蒋文静
- 作品数：11 被引量：12H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金北京市属高等学校人才强教计划资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 新型AlGaInP系发光二极管饱和特性与寿命的研究被引量：2
- 2014年
- 针对AlGaInP系发光二极管(LED)电极阻挡出光、衬底吸收、全反射角小导致器件出光效率低、热积累大、饱和特性差等问题,提出了一种具有复合电流输运增透窗口层、复合DBR反射镜和电流阻挡层结构的新型LED,并测试了其饱和特性和寿命.电流分布模拟显示:新型LED电极下仅存在极小的无效电流;实验结果表明新型LED出光效率高,饱和电流大,饱和电流时光强约为常规LED的3倍,光电性能明显提升.器件饱和特性和老化实验研究显示:新型LED寿命长达17.8×104h,器件内部发热量低,具有高饱和特性和高可靠性,适合在大电流大功率下工作.
- 马莉沈光地陈依新蒋文静郭伟玲徐晨高志远
- 电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底的发光二极管
- 电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底的发光二极管，属于半导体光电子技术领域。包括上电极(100)、由导电增透出光层(130)、电流阻挡层(110)和电流扩展层(201)构成的电流输运增透窗口层(111)、上限制层(30...
- 沈光地陈依新李建军蒋文静韩金茹
- 文献传递
- 带介质分布式Bragg反射镜结构高性能共振腔发光二极管的研究被引量：1
- 2012年
- 采用等离子体增强化学气相沉积高低频交替生长法生长了SiO_2/Si_3N_4透明介质分布式:Bragg反射镜(DDBR),提出了对DDBR采用干、湿法并用的腐蚀方法.采用传输矩阵法理论分析了DDBR,得出了为满足出光增益要求的反射率和DDBR结构.使用光致发光(PL)谱仪测量分析了DDBR反射谱和光致发光谱,获得了使光致发光谱辐射增强的DDBR结构,在整个光致发光谱380-780 nm波段,整体辐射增强1.058倍,在谐振波长处辐射增强1.5倍,半峰全宽值由23 nm变窄为10.5nm,获得了很好的光谱纯度.利用最优DDBR结构制成了高性能共振腔发光二极管器件,与普通结构相比,实现了低开启电压1.78 V;在20 mA注入电流下,轴向光强提高了20%,光功率和光效分别提高了27.7%和26.8%,光功率衰减缓慢;在O-100 mA注入电流下,没有明显的下降趋势,表现出了良好的温度稳定性.
- 汤益丹沈光地郭霞关宝璐蒋文静韩金茹
- 关键词：发光二极管共振腔
- 高性能正装AlGaInP红光LED的制备
- 介绍了常规 AlGaInP 红光 LED 的研制和产业化过程中所遇到的问题,以及国内外提出的主要解决途径。提出了独特的解决方案:外延生长与芯片技术相结合,制备了特殊的电流输运增透窗口层,同时解决了红光 LED 存在的2个...
- 陈依新沈光地蒋文静李建军高伟韩金茹
- 文献传递
- 表面织构对红光LED发光的影响被引量：1
- 2008年
- 运用蒙特卡罗法模拟二维红光LED表面织构对LED光提取效率的影响.模拟了不同形状的表面织构对应的光强变化率.选取刻蚀深度为4μm、腐蚀宽度为2μm、倾角为40°、周期为2μm的表面图形对LED进行粗化实验.结果显示,引入表面织构后光强比常规LED提高了20.56%;并对模拟结果与实验结果进行了分析,结果表明引入表面织构可以有效地提高LED的光提取效率.
- 宋小伟李建军韩军邓军陈依新孙昊蒋文静沈光地
- 关键词：表面织构蒙特卡罗发光二极管
- 高性能LED外延与芯片的关键技术研究和大规模产业化
- 沈光地陈依新崔碧峰郭伟玲徐晨郭霞李建军韩军邓军朱彦旭邢艳辉邹德恕韩金茹蒋文静高伟董欣孙泽长关宝璐刘莹高新焕
- 具有自主知识产权的新型电流输运增透窗口层结构的高性能正装红光LED，其性能为：主波长620-624nm，光强达到150-200mcd，光功率为2.6-3.3mW，封装后的光强为7-9cd，光功率为5.0-7.0mW，技术...
- 关键词：
- 关键词：发光二极管
- 电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底结构的发光二极管
- 电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底结构的发光二极管，属于半导体光电子技术领域。包括上电极(100)、由导电增透出光层(130)、电流阻挡层(110)和电流扩展层(201)构成的电流输运增透窗口层(111)、上限制层(...
- 沈光地陈依新李建军蒋文静韩金茹
- 文献传递
- 提高发光二极管出光效率的新方法被引量：6
- 2009年
- 利用高分子共混物的微相分离和自组装原理,制备出具有纳米微孔的PMMA薄膜,以此为掩膜对发光二极管(LED)表面进行湿法腐蚀,得到表面微结构,并研究了腐蚀时间对表面形貌的影响。测试结果表明,当微孔直径在500nm左右、腐蚀深度约140nm时,所得到的表面微结构能使LED在20mA的注入电流下光功率平均提高18%。
- 邓琛徐晨徐丽华邹德恕蒋文静戴天明李晓波沈光地
- 关键词：自组装发光二极管(LED)出光效率
- 高分子自组装掩膜的制备被引量：1
- 2010年
- 利用高分子共混物的微相分离和自组装原理,采用溶液共混和旋转涂膜的方法制得聚苯乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯(PS/PMMA)高分子共混物薄膜,对薄膜经过再加工得到具有纳米微孔的PMMA薄膜,研究了对溶液进行超声处理的时间、PS/PMMA共混物溶液浓度、旋涂转速和试片表面对掩膜形貌的影响。以此PMMA薄膜为掩膜对GaP表面进行湿法腐蚀,得到一种蜂窝状的表面微结构,它能使发光二极管(LED)的光功率平均提高18%。
- 邓琛徐晨徐丽华邹德恕蒋文静戴天明李晓波沈光地
- 关键词：高分子自组装微结构发光二极管
- ICP刻蚀GaP表面形貌控制(英文)被引量：1
- 2010年
- 不同角度的GaP表面形貌刻蚀主要依赖于刻蚀参数的调节以及光刻胶的形貌,但要得到能够重复的光刻胶形貌是很困难的.研究了如何通过调节感应耦合等离子(ICP)刻蚀仪器本身的参数,而不依赖于不定的光刻胶形貌来得到可重复的表面形貌.通过研究可知,射频功率与腔室压强是影响表面形貌的最重要的两个参数.射频功率越小刻蚀得到的角度越大,腔室压强越大刻蚀得到的角度也越大.通常BCl3等离子体被用来作为GaP的刻蚀气体,但为了维持所需的等离子浓度以及更大的操作压强,Ar被加入刻蚀气体中.
- 蒋文静徐晨邓琛高伟沈光地
- 关键词：等离子体
