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韩雁

作品数：392 被引量：214H指数：7
供职机构：浙江大学更多>>
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相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术医药卫生更多>>

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文献类型

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领域

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作者

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年份

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  • 18篇2009
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  • 24篇2007
  • 13篇2006
  • 6篇2005
共 392 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
宽输出电压范围低电流失配的电荷泵电路设计方法及应用
本发明公开了宽输出电压范围低电流失配的电荷泵电路设计方法及应用。由MOS电流镜子电路和NMOS电流镜子电路组成的电流镜电路，通过镜像偏置电流源和电流槽的电流，为电荷泵输出端提供充放电电流；MOS控制开关用于控制充放电支路...
陈雅婷韩雁陈鹏
文献传递
功率因数校正器芯片电路UC3854的分析被引量：8
2002年
随着开关电源越来越广泛的应用 ,电网的功率因数大大下降 ,功率因数校正成为一个新的问题。 UC385 4就是解决这个问题的一种高性能功率因数校正器。该电路采用平均电流模型 ,它通过脉宽调制输出的一连串脉冲信号来控制电路中开关晶体管的导通与截止 ,从而将输入电流与输出电压的相位重新调整到同相的状态 。
詹桦韩雁
关键词：功率因数校正器开关电源脉冲宽度调制乘法器
高压BCD集成电路中高压功率器件的设计研究被引量：15
2002年
高压功率集成电路的设计与制造因其具有的高技术难度而极具挑战性。所谓高压功率集成电路 (HV-PIC) ,是指将需承受高电压 (需达数百伏 )的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容 ,制作在同一块 IC芯片上。文中以器件模拟软件 Medici为工具 ,用计算机仿真的方法 ,研究了高压 BCD电路中高压功率器件的设计问题 ,其中包括器件结构、掺杂浓度、结深等主要参数及其它一些技术因素对器件耐压的影响 ,并给出了相应物理意义上的分析。根据这一设计 ,在国内进行了一块高压功率 BCD集成电路的试制 ,经测试 ,耐压超过 660伏 ,输出功率 40 W,且电路的其它器件参数达到设计值 ,IC电路整体功能正常 。
韩雁
关键词：高压功率器件计算机辅助分析
一种实现大屏幕多投影无缝拼接的方法及其拼接融合器
本发明公开了一种实现大屏幕多投影无缝拼接的方法，包括如下步骤：1)将测量图像通过多台投影仪在大屏幕上投影，收集大屏幕上的投影图像信息，并分析得到几何校正参数和颜色校正参数；2)将上述参数生成参数文件并储存在移动存储器中；...
王明宇韩雁王锐刘晓鹏
文献传递
采样保持电路中抑制衬底偏置效应的高频开关电路
本发明公开了一种采样保持电路中抑制衬底偏置效应的高频开关电路，包括由两个NMOS晶体管，两个PMOS晶体管组成的第一抑制衬底偏置高频开关单元；两个NMOS晶体管，两个PMOS晶体管组成的第二抑制衬底偏置高频开关单元；一个...
蔡坤明丁扣宝韩雁何杞鑫
基于薄膜体声波谐振器的高灵敏度质量传感器被引量：4
2008年
提出了一种针对于生物传感应用的薄膜体声波谐振(Thin film bulk acoustic resonator,FBAR)质量传感器。薄膜体声波谐振器谐振频率非常高(GHz数量级),同时具有很高的品质因数,因此基于这种器件的质量传感器具有非常高的质量灵敏度。提出了三对全金属Al-W层作为布拉格声学反射层的FBAR,采用AlN作为压电层,制备出了固态装配型FBAR传感器。通过淀积不同厚度Al层顶电极,对器件的质量灵敏度进行了分析,得到质量传感器串联谐振频率在2.8GHz附近,质量响应度达到5×10-4ng/Hz/cm2,可以实现分子量级的质量传感。
马绍宇韩雁董树荣李侃周海峰
关键词：质量传感器薄膜体声波谐振器灵敏度
一种高压大电流IGBT的设计与实现被引量：2
2014年
提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1 700 V/100 A高压大电流的NPT-IGBT,包括其元胞结构、终端结构、工艺流程及版图的设计。通过分析及仿真确定元胞的结构参数;采用场限环与场板相结合的终端结构,讨论场板的设置对终端结构的影响,提出了多晶硅场板设置的方案;流片完成后进行半桥模块的封装,并对模块进行了测试。击穿电压达1 700 V以上,栅发射极漏电流小于80 nA、关断时间小于800 ns、关断功耗小于30 mJ,均达到设计要求。导通饱和压降3.5 V(略高),可通过增大芯片尺寸的方法加以改进。
张炜余庆张斌张世峰韩雁
关键词：终端结构高压大电流
MOS器件二次击穿行为的电路级宏模块建模被引量：1
2008年
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。MOS器件是一种重要的静电放电防护器件,被广泛地应用为集成电路输入输出口的静电保护器件。用TCAD仿真工具对MOS器件的二次击穿进行宏模块建模,该模型能够正确反映MOS器件二次击穿的深刻机理,具有良好的精确性和收敛性,这对在电路级以及系统级层面上仿真静电放电防护网络的抗静电冲击能力有重要意义。
崔强韩雁董树荣刘俊杰斯瑞珺
关键词：MOS二次击穿
一种基于PNP型三极管辅助触发的双向可控硅器件
本发明公开了一种基于PNP型三极管辅助触发的双向可控硅器件，包括P衬底层和四个PNP型三极管；P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱；第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区；第二N阱上设...
郑剑锋韩雁马飞董树荣吴健苗萌曾杰
文献传递
一种基于NPN型三极管辅助触发的双向可控硅器件
本发明公开了一种基于NPN型三极管辅助触发的双向可控硅器件，包括P衬底层和四个NPN型三极管；P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱；第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区；第二N阱上设...
郑剑锋韩雁马飞董树荣吴健苗萌曾杰
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