您的位置: 专家智库 > >

韩金茹

作品数:21 被引量:20H指数:2
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 11篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 11篇二极管
  • 11篇发光
  • 9篇发光二极管
  • 7篇半导体
  • 6篇增透
  • 6篇激光
  • 5篇半导体激光
  • 4篇电流扩展
  • 4篇激光器
  • 3篇光腔
  • 3篇光效
  • 3篇发散角
  • 3篇半导体激光器
  • 3篇高性能
  • 2篇电流增益
  • 2篇电阻
  • 2篇形变
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结双极型...
  • 2篇元件

机构

  • 21篇北京工业大学

作者

  • 21篇韩金茹
  • 21篇沈光地
  • 14篇邹德恕
  • 10篇高国
  • 10篇杜金玉
  • 8篇刘莹
  • 8篇李建军
  • 8篇陈建新
  • 7篇徐晨
  • 7篇陈依新
  • 7篇董欣
  • 6篇廉鹏
  • 6篇孙泽长
  • 5篇蒋文静
  • 4篇崔碧峰
  • 4篇王东凤
  • 3篇郭霞
  • 3篇郭伟玲
  • 2篇周静
  • 2篇朱彦旭

传媒

  • 3篇物理学报
  • 2篇光电子.激光
  • 1篇北京工业大学...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 3篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 3篇1999
  • 1篇1996
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底的发光二极管
电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底的发光二极管,属于半导体光电子技术领域。包括上电极(100)、由导电增透出光层(130)、电流阻挡层(110)和电流扩展层(201)构成的电流输运增透窗口层(111)、上限制层(30...
沈光地陈依新李建军蒋文静韩金茹
文献传递
带介质分布式Bragg反射镜结构高性能共振腔发光二极管的研究被引量:1
2012年
采用等离子体增强化学气相沉积高低频交替生长法生长了SiO_2/Si_3N_4透明介质分布式:Bragg反射镜(DDBR),提出了对DDBR采用干、湿法并用的腐蚀方法.采用传输矩阵法理论分析了DDBR,得出了为满足出光增益要求的反射率和DDBR结构.使用光致发光(PL)谱仪测量分析了DDBR反射谱和光致发光谱,获得了使光致发光谱辐射增强的DDBR结构,在整个光致发光谱380-780 nm波段,整体辐射增强1.058倍,在谐振波长处辐射增强1.5倍,半峰全宽值由23 nm变窄为10.5nm,获得了很好的光谱纯度.利用最优DDBR结构制成了高性能共振腔发光二极管器件,与普通结构相比,实现了低开启电压1.78 V;在20 mA注入电流下,轴向光强提高了20%,光功率和光效分别提高了27.7%和26.8%,光功率衰减缓慢;在O-100 mA注入电流下,没有明显的下降趋势,表现出了良好的温度稳定性.
汤益丹沈光地郭霞关宝璐蒋文静韩金茹
关键词:发光二极管共振腔
隧道带间耦合级联新型激光器扩展电流的优化被引量:2
2001年
隧道带间耦合级联激光器采用 C掺杂生长隧道结 ,由于高浓度 C掺杂层在激光器多个有源区之间分布形成了高电导层 ,增加了注入电流的横向扩展 ,使激光器的性能不能充分发挥出来。我们利用双面电极新型结构可以很好地克服横向电流扩展 ,使级联的激光器保证充分的光输出功率。具体是在常规激光器背面衬底做完全与正面电极相同而对中的电极。当加入电场后 ,使电场完全集中在这两个相对中的电极之间 ,使激光器注入的电流从正面电极完全不扩展地流入到背面衬底电极 ,保证每个有源区都注入相同的电流而保证每个有源区充分的光输出。对 4个有源区级联的激光器光输出功率较常规电极提高 70 %以上 ,输出光功率从 1.6 W提高到 2 .4W,斜率效率提高 70
邹德恕崔碧峰李建军廉鹏徐晨韩金茹刘莹杜金玉张丽高国沈光地
关键词:碳掺杂隧道结构
电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底结构的发光二极管
电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底结构的发光二极管,属于半导体光电子技术领域。包括上电极(100)、由导电增透出光层(130)、电流阻挡层(110)和电流扩展层(201)构成的电流输运增透窗口层(111)、上限制层(...
沈光地陈依新李建军蒋文静韩金茹
文献传递
高性能LED外延与芯片的关键技术研究和大规模产业化
沈光地陈依新崔碧峰郭伟玲徐晨郭霞李建军韩军邓军朱彦旭邢艳辉邹德恕韩金茹蒋文静高伟董欣孙泽长关宝璐刘莹高新焕
具有自主知识产权的新型电流输运增透窗口层结构的高性能正装红光LED,其性能为:主波长620-624nm,光强达到150-200mcd,光功率为2.6-3.3mW,封装后的光强为7-9cd,光功率为5.0-7.0mW,技术...
关键词:
关键词:发光二极管
SiGe/Si HBT的直流特性分析被引量:1
1996年
应用"掺杂工程"和"带隙工程"各自的特点,设计了一种独特的基区双向高速输运的SiGe/Si HBT层结构,并利用此结构在3μm工艺线上做出了性能良好的SiGe/Si HBT。其主要直流参数为:室温共发射极最大电流增益βmax(300K)可达300,低温βmax(77K)可达8000,厄利电压300V,漏电流在nA量级,均为国际先进水平。同时,给出了SiGe/SiHBT的室温(大注入,小注入),低温(大注入,小注入)的输出特性曲线,进行了对比分析,详细讨论了影响室温β,低温β及其它直流参数的主要因素。
张时明邹德恕陈建新高国杜金玉韩金茹董欣袁颍王东凤沈光地倪卫新汉森
关键词:硅锗合金直流特性
红外探测器
一种红外探测器包括有硅基衬底、充有特殊气体的密闭腔、覆盖于密闭腔上的透红外窗口薄膜及形变薄膜、及测量元件等。它利用特殊气体对某一波段红外线的较强吸收性,当该气体吸收该波段红外辐射后受热膨胀产生的压力作用于覆盖膜上时,覆盖...
沈光地邹德恕董欣高国陈建新杜金玉孙泽长韩金茹刘莹
文献传递
异质结双极型晶体管
一种量子阱基区异质结双极型晶体管,属于高速微电子技术领域,其特征是,沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层,使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运,从而大大提高多数载流子的横向迁移率,并同时形成对少数载流子的纵向...
沈光地邹德恕陈建新杜金玉吴德馨高国徐晨韩金茹董欣罗辑魏欢周静孙泽长袁颖赵立新
文献传递
异质结双极型晶体管
一种量子阱基区异质结双极型晶体管,属于高速微电子技术领域,其特征是,沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层,使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运,从而大大提高多数载流子的横向迁移率,并同时形成对少数载流子的纵向...
沈光地邹德恕陈建新杜金玉吴德馨高国徐晨韩金茹董欣罗辑魏欢周静孙泽长袁颖赵立新
文献传递
高效大功率大光腔半导体激光器
一种高效大功率大光腔半导体激光器,属于半导体光电子技术领域,其特征是,采用了由多个重复排列的单元发光区及位于每相邻两单元发光区之间的P<Sup>+</Sup>-N<Sup>+</Sup>隧道二极管所构成的多级耦合整体大光...
沈光地殷涛廉鹏陈建新邹德恕高国陈良惠王启明杜金玉韩金茹陈昌华
文献传递
共3页<123>
聚类工具0