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王亮亮

作品数:17 被引量:0H指数:0
供职机构:北京大学更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>

文献类型

  • 15篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 11篇晶体管
  • 6篇氧化锌薄膜
  • 6篇薄膜晶体
  • 6篇薄膜晶体管
  • 5篇电路
  • 5篇沟道
  • 4篇半导体
  • 3篇电阻
  • 3篇掩膜
  • 3篇掩膜版
  • 3篇驱动电路
  • 3篇自对准
  • 3篇微电子
  • 3篇像素驱动电路
  • 3篇介质层
  • 2篇低电阻
  • 2篇电极
  • 2篇电解质
  • 2篇氧化物
  • 2篇氧化物半导体

机构

  • 17篇北京大学

作者

  • 17篇王亮亮
  • 13篇王漪
  • 13篇韩德栋
  • 13篇蔡剑
  • 13篇康晋锋
  • 13篇张盛东
  • 10篇王薇
  • 9篇任奕成
  • 2篇张星
  • 2篇李久强
  • 2篇孙雷
  • 2篇刘力锋
  • 2篇翟茂林
  • 2篇彭静
  • 1篇张索明
  • 1篇刘盖
  • 1篇田宇
  • 1篇马建忠
  • 1篇张翼
  • 1篇黄福青

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 7篇2012
  • 1篇2005
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法,属于半导体行业、平板显示领域。本发明在顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备过程中,将沟道区、栅介质层和栅电极层一起剥离,工艺步骤简单,且沟道层、栅绝缘介质层和栅电极层这三层是在真空条...
韩德栋蔡剑王薇王亮亮王漪张盛东任奕成刘晓彦康晋锋
文献传递
基于冗余度和多基因分析的后过滤信息基因选取方法
在基因表达谱数据分析和肿瘤诊断中,信息基因的选取是很重要的问题。本文基于冗余度和多基因分析提出了一种后过滤信息基因选取算法,即用于选取能够区分正常样本和癌变样本(或者两类肿瘤)的信息或特性基因。该信息基因选取算法利用相关...
王亮亮
关键词:基因表达谱冗余度信息基因多基因支持向量机数据分析
一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法。本发明的方法仅需要3块掩膜版,利用三次光刻制备出氧化锌薄膜晶体管;采用自对准方法将沟道区外的栅介质层和栅电极的这两层光刻胶一起剥离,然后对暴露出的沟道区两端的半导体层...
王漪蔡剑王薇韩德栋王亮亮任奕成张盛东刘晓彦康晋锋
一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法。本发明的制备方法采用底栅结构,首先生长光刻刻蚀出栅电极,然后连续生长栅介质层及有源区层,再光刻刻蚀出有源区,以栅电极为掩膜,配合源电极和漏电极的掩膜版,背部曝光即可实...
王漪王亮亮韩德栋蔡剑王薇耿友峰任奕成张盛东刘晓彦康晋锋
文献传递
一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法,属于半导体行业、平板显示领域。本发明在顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备过程中,将沟道区、栅介质层和栅电极层一起剥离,工艺步骤简单,且沟道层、栅绝缘介质层和栅电极层这三层是在真空条...
韩德栋蔡剑王薇王亮亮王漪张盛东任奕成刘晓彦康晋锋
一种像素驱动电路及其驱动方法
本发明公开了一种像素驱动电路及其驱动方法。本发明的像素驱动电路包括:第一晶体管至第四晶体管、存储电容、有机发光二级管OLED、旁路电路、数据线、第N-1扫描线和第N扫描线。本发明采用存储电容的第二端接第一晶体管的源极,以...
韩德栋蔡剑王龙彦刘盖王亮亮马建忠丛瑛瑛张翼田宇张索明单东方黄福青王漪张盛东刘晓彦康晋锋
同异步双栅TFT-OLED像素驱动电路及其驱动方法
本发明公开了一种同异步双栅TFT-OLED像素驱动电路及其驱动方法。本发明的像素驱动电路包括:第一晶体管、第二晶体管、存储电容和发光二极管;其中,第一晶体管为同步双栅薄膜晶体管,第二晶体管为异步双栅薄膜晶体管。本发明的像...
王漪王亮亮韩德栋蔡剑王薇耿友峰张盛东刘晓彦康晋锋
文献传递
一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法,属于半导体集成电路及其制造技术领域。本发明采用射频磁控溅射方法形成两层AlZnO薄膜材料作为有源区,且该两层AlZnO薄膜的氧离子含量不同。本发明氧化物半导体薄膜晶体管...
韩德栋王漪蔡剑王亮亮任奕成张盛东孙雷刘晓彦康晋锋
文献传递
一种3D氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种3D氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法。本发明的薄膜晶体管采用下层有源区、下层栅介质、栅电极的连续生长,以及上层栅介质、上层有源区的连续生长,能够极大减少有源层与栅介质的界面缺陷态,因而能极大地提高薄膜晶...
王漪蔡剑韩德栋王亮亮任奕成张盛东孙雷刘晓彦康晋锋
文献传递
一种薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法。本发明在玻璃或者塑料的衬底上制备薄膜晶体管,采用掺铝的氧化锌半导体材料作为透明半导体导电的沟道层,在制备过程中采用独特工艺加入适量的氧气使掺铝的氧化锌呈现出半导体特性,并且显示出高...
韩德栋蔡剑刘力锋王薇王亮亮耿友峰王漪张盛东刘晓彦康晋锋
文献传递
共2页<12>
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