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韩德栋

作品数：104 被引量：54H指数：4
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 82篇专利
  • 16篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 31篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 49篇晶体管
  • 32篇半导体
  • 22篇薄膜晶体
  • 22篇薄膜晶体管
  • 17篇沟道
  • 13篇存储器
  • 12篇电路
  • 11篇氧化物
  • 11篇氧化锌薄膜
  • 11篇平板显示
  • 10篇迁移
  • 9篇氧化物半导体
  • 9篇栅介质
  • 9篇迁移率
  • 9篇场效应
  • 9篇场效应晶体管
  • 8篇电极
  • 8篇载流子
  • 8篇微电子
  • 7篇导体

机构

  • 98篇北京大学
  • 6篇中国科学院
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 104篇韩德栋
  • 75篇王漪
  • 65篇康晋锋
  • 42篇刘力锋
  • 40篇张盛东
  • 28篇张兴
  • 17篇陈冰
  • 15篇韩汝琦
  • 14篇高滨
  • 13篇王亮亮
  • 13篇任奕成
  • 13篇蔡剑
  • 10篇王薇
  • 10篇赵飞龙
  • 9篇李悦
  • 9篇孙雷
  • 9篇于迪
  • 9篇郁文
  • 7篇王逸然
  • 7篇张翼

传媒

  • 8篇Journa...
  • 4篇固体电子学研...
  • 1篇物理学报
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇微电子学
  • 1篇微纳电子与智...
  • 1篇2008中国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 5篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 11篇2016
  • 12篇2015
  • 14篇2014
  • 9篇2013
  • 15篇2012
  • 5篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2008
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 3篇2004
  • 3篇2003
共 104 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
1T1R和1R阻变存储器集成结构及其实现方法
本发明公开了1T1R和1R阻变存储器集成结构及其实现方法，通过在原有的衬底晶体管的漏极和源极同时分别制作具有MIM结构的阻变存储器结构，最后分别在衬底晶体管的漏极和源极的上方依次形成第一层金属前介质、第一层栓塞、第一层金...
刘力锋张伟兵李悦韩德栋王漪刘晓彦康晋锋张兴
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氢退火对氧化锌薄膜晶体管性能的影响
本文报道了利用射频磁控溅射方法存室温下制备了氧化锌薄膜晶体管的实验结果.x光衍射谱(XRD)表明所制备的氧化锌薄膜有很好的c轴择优取向.对氧化锌薄膜晶体管的转移特性及输出特性等电学特性进行了测试分析.结果表明,氢气氛退火...
韩德栋王漪韩汝琦康晋锋刘晓彦孙雷杜刚刘力锋张盛东
关键词：氧化锌薄膜晶体管
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高性能钆铝锌氧薄膜晶体管的制备被引量：3
2017年
本文研究并制备了钆铝锌氧薄膜和以钆铝锌氧为有源层的薄膜晶体管。钆铝锌氧薄膜材料的光致发光光谱和透过率说明钆铝锌氧薄膜在透明显示方向的应用潜力。透射电子显微镜揭示了钆铝锌氧薄膜的非晶态微观结构。钆铝锌氧薄膜晶体管显示了良好的转移特性和输出特性。器件开关比大于10~5、饱和迁移率约为10cm^2·V^(-1)·s^(-1)。实验结果表明,钆铝锌氧薄膜可用作氧化物薄膜晶体管的有源层材料;钆铝锌氧薄膜晶体管可作为像素电路的驱动器件。
董俊辰郁文李慧津韩德栋张盛东张兴王漪
关键词：薄膜晶体管有源层
一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法
本发明提供了一种制备氧化锌薄膜晶体管的方法，属于半导体技术平板显示领域。该方法核心在于制备氧化锌沟道层后进行退火，退火工艺具体为：放入真空腔中，对真空腔进行抽真空，真空度在3×10<Sup>-3</Sup>Pa至4×10...
孙雷李咏奇张盛东韩德栋王漪
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一种场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法，属于微电子器件领域。该场效应晶体管包括衬底、栅电极、金属‑绝缘层电介质、有源层和源/漏电极，栅电极位于衬底之上，金属‑绝缘层电介质位于栅电极之上，有源层位于金属‑绝缘层电介质之上...
董俊辰李琪韩德栋王漪张兴
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忆阻器件及其制备方法
本发明公开了一种忆阻器件，包括衬底层，所述衬底层之上有多层隔离层，每两层隔离层之间包括一层忆阻单元，忆阻单元包括两层可动离子阻挡层和中间的平面电极层；还包括从最上层的隔离层刻蚀至最下层隔离层的顶电极刻蚀槽；所述顶电极刻蚀...
刘力锋后羿李悦于迪陈冰高滨韩德栋王漪康晋锋张兴
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一种多阻态忆阻器
本发明提供了一种多阻态忆阻器，包括:自下而上依次生成的底电极层、阻变层、顶电极层，其中底电极层和顶电极层用于与外部电源进行电连接，阻变层用于实现多阻态之间的转换；使多阻态忆阻器工作在单、双极两种操作方式下，不同阻值间的变...
刘力锋后羿陈冰李悦于迪高滨韩德栋王漪康晋锋张兴
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具有存储器功能的场效应晶体管及其三维集成方法
本发明公开了一种具有存储器功能的场效应晶体管及其三维集成方法，由上选择管和下选择管及中间的存储单元组成三维结构，且所有的晶体管均为竖直结构，与水平晶体管相比竖直晶体管的布局面积更小，从而可以提高RRAM的集成密度，进一步...
刘力锋张伟兵后羿高滨韩德栋王漪刘晓彦康晋锋
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一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。本发明采用射频磁控溅射方法形成两层AlZnO薄膜材料作为有源区，且该两层AlZnO薄膜的氧离子含量不同。本发明氧化物半导体薄膜晶体管...
韩德栋王漪蔡剑王亮亮任奕成张盛东孙雷刘晓彦康晋锋
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一种LDD/Offset结构薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种LDD/Offset结构薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路和平板显示及其相关制造技术领域。本发明核心是通过光刻胶和栅电极的斜坡结构以及一次额外的栅刻蚀，在晶体管沟道内形成自对准的LDD/Offse...
王漪丛瑛瑛周晓梁赵飞龙董俊辰韩德栋张盛东刘晓彦
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