何杞鑫
- 作品数：29 被引量：114H指数：6
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- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术机械工程更多>>
- AC/DC转换器中功率开关管漏端电压检测电路
- 本发明公开了一种AC/DC转换器中功率开关管漏端电压检测电路，包括一三极管，三极管的基极连接有偏置电路，集电极连接有电流镜，电流镜的输出端口与电流电压转换模块相连接，电流电压转换模块的输出端口与一比较器相连接，比较器的输...
- 张伟东何杞鑫丁扣宝
- 文献传递
- 基于FAN6300准谐振LED路灯电源的设计被引量：3
- 2011年
- 近年来,LED由于节能环保而在路灯照明方面得到广泛应用。为满足大功率LED的电气特性,在传统的反激变换器的基础上,基于飞兆FAN6300设计了一种准谐振高压恒流LED路灯驱动电源。阐述了准谐振开关电源的原理和优点,给出了电路原理图,以及关键元件的参数计算和选取方法。实验结果证明了该设计的可行性和有效性。
- 鲍建宇孙林军何杞鑫
- 关键词：路灯反激变换器准谐振恒流
- 一种适用于准谐振AC/DC控制芯片的波谷检测电路被引量：3
- 2008年
- 设计了一种适用于准谐振反激式AC/DC(交流/直流)控制芯片的波谷电压检测电路。根据反激式变换器辅助绕组电压的特点,在一个开关周期内对辅助绕组电压采用三种不同的处理方式。电路实现了以下功能:检测变压器消磁完成的时间点,然后控制检测电路进行波谷检测;在功率开关管漏极电压斜率±0.09的范围内,检测到电压波谷;对母线输入电压和输出电压进行过压检测。Cadence specter S仿真结果显示,实现了以上功能。将检测电路用于准谐振AC/DC控制芯片,功能实现良好。
- 张伟东何杞鑫
- 关键词：准谐振辅助绕组
- MOS功率晶体管特性的温度效应被引量：2
- 1987年
- 已设计的实验能够在同一仪器上方便地测量MOS功率管的脉冲I-V输出特性、直流I-V输出特性和器件内部的温度。对实验结果进行的综合分析表明,阈值电压随温度的增加而减小将引起MOS功率管的热不稳定,而表面迁移率随温度的增高而下降使MOS功率管的直流I-V特性在大电流区域呈观负阻。本文提出了反映热特性的两个特征点,给出了这两点处的栅源电压与器件设计参数的关系,作为MOS功率管热特性设计的依据。
- 叶润涛何杞鑫徐家权
- 关键词：MOS功率管电子管电力电子器件功率晶体管温度效应
- 浅析电子镇流器中晶体管的配对
- 1995年
- 本文对采用两个晶体管的电子镇流器配对进行了分析，提出晶体管配对不仅要求电流增益相近，而且开关时间也要相近。
- 郑海东何杞鑫
- 关键词：电子镇流器晶体管
- 8VSB芯片的层次式设计方法被引量：2
- 2003年
- 提出了深亚微米下系统级芯片层次式版图设计的方法,并用该方法设计了HDTV信道解码芯片8VSB的版图。实例设计结果表明,该方法在节约面积、加速时序收敛方面效果明显,大大缩短了芯片设计周期。
- 朱昕荣韩晓霞张明何杞鑫郑伟
- 关键词：系统级芯片深亚微米工艺专用集成电路
- 多模式AC/DC控制芯片的过载研究被引量：2
- 2009年
- 多模式AC/DC控制芯片根据负载情况选定相应高效的工作模式以获得高效率。为了合理设定工作负载,在基于Verilog-A建立的反激式变换器仿真模型基础上,仿真研究了多模式AC/DC控制芯片的过载行为。结果表明,当负载过重后,变压器初级获得的能量不足以使输出电压稳定,输出电压开始下降。根据仿真曲线确定了输出电压20 V下的过载点为13.4Ω。
- 张伟东丁扣宝何杞鑫
- 关键词：开关电源多模式准谐振过载
- 电子镇流器及异常状态保护电路的设计
- 介绍电子镇流器的异常状态和保护电路.
- 何杞鑫姚云龙裘梦熊
- 关键词：电子镇流器异常状态保护电路
- 文献传递
- 电子镇流器及异常状态保护电路的设计
- 介绍电子镇流器的异常状态和保护电路.
- 何杞鑫余杭市节能技术应用研究所(余杭)姚云龙裘梦熊
- 关键词：电子镇流器电路保护高频振荡
- 文献传递
- 采样保持电路中抑制衬底偏置效应的高频开关电路
- 本发明公开了一种采样保持电路中抑制衬底偏置效应的高频开关电路，包括由两个NMOS晶体管，两个PMOS晶体管组成的第一抑制衬底偏置高频开关单元；两个NMOS晶体管，两个PMOS晶体管组成的第二抑制衬底偏置高频开关单元；一个...
- 蔡坤明丁扣宝韩雁何杞鑫
