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龚谦

作品数：111 被引量：101H指数：6
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 56篇期刊文章
  • 40篇专利
  • 14篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 59篇电子电信
  • 15篇理学
  • 2篇机械工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 42篇激光
  • 41篇激光器
  • 22篇量子点
  • 22篇分子束
  • 22篇分子束外延
  • 16篇量子
  • 15篇量子点激光器
  • 13篇衬底
  • 10篇外腔
  • 10篇波长
  • 9篇半导体
  • 8篇调制
  • 8篇OA
  • 7篇调谐
  • 7篇腔面
  • 7篇光电
  • 7篇D-S
  • 7篇波长转换
  • 6篇增益
  • 6篇Q

机构

  • 106篇中国科学院
  • 47篇曲阜师范大学
  • 10篇中国科学院大...
  • 3篇深圳信息职业...
  • 3篇查尔姆斯理工...
  • 2篇上海科技大学
  • 2篇中国科学院上...
  • 2篇上海新微科技...
  • 2篇中科院南通光...
  • 1篇北京邮电大学
  • 1篇海南师范大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇中科院上海微...
  • 1篇上海新微技术...

作者

  • 111篇龚谦
  • 45篇王海龙
  • 28篇曹春芳
  • 17篇严进一
  • 16篇王庶民
  • 14篇李耀耀
  • 12篇汪洋
  • 10篇柳庆博
  • 10篇张永刚
  • 9篇顾溢
  • 9篇封松林
  • 7篇成若海
  • 7篇马英杰
  • 6篇岳丽
  • 6篇王朋
  • 5篇李世国
  • 5篇陈朋
  • 4篇宋志棠
  • 4篇狄增峰
  • 4篇王凯

传媒

  • 13篇通信技术
  • 7篇光电子．激光
  • 6篇发光学报
  • 5篇量子电子学报
  • 5篇物理学报
  • 5篇红外与毫米波...
  • 4篇第十一届全国...
  • 3篇激光技术
  • 3篇第十届全国分...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇光学学报
  • 2篇半导体光电
  • 1篇Journa...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇激光杂志
  • 1篇材料导报
  • 1篇中国科学基金
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 4篇2024
  • 5篇2023
  • 4篇2022
  • 1篇2021
  • 6篇2020
  • 6篇2019
  • 11篇2018
  • 14篇2017
  • 12篇2016
  • 8篇2015
  • 10篇2014
  • 14篇2013
  • 5篇2012
  • 4篇2010
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 111 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
张应变对Ge迁移率的改善
随着集成电路技术步入纳米级,一系列由于沟道微尺寸而引发的效应将影响晶体管性能.迁移率退化是其中最为严重的效应之一.本论文工作讨论了在InAIP虚拟衬底上生长张应变Ge，通过改变In组分获得了不同张应变Ge，并对张应变对G...
王凯龚谦周海飞康传振严进一柳庆博王庶民
关键词：集成电路半导体技术迁移率分子束外延
文献传递
电场对InGaAs/InP量子阱内激子束缚能的影响
低维半导体材料在新型半导体器件开发上具有广阔的应用前景,近年来一直为半导体科学技术领域的研究热点.从理论上研究低维半导体材料的电子态,对新型半导体器件设计具有重要的理论价值和指导意义[1-3].
王文娟王海龙龚谦封松林
InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光单模特性研究被引量：8
2019年
报道了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光光谱研究,并在法布里-珀罗(FP)腔激光器中发现了单模工作特性,且该单模工作特性可以在较大的工作电流范围内(36~68mA)存在,在一定的电流(14mA)范围内保持单模可调谐。在20℃,当器件注入电流为62 mA时,激光器单模工作情况下的最大边模抑制比(SMSR)为29.8dB,在其他电流条件下该器件的边模抑制比也都大于20dB。激光器在单模工作时,器件最大输出功率(单面)达到12.5mW。对于具有相同结构和材料的FP腔激光器来说,在不同条宽或腔长的器件中都观察到上述单模工作特性。这一特性在一些单频激光的应用系统中具有较大的应用价值。
汤瑜曹春芳赵旭熠杨锦李金友龚谦王海龙
关键词：激光器量子阱激光器法布里-珀罗腔单模边模抑制比
一种液态催化剂辅助化学气相沉积制备石墨烯的方法
本发明公开了一种利用液态金属或合金作为催化剂化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法。低熔点的金属包括典型的镓、锡和铟等；低熔点的合金包括镓-铜、镓-镍、铟-铜、铟-镍、锡-铜、锡-镍和铜-银-锡等。本发明在金属或合金催化剂熔点...
丁古巧王庶民龚谦朱云孙雷狄增峰谢晓明江绵恒
文献传递
一种四元探测器的制备方法以及由此得到的铟镓砷铋四元探测器
本发明涉及一种四元探测器的制备方法，包括提供外延片；以光刻胶为掩膜对外延片进行光刻，获得台面；采用直流反应磁控溅射的方法在台面上淀积氮化铝绝缘接触层，采用电感耦合等离子体化学气相沉积的方法在氮化铝绝缘接触层上淀积氮化硅钝...
杨楠楠顾溢马英杰师艳辉何桂香龚谦张永刚
文献传递
一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法
本发明涉及一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法，其特征在于所述的复合衬底以锑化物为中间层、上、下表面分别形成压应变AlSb/Si和张应变GaAs/GaSb的界面失配位错阵列IMF，使应变在两个界面处得到释放，解决了GaAs与...
王朋龚谦曹春芳丁彤彤
文献传递
硅基单片集成激光器及其制作方法
本发明提供一种硅基单片集成激光器及其制作方法，包括：1）于SOI衬底表面制作图形掩膜；2）刻蚀顶层硅及埋氧化硅层，形成直至衬底硅的限向结构；3）于限向结构内生长Ge外延层；4）在Ge外延层上外延生长III‑V族材料，控制...
仇超龚谦武爱民高腾盛振甘甫烷赵颖璇李军
一种制备石墨烯的方法
本发明属于无机化合物技术领域，尤其涉及一种以CBr<Sub>4</Sub>为源材料利用分子束外延(MBE)或者化学气相沉淀(CVD)等方法直接制备石墨烯的方法。一种制备石墨烯的方法，包括如下步骤：选取适当的材料作为衬底；...
王庶民龚谦谢晓明王海龙狄增峰丁古巧柳庆博
文献传递
有源区Be掺杂对1.3μm InAs量子点激光器性能的影响
2023年
利用分子束外延技术在GaAs(100)衬底上生长了1.3μm InAs DWELL量子点激光器结构,研究了有源区Be掺杂对量子点激光器性能的影响。研究表明,对有源区进行Be掺杂可以有效降低InAs量子点激光器的阈值电流密度,提升激光器的输出功率,增加激光器的温度稳定性。研制的Be掺杂InAs量子点激光器的阈值电流降低到12mA,相应的阈值电流密度仅为100 A/cm2,激光器的最高输出功率达到183 mW,最高工作温度达到了130℃。这对InAs量子点激光器器件在光通信系统中的应用具有重要意义。
杜安天曹春芳韩实现王海龙龚谦
关键词：量子点激光器分子束外延阈值电流密度输出功率
气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心
2016年
利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10^(-15)cm^2。在未有意掺杂的InP0.9751Bi0.0249中测量到一个少数载流子深能级中心H1,H1的能级位置为Ev+0.31 eV,俘获截面为2.87×10^(-17)cm^2。深中心E1应该起源于本征反位缺陷PIn,深中心H1可能来源于形成的Bi原子对或者更复杂的与Bi相关的团簇。明确这些缺陷的起源对于InPBi材料在器件应用方面具有重要的意义。
王海龙韦志禄李耀耀王凯潘文武吴晓燕岳丽李士玲龚谦王庶民
关键词：深中心
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