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陈依新

作品数:21 被引量:31H指数:4
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划北京市教委资助项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 7篇专利
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 14篇电子电信

主题

  • 15篇发光
  • 14篇二极管
  • 14篇发光二极管
  • 9篇半导体
  • 8篇电流扩展
  • 8篇增透
  • 5篇光效
  • 5篇半导体发光二...
  • 4篇光效率
  • 4篇ALGAIN...
  • 3篇增透膜
  • 3篇亮度
  • 3篇介质膜
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇光强
  • 3篇光提取效率
  • 3篇光学厚度
  • 3篇发射波长
  • 3篇高亮

机构

  • 21篇北京工业大学
  • 1篇山东建筑大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 21篇陈依新
  • 20篇沈光地
  • 8篇李建军
  • 7篇韩金茹
  • 6篇徐晨
  • 6篇蒋文静
  • 6篇朱彦旭
  • 5篇崔碧峰
  • 5篇邹德恕
  • 5篇韩军
  • 5篇郭伟玲
  • 4篇刘莹
  • 4篇达小丽
  • 4篇邓军
  • 3篇黄红娟
  • 2篇郭霞
  • 2篇于海鹰
  • 2篇马莉
  • 2篇关宝璐
  • 2篇高伟

传媒

  • 5篇物理学报
  • 2篇Journa...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 5篇2008
  • 7篇2007
  • 1篇2006
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
新型AlGaInP系发光二极管饱和特性与寿命的研究被引量:2
2014年
针对AlGaInP系发光二极管(LED)电极阻挡出光、衬底吸收、全反射角小导致器件出光效率低、热积累大、饱和特性差等问题,提出了一种具有复合电流输运增透窗口层、复合DBR反射镜和电流阻挡层结构的新型LED,并测试了其饱和特性和寿命.电流分布模拟显示:新型LED电极下仅存在极小的无效电流;实验结果表明新型LED出光效率高,饱和电流大,饱和电流时光强约为常规LED的3倍,光电性能明显提升.器件饱和特性和老化实验研究显示:新型LED寿命长达17.8×104h,器件内部发热量低,具有高饱和特性和高可靠性,适合在大电流大功率下工作.
马莉沈光地陈依新蒋文静郭伟玲徐晨高志远
电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底的发光二极管
电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底的发光二极管,属于半导体光电子技术领域。包括上电极(100)、由导电增透出光层(130)、电流阻挡层(110)和电流扩展层(201)构成的电流输运增透窗口层(111)、上限制层(30...
沈光地陈依新李建军蒋文静韩金茹
文献传递
高性能正装AlGaInP红光LED的制备
介绍了常规 AlGaInP 红光 LED 的研制和产业化过程中所遇到的问题,以及国内外提出的主要解决途径。提出了独特的解决方案:外延生长与芯片技术相结合,制备了特殊的电流输运增透窗口层,同时解决了红光 LED 存在的2个...
陈依新沈光地蒋文静李建军高伟韩金茹
文献传递
AlGaInP大功率发光二极管发光效率与结温的关系被引量:7
2011年
目前,AlGaInP大功率发光二极管(LED)存在的主要问题是大电流工作时发热严重,主要是由于电流扩展不均匀、出光面电极对光子的阻挡和吸收以及器件材料与空气折射率之间的差距引起的全反射现象,这些因素造成大功率LED出光受到限制、发光效率低、亮度不高.提出了一种复合电流扩展层和复合分布式布拉格反射层(DBR)的新型结构LED,使得注入电流在有源区充分地扩散,同时提高了常规单DBR对光子的反射率.结果显示,这种新型结构LED比常规结构LED的性能得到了很大的提升,350mA注入电流下两者的输出光功率分别为49.48和17mW(未封装).同时,对器件发热进行了量化测试,分析了LED发光效率与结温的关系,在350mA注入电流下新型结构LED与常规结构LED的流明效率的比值与结温升的比值保持一致,通过减少内部发热,控制结温可以大大提高LED的发光效率.
陈依新沈光地高志远郭伟玲张光沉韩军朱彦旭
关键词:出光效率结温
AlGaInP系LED的表面纳米级粗化以及光提取效率提高被引量:6
2011年
分析了常规AlGaInP系发光二极管(LED)光提取效率低的主要原因,半导体的折射率与空气折射率相差很大,导致全反射使有源区产生的光子绝大部分不能通过出光面发射到体外。通过在LED出光层采用纳米压印技术引入表面纳米结构,以改变光子的传播路径,从而使得更多的光子能够发射到体外。理论分析与实验结果表明,与常规平面结构相比,纳米结构的引入,器件发光强度平均增加了1倍以上。
陈依新沈光地孟丽丽马莉李春伟
关键词:纳米压印光提取效率
半导体发光二极管发光效率的研究及新型器件的制备
半导体发光二极管(LED,Lighting Emitting Diode)作为一种发光器件,它是利用半导体芯片作为发光材料,在半导体中通过载流子发生复合产生光子发射,具有效率高、能耗小、寿命长、绿色环保等特点,被称为第三...
陈依新
关键词:半导体发光二极管发光效率发光机理
高提取效率的半导体发光二极管结构及其制备方法
高提取效率的半导体发光二极管结构及其制备方法属于光电子器件制造技术领域,适合于多种波长的半导体LED。现有LED虽然内量子效率高,但是外量子效率很低,只有很少的一部分光子能够从LED出射。本发明提出在LED外延片上生长I...
沈光地达小丽朱彦旭徐晨陈依新黄红娟
文献传递
新型高性能发光二极管材料与器件
沈光地陈依新徐晨郭霞李建军韩军邓军崔碧峰廉鹏郭伟玲刘莹朱彦旭关宝璐刑艳辉邹德恕
该成果属于国家重点支持的八大高新技术领域中的电子信息领域,同时也属于国务院最近提出的七大战略性新兴产业之一的电子信息产业。高性能LED在显示屏、交通信号灯、汽车尾灯、手机、特种照明等领域取得了广泛应用,LED照明技术的发...
关键词:
关键词:半导体发光器件生产工艺
表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究被引量:4
2010年
近年来,GaN基光子晶体发光二极管(light emitting diode,LED)的研究已经取得了一定的进展,利用光子晶体的光子带隙效应和光栅衍射原理,在LED上制作光子晶体结构将会提高出光效率.本文为了提高AlGaInP系LED的光提取效率,分析了常规LED光提取效率受到限制的原因,将光子晶体结构引入了AlGaInP系LED的器件结构设计,通过理论分析与实验验证,结果显示:光子晶体结构对于提高AlGaInP系LED的光提取效率同样起到了明显的效果,引入光子晶体后,LED的输出光强比常规结构LED平均提高了16%.
陈依新郑婉华陈微陈良惠汤益丹沈光地
关键词:光子晶体光提取效率光强
一种与光纤高效耦合的新型大光腔大功率半导体激光器被引量:3
2007年
提出并实现了一种新型多有源区隧道级联大光腔半导体激光器,提高了激光器激射窗口的宽度,得到低于20°的垂直发散角,从而提高了光纤输出的耦合效率.对多种形式和规格的透镜光纤的测试结果表明,耦合效率可以提高30%以上.
于海鹰崔碧峰陈依新邹德恕刘莹沈光地
关键词:半导体激光器大光腔光纤耦合透镜光纤
共3页<123>
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