长资金项目更多>>; 相关领域：理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

磁控溅射制备TbFeCo薄膜及其光学和磁光性质研究: 采用放电等离子烧结(SPS)TbFeCo合金靶,分别在Si衬底和K9玻璃衬底上磁控溅射制备了磁光薄膜TbFeCo/Si和TbFeCo/K9;利用扫描型可变入射角全自动椭偏仪,室温下测量了复介电常数谱,测量结果表明两样品介...; 张晋敏郜小勇李晶周鹏郑玉祥王松有张冬青陈良尧; 关键词：磁光薄膜椭偏光谱; 文献传递

一种基于硅化镁薄膜的传感器: 本实用新型公开了一种基于硅化镁薄膜的传感器，它包括：连接套（1）和紧固套（9），紧固套（9）固定连接套（1）底端，紧固套（9）底部开有检测孔（8），其特征在于：连接套（1）内设置有上压环（4）和下压环（7），上压环（4）...; 王坤谢泉肖清泉张晋敏马家君廖杨芳王立贺腾施建磊王新悦; 文献传递

Effects of Annealing on Atomic Interdiffusion and Microstructures in Fe/Si Systems被引量：5: 2007年; Pure metal Fe films with thickness of about 100nm were deposited on Si （100） substrates by DC magnetron sputtering. Annealing was subsequently performed in a vacuum furnace in the temperature range of 600-1000℃ for 2h. The samples were characterized by means of Rutherford backscattering （RBS） with 3MeV carbon ions. The RBS data were fitted with SIMNRA 6.0, and the results show the atomic interdiffusion in Fe/Si systems. The microstructures and crystal structures were characterized by scanning electron microscope and X-ray diffrac- tion. The effects of annealing on atomic interdiffusion, silicide formation, and microstructures in Fe/Si systems were analyzed.; 张晋敏谢泉曾武贤梁艳张勇余平田华; 关键词：ANNEALING MICROSTRUCTURE

一种还原真实书写的电子笔: 本发明提供了一种还原真实书写的电子笔，包括中央处理器；所述中央处理器连接控制初始设置按钮、上翻页按钮、下翻页按钮、激光灯开光、激光灯头、状态指示灯，激光灯头、激光灯开光、上翻页按钮、下翻页按钮、状态指示灯、初始设置按钮均...; 张晋敏潘王衡谢泉肖清泉王勤

热处理对环境半导体材料β-FeSi_2形成的影响被引量：5: 2006年; 作者对采用非质量分离离子束注入沉积法(IBD)在Si(100)上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)分析表明:当退火温度在600℃和700℃附近时有利于β-FeSi2的形成。; 罗胜耘谢泉张晋敏肖清泉金石声朱林山闫万珺陈坤罗娇莲Koji YamadaKiyoshi Miyake; 关键词：Β-FESI2 IBD 退火温度

机械合金化-热压烧结制备金属间化合物Fe_3Si: 2012年; 采用机械合金化(MA)和真空热压烧结(HP)法制备金属间化合物Fe3Si。X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、差热分析(DTA)和振动样品磁强计(VSM)分别用于分析化合物的物相、显微形貌、致密度和磁学性质。研究表明球磨55h可达到完全合金化,Si溶入Fe中形成饱和固溶体α-Fe(Si),晶粒尺寸约7～8nm。热压烧结后,α-Fe(Si)固溶体发生有序转变生成Fe3Si。磁性能测量表明:样品的矫顽力随烧结温度的升高而减小;随烧结时间的延长而减小;饱和磁化强度随烧结时间的延长而增大。; 陈站张晋敏赵清壮朱培强郑旭谢泉; 关键词：机械合金化热压烧结

Si衬底上低真空热处理制备单一相Mg_2Si半导体薄膜被引量：4: 2013年; 采用磁控溅射沉积方法制备Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上沉积Mg膜,随后低真空热处理。采用X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱对Mg2Si薄膜的结构进行表征。研究了在低真空(10-1～10-2Pa)条件下热处理温度(350～550℃)和热处理时间(3～7h)对Mg2Si薄膜形成的影响。结果表明,低真空热处理条件下制备了单一相Mg2Si半导体薄膜,400～550℃热处理4～5h是最佳的热处理条件。在拉曼谱中256和690cm-1处观察到两个散射峰,这与Mg2Si的拉曼特征峰峰位一致。; 肖清泉谢泉沈向前张晋敏陈茜; 关键词：半导体薄膜 MG2SI 磁控溅射

环境友好半导体材料Ca_2Si的研究进展被引量：1: 2007年; Ca2Si是由两种丰富且无毒的化学元素构成,被认为是很有前景的新型环境半导体材料之一。文章综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展,并着重对两步法制备Ca2Si薄膜进行了介绍,最后展望了Ca2Si的应用前景,探讨了当前Ca2Si研究领域中存在的问题。; 肖清泉谢泉杨吟野张晋敏任雪勇; 关键词：光电性质

一种半导体材料β‑SiC薄膜的制备方法: 本发明提供一种半导体材料β‑SiC薄膜的制备方法，首先，选取普通石墨片或热解石墨为衬底，清洗吹干；然后在衬底上溅射沉积一层Si膜，形成Si/C结构；最后放置于高真空热处理炉中1000℃退火10～14小时获得宽带隙半导体β...; 谢泉范梦慧艾学正王凯杨云飞张晋敏肖清泉廖杨芳谢晶黄晋马瑞陈茜; 文献传递

电子科学与技术专业开设物理及材料科学类课程调查被引量：1: 2009年; 本文对目前国内高校电子科学与技术专业开设物理及材料科学类课程的情况进行了调查,结果表明:96%的高校开设了物理及材料科学类的课程,作为必修课的高校占64%,使用通用教材的高校占78%,认为开设此类课程有必要性的高校占95%,认为对学生就业和继续深造有作用的高校为100%。调查结果为电子科学与技术专业教学指导分委员会制定专业规范和发展战略提供了数据依据。; 谢泉陈茜肖清泉高冉张晋敏崔冬萌李旭珍; 关键词：电子科学与技术专业百分比