严进一 作品数:17 被引量:19 H指数:3 供职机构: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 山东省自然科学基金 国家重点实验室开放基金 更多>> 相关领域: 电子电信 更多>>
大范围连续调谐的InAs/InP(100)外腔量子点激光器 被引量:3 2016年 实现了一种工作在连续波(CW)模式下InAs/InP(100)外腔量子点激光器(EC-QDL)。激光器采用小型化的Littrow外腔结构,中心波长为1.6μm且输出光方向固定。在室温条件下,对InAs/InP(100)量子点外腔激光器进行了一系列性能测试。实验结果表明,器件的单模大范围波长调谐达56.5nm,覆盖波长从1 566.9到1 623.4nm,获得30GHz的无跳模连续调谐范围,在中心波长1.6μm附近单模输出功率达8 mW,并在无跳模连续调谐范围内获得了30dB以上的边模抑制比(SMSR)。 高金金 严进一 柳庆博 赵旺鹏 荣春朝 龚谦关键词:外腔 光栅 低密度InAs/GaAs量子点的GSMBE生长 单个量子点的发光具有反聚束特征,可以为量子信息处理、量子保密通信提供可靠的单光子源.化合物半导体外延生长的量子点具有很多优点:如量子点单光子源具有高的振子强度、窄的谱线宽度、不会发生光褪色,并且易于集成等,量子点单光子源... 岳丽 龚谦 严进一 汪洋 柳庆博 成若海关键词:化合物半导体 单光子源 文献传递 测量激光器内量子效率和内损耗的方法 本发明提供一种通过外部光反馈装置改变有效反射率来测量激光器内量子效率和内损耗的方法,包括以下步骤:S1:在激光器光路上设置一外部光反馈装置;S2:将激光器的腔面与外部光反馈装置的镜面等效为一个等效腔面;通过改变外部光反馈... 汪洋 龚谦 柳庆博 曹春芳 成若海 严进一 李耀耀文献传递 高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器 可调谐外腔半导体激光器通过引入外部光学反馈介质,利用普通的法布里-珀罗腔半导体激光器即可可以实现单模激射和激射波长可调的激光器,作为光源,其具有单一频率、窄线宽、波长可大范围调谐、结构紧凑等诸多优点,在光传感、精密光谱测... 严进一 龚谦 曹春芳 成若海 王海龙关键词:外腔激光器 稳定性分析 文献传递 测量激光器内量子效率和内损耗的方法 本发明提供一种通过外部光反馈装置改变有效反射率来测量激光器内量子效率和内损耗的方法,包括以下步骤:S1:在激光器光路上设置一外部光反馈装置;S2:将激光器的腔面与外部光反馈装置的镜面等效为一个等效腔面;通过改变外部光反馈... 汪洋 龚谦 柳庆博 曹春芳 成若海 严进一 李耀耀文献传递 2.0μm中红外量子阱激光器研制及其性能测试与分析 被引量:2 2018年 利用固态源分子束外延技术在GaSb衬底上生长InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器结构,研制了激射波长为2.0μm波段的GaSb基量子阱激光器。测量了激光器的阈值电流密度随激光器腔长的变化规律,得出无限腔长时器件的阈值电流密度为135A/cm^2,在室温连续波工作模式下,测得激光器的内量子效率为61.1%,内部损耗为8.3cm-1,激光输出功率斜效率为112mW/A,最高输出功率达到72mW,器件性能优异。另外,还研究了改变激光器的腔长和改变注入电流的条件下器件激射波长的调谐特性。器件激射波长随注入电流的红移速度为0.475nm/mA。对于不同腔长的器件,腔长越长,器件工作波长越长,工作波长和腔长之间呈单调关系。上述波长变化规律是GaSb量子阱激光器的典型特征。 杨维凯 王海龙 曹春芳 严进一 赵旭熠 周长帅 龚谦关键词:分子束外延 阈值电流密度 激射波长 外腔反馈对量子点激光器输出特性的影响 被引量:3 2013年 在对光栅外腔量子点激光器进行理论研究的基础上,分析了外腔反馈对Littrow型光栅外腔量子点激光器输出功率、调谐范围等输出特性的影响,发现器件参数的选择对外腔激光器的性能影响很大。对外腔激光器的输出功率和调谐范围进行了理论计算,并与实验结果进行了对比。计算得到的外腔激光器的输出功率与实验结果符合得很好,忽略了非线性增益相关的增益抑制的单模调谐范围理论计算值稍小于实验结果。 龙睿 王海龙 成若海 龚谦 严进一 汪洋 陈朋 宋志棠 封松林关键词:量子点激光器 外腔反馈 输出功率 调谐范围 1.5mm腔长InAs/InP量子点激光器镜面外腔光谱特性研究 2012年 基于研制的1.5mm腔长InAs/InP共面条状量子点激光器,搭建了其镜面外腔结构,并对其光谱特性进行了测试,获得了镜面外腔周期性调制光谱,并在周期性的产生、多模激射和模式随电流的变化等方面对其光谱特性进行了分析研究。相比以前为获得单模使用的超短腔长超短外腔量子阱激光器,长腔长InAs/InP量子点激光器表现出较小的模式压缩比,更容易发生多模激射。 柳庆博 龚谦 曹春芳 汪洋 岳丽 严进一 成若海关键词:INAS Littman结构的平移透镜外腔半导体激光器 被引量:3 2017年 首次提出并实现了一种利用笼式共轴系统搭建的Littman结构平移透镜外腔半导体激光器。通过微调节架驱动准直透镜平移从而改变光栅表面的激光入射角,可以实现约8.5 nm的连续波长调谐,准直透镜平移1μm波长改变约0.02 nm,实验测量值与理论计算值能够很好地吻合。通过压电陶瓷驱动准直透镜平移,研究了Littman结构平移透镜外腔半导体激光器的跳模特性并定性分析了发生跳模的基本原理。此外,该外腔系统的出射激光具有优异的单模特性和稳定性,室温下工作电流为300 m A时单模输出功率超过18 m W。 荣春朝 严进一 龚谦关键词:调谐激光器 跳模 采用InGaP和InAlP作为虚衬底的张应变Ge薄膜的材料性质比较 2014年 我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质。利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8%,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可达2.0%。通过对表面Ge进行腐蚀并测试电阻的方法,我们发现Ge生长在InGaP上存在平行导电问题,而Ge生长在InAlP上则可以消除平行导电的影响。通过霍尔测试验证了Ge受到张应变时对电子迁移率的提高作用。 周海飞 龚谦 王凯 康传振 严进一 王庶民关键词:分子束外延 INGAP