丁扣宝
- 作品数：57 被引量：73H指数：5
- 供职机构：浙江大学信息与电子工程学系微电子与光电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省重大科技专项资金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 阶跃电压法测量产生寿命的简单方法被引量：2
- 1998年
- 采用Ｚｅｒｂｓｔ产生区宽度模型，提出了阶跃电压法中一个计算简单、方便、快捷的确定产生寿命的方法。
- 丁扣宝张秀淼
- 关键词：半导体
- 采样保持电路中抑制衬底偏置效应的高频开关电路
- 本发明公开了一种采样保持电路中抑制衬底偏置效应的高频开关电路，包括由两个NMOS晶体管，两个PMOS晶体管组成的第一抑制衬底偏置高频开关单元；两个NMOS晶体管，两个PMOS晶体管组成的第二抑制衬底偏置高频开关单元；一个...
- 蔡坤明丁扣宝韩雁何杞鑫
- 密封空气型FBAR温度传感器被引量：5
- 2012年
- 薄膜体声波谐振器(FBAR)是性能优良的压电换能器。通过在体硅刻蚀型FBAR背面密封空气的方法制作了密封空气型FBAR,研究了密封空气型FBAR用作温度传感器的可行性。实验结果表明,在20～100℃的温度范围内,密封空气型FBAR温度传感器的并联谐振频率随温度线性变化,且具有很好的稳定性与可靠性。
- 丁扣宝刘世洁何兴理
- 关键词：薄膜体声波谐振器压电换能器温度传感器
- 深能级中心的电场增强载流子产生效应
- 1994年
- 本文研究了半导体表面空间电荷区中的深能级中心的电场增强载流子产生效应;指出应全面考虑库仑发射和非库仑发射对载流于产生率的影响;给出了相应的产生率计算公式。对计算机计算结果的分析表明,以往的只考虑库仑发射的模型过于简单,本文理论可以较满意地解释有关的实验结果。
- 丁扣宝张秀淼
- 关键词：半导体MOS电容载流子
- 一种适合于计算机辅助测量的产生寿命确定方法
- 2002年
- 提出了MOS电容线性电压扫描法产生寿命测量的新方法。通过在MOSC t曲线上读取n个不同时刻的电容值 ,计算出相应的产生寿命值 ,其精度随读取点的增加而提高 ,该方法也特别适合于计算机辅助测量系统。
- 毕净丁扣宝
- 关键词：半导体计算机辅助测量
- 利用I-V正向特性提取PN二极管主要参数的研究被引量：7
- 2002年
- 研究了利用电流 -电压 (I- V)正向特性提取 PN结二极管参数的方法。与通常使用的 PN结二极管模型不同 ,本文模型考虑了并联电导对电流的影响。在 I- V特性曲线上读取四级 (V,I)值 ,用牛顿法对模型方程组进行数值求解 ,可提取出 PN结二极管的主要参数 :反向饱和电流 ,串联电阻 ,发射系数以及并联电导。结果表明 ,该方法简便。
- 丁扣宝潘骏
- 关键词：PN结二极管
- 一种薄膜体声波谐振器的制备方法
- 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器的制备方法，该方法包括以下步骤：准备硅衬底，清洗、烘干；在硅衬底上淀积一层低应力Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>薄膜，涂抹光刻胶，光刻窗口图形并刻蚀掉窗口中的Si<S...
- 丁扣宝刘世洁何兴理骆季奎
- 文献传递
- 硅MOS结构C-t瞬态分析中产生区宽度的新模型被引量：1
- 2002年
- 在分析已有的半导体表面产生区宽度模型的基础上 ,提出了可用于产生寿命直接计算且精度较高的产生区宽度新模型 ,它也可以看作是对 Zerbst模型的一种修正 .新模型的标准偏差小于 Pierret模型的标准偏差 .实验数据的分析表明 ,用该模型得到的产生寿命值与
- 丁扣宝
- 关键词：半导体硅MOS结构
- 电子辐照微氮直拉硅单晶的深能级的研究
- 1995年
- 本文研究了电子辐照在氮保护气氛中生长的直拉硅单晶中引入的深能级。没有发现可检测的与氮有关的深能级。
- 丁扣宝张秀淼石国华孙勤生施建青
- 关键词：电子辐射深能级
- 硅MOS结构电容瞬态技术及相关现象的研究
- 该文对硅MOS结构电容瞬态技术及相关问题作了较为系统的研究。主要工作和要点如下：一、对硅MOS结构电容瞬态技术进行了系列研究。主人从测量的精细化（提高测量结果的准确性）和测量的快速简单（包括数据处理以及测量本身）两方面进...
- 丁扣宝
- 文献传递
