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王庶民

作品数：69 被引量：0H指数：0
供职机构：查尔姆斯理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信理学文化科学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 54篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 6篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 24篇分子束
  • 24篇分子束外延
  • 14篇半导体
  • 11篇衬底
  • 10篇激光
  • 10篇激光器
  • 9篇单片
  • 9篇量子
  • 9篇晶格
  • 9篇发光
  • 7篇单片集成
  • 7篇量子点
  • 6篇势垒
  • 6篇金属有机物
  • 6篇金属有机物化...
  • 6篇铋
  • 5篇导体
  • 5篇悬臂
  • 5篇悬臂结构
  • 5篇量子阱结构

机构

  • 68篇中国科学院
  • 7篇查尔姆斯理工...
  • 2篇曲阜师范大学
  • 2篇中国科学技术...
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇北京邮电大学
  • 1篇宁波大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇中科院上海微...

作者

  • 69篇王庶民
  • 27篇李耀耀
  • 22篇宋禹忻
  • 16篇龚谦
  • 13篇张立瑶
  • 11篇顾溢
  • 10篇王凯
  • 10篇张振普
  • 9篇曹春芳
  • 8篇狄增峰
  • 8篇潘文武
  • 7篇叶虹
  • 7篇欧欣
  • 5篇张永刚
  • 5篇游天桂
  • 4篇高晓强
  • 4篇丁古巧
  • 4篇谢晓明
  • 4篇张苗
  • 3篇王海龙

传媒

  • 3篇第十一届全国...
  • 2篇材料科学与工...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇材料导报
  • 1篇发光学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇宁波大学学报...
  • 1篇纳米技术与精...
  • 1篇第十届全国分...

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 4篇2018
  • 12篇2017
  • 9篇2016
  • 9篇2015
  • 11篇2014
  • 9篇2013
  • 3篇2012
共 69 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种制备石墨烯的方法
本发明属于无机化合物技术领域，尤其涉及一种以CBr<Sub>4</Sub>为源材料利用分子束外延(MBE)或者化学气相沉淀(CVD)等方法直接制备石墨烯的方法。一种制备石墨烯的方法，包括如下步骤：选取适当的材料作为衬底；...
王庶民龚谦谢晓明王海龙狄增峰丁古巧柳庆博
文献传递
一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法
本发明提供了一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法，目的在于解决既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺的发光材料，其包括如下步骤：在单晶硅衬底上外延生长预制的过渡晶体单元，且顶层材料的晶格常数大于Ge材料；在所述预...
宋禹忻朱忠赟珅李耀耀韩奕张振普张立瑶王庶民
文献传递
一种Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法
本发明提供一种Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面形成GaAs层，于所述GaAs层表面形成Ⅲ-Ⅴ半导体层，于所述Ⅲ-Ⅴ半导体层表面形成第一SiO<Sub>2</Sub>层...
狄增峰高晓强恭谦张苗王庶民
文献传递
一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法
本发明涉及一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法，包括：在生长稀铋半导体材料的过程中加入小半径且大键能的原子；所述的小半径且大键能的原子为氮或硼。本发明提供的方法在生长稀铋半导体材料的时候同时加入氮、硼等小半径、大键能的原...
王庶民顾溢宋禹忻叶虹
气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心
2016年
利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10^(-15)cm^2。在未有意掺杂的InP0.9751Bi0.0249中测量到一个少数载流子深能级中心H1,H1的能级位置为Ev+0.31 eV,俘获截面为2.87×10^(-17)cm^2。深中心E1应该起源于本征反位缺陷PIn,深中心H1可能来源于形成的Bi原子对或者更复杂的与Bi相关的团簇。明确这些缺陷的起源对于InPBi材料在器件应用方面具有重要的意义。
王海龙韦志禄李耀耀王凯潘文武吴晓燕岳丽李士玲龚谦王庶民
关键词：深中心
一种基于稀铋磷化物的中间带太阳能电池结构
本发明公开了一种基于稀铋磷化物材料的中间带太阳能电池结构，通过在磷化物中掺入少量铋原子，在磷化物禁带内产生新的杂质能带，杂质能带与磷化物导带边和价带边距离可通过改变磷化物中Al、Ga、In元素组分来调控，并在一个较宽的范...
王庶民张立瑶李耀耀王凯
文献传递
一种GaAsOI结构及Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法
本发明提供一种GaAsOI结构及Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，先通过外延技术和离子注入技术形成半导体衬底、GaAs层结构，所述半导体衬底中具有H离子或/及He离子注入层，且所述半导体衬底为Ge、Ge/Si、Ge/GeSi/S...
狄增峰高晓强恭谦张苗王庶民
文献传递
一种稀铋半导体量子阱
本发明提供了一种稀铋半导体量子阱，从下到上依次包括：下势垒层、含有铋元素的量子阱层和上势垒层；在稀铋量子阱层中间设有n型δ掺杂层，量子阱层的材料为GaXBi，下势垒层与上势垒层材料相同，为AlGaX或GaX，δ掺杂层的材...
岳丽王庶民张焱超潘文武王利娟
文献传递
一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器
本发明提供了一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器，该有源区结构包括第一势垒层、Ge纳米线和第二势垒层，所述Ge纳米线位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带...
朱忠赟珅宋禹忻李耀耀韩奕张振普张立瑶王庶民
文献传递
通过晶格失配调节有盖层张应变Ge量子点的光电特性
2018年
利用Ge与不同衬底形成的不同晶格失配度来调节有盖层的张应变Ge量子点的光电特性。通过有限元方法模拟并获得张应变Ge量子点内的应变分布,而后通过形变势理论和有效质量近似计算得到量子点的电子结构。与无盖层张应变Ge量子点相比,有盖层Ge量子点能保持更大的应变量。另外,随着量子点尺寸和晶格失配度的增大,导带Γ谷与导带L谷的能量差缩减,最终使Ge转变为直接带隙材料。直接带隙能量随着量子点尺寸的增大而减小。该研究结果表明张应变Ge量子点是制备包含激光器在内的Si基光源的理想材料,在未来光电子应用中有巨大潜力。
陈其苗宋禹忻张振普刘娟娟芦鹏飞李耀耀王庶民龚谦
关键词：量子点有限元
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