2024年11月14日
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张盛东
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422
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H指数:4
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北京大学深圳研究生院
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廖聪维
北京大学深圳研究生院
王漪
北京大学深圳研究生院
韩汝琦
北京大学信息科学技术学院微电子...
冷传利
北京大学深圳研究生院
王翠翠
北京大学深圳研究生院
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2008
11篇
2007
4篇
2006
7篇
2005
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一种移位寄存器单元和栅极驱动电路及其显示器
本申请公开了一种移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示器,其中移位寄存器单元包括:第一时钟信号输入端、第一脉冲信号输入端、信号输出端、低电平端、工作模块和维持模块。其中,维持模块包括低电平维持单元和双极性脉冲产生单元,通过电...
张盛东
胡治晋
廖聪维
李文杰
李君梅
文献传递
一种薄膜晶体管及其制作方法、图像显示装置
本发明公开了一种薄膜晶体管,包括设置在衬底上的栅电极、沟道层、源区和漏区,所述沟道层形成于所述栅电极的上方,所述沟道层在沟道长度方向上的尺寸小于栅电极同方向的长度并处于所述栅电极长度的覆盖范围之内,所述源区和漏区形成于所...
张盛东
李绍娟
王漪
孙雷
文献传递
一种显示装置及其像素电路
一种显示装置及其像素电路,像素电路通过源级跟随的形式产生驱动管的阈值电压信息,通过第一电容和第二电容的分压在第一电容两端产生驱动管的阈值电压和灰度信息有关的基准电压,发光过程中,该基准电压保持不变,使得流过发光器件的驱动...
张盛东
王翠翠
冷传利
一种像素矩阵的外围补偿系统及其方法、显示系统
本申请公开了一种像素矩阵的外围补偿系统及其方法、显示系统。所示外围补偿系统包括栅极扫描驱动模块200、列数据驱动模块300和补偿模块400,其中补偿模块400通过M列反馈信号线分别与M列像素单元101相连,用于检测像素矩...
张盛东
王翠翠
林兴武
一种薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法。本发明在玻璃或者塑料的衬底上制备薄膜晶体管,采用掺铝的氧化锌半导体材料作为透明半导体导电的沟道层,在制备过程中采用独特工艺加入适量的氧气使掺铝的氧化锌呈现出半导体特性,并且显示出高...
韩德栋
蔡剑
刘力锋
王薇
王亮亮
耿友峰
王漪
张盛东
刘晓彦
康晋锋
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直流和交流溅射沟道材料对铟镓锌氧薄膜晶体管性能的影响
本文研究了在TFT制备过程中,直流溅射和交流溅射生长铟镓锌氧薄膜对器件的转移特性和栅偏压应力特性的影响.交流溅射生长的IGZO制备的器件具有较低的阈值电压和较好的亚阈特性,分别为0.937V和0.34V/dec;而直流溅...
邓伟
肖祥
贺鑫
张盛东
文献传递
一种栅极驱动电路及显示装置
本发明公开了一种栅极驱动电路单元,包括:栅极扫描信号产生电路,具有用于输出H级栅极扫描信号的栅极扫描线,其中,同一帧内的后一级栅极扫描信号比前一级栅极扫描信号滞后一个相位,H为根据每帧需要的扫描行数确定的正整数;低电平维...
张盛东
廖聪维
陈韬
刘晓明
戴文君
钟德镇
简庭宪
文献传递
背栅MOS晶体管及其制作方法和静态随机存储器
本发明提供一种背栅MOS晶体管结构,包括栅电极、侧墙介质层、栅介质层、源重掺杂区和源轻掺杂区构成的源区、漏重掺杂区和漏轻掺杂区构成的漏区、沟道区,其源或漏区和沟道区掺杂与栅电极相互自对准;源或漏区的重掺杂区与沟道区之间存...
张盛东
陈文新
黄如
刘晓彦
张兴
韩汝琦
王阳元
文献传递
一种背沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制备方法
本发明涉及一种背沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制备方法,其特征在于:采用本发明的制备方法制备的背沟道刻蚀型薄膜晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、有源区、源区、漏区、钝化层、源区接触电极和漏区接触电极;栅电极设置在衬底上,栅介质...
张盛东
肖祥
邵阳
邓伟
王国英
宋振
贺鑫
一种可适应负阈值电压的移位寄存器及其单元
本申请公开了一种可适应负阈值电压的移位寄存器及其单元。所述移位寄存器包括若干级级联的移位寄存器单元,所述移位寄存器单元包括:充电模块,驱动模块,放电模块,以及低电平维持模块。本申请公开的移位寄存器及其单元,通过抑制移位寄...
张盛东
胡治晋
廖聪维
李君梅
李文杰
曹世杰
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