任永玲
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 全离子注入NPN型偶载场效应晶体管的离子注入工艺研究
- 2003年
- 通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计 ,初步构造出离子注入的分布图像 ,通过与实验结果比较 ,进一步完善模型 .选用高斯与半高斯混合模型 ,得到了与实验结果更吻合的模拟方案 .从而找到了研制NPN型偶载场效应晶体管 (VDCFET)离子注入的最佳条件 ,并研制了性能良好的VDCFET .
- 于理科郭慧民任永玲李国辉姬成周
- 关键词：离子注入工艺高斯模型混合模型
- GaAs上Ge薄膜的性能研究
- 2001年
- 用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀 80 0nmGe ,Ge薄膜在 50 0℃以上退火有再结晶过程 ,退火后由非晶变成多晶 .在Ge和GaAs界面处有互扩散 ,电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度 p型 ,可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致 .
- 杨茹任永玲李国辉阎凤章朱红清
- 关键词：再结晶光纤通信光电材料
- 新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管的设计及特性
- 2003年
- 研制了一种新模式的半导体场效应晶体管——垂直沟道的偶载场效应晶体管(VDCFET) ,这种结构可以避免现有光刻技术的制约 ,使用常规的半导体双极晶体管工艺 ,既可把有效沟道长度减短 ,大大提高器件的速度 ,又可将电源电压降低到小于 1 V,大幅度降低功耗 ,改进其电学性能 .本器件可应用于高频电路、D触发器、环振电路及反相器等重要电路 .从纵向和横向报道了器件的设计思想 ,并给出了器件特性的测量结果 .
- 任永玲于理科李国辉姬成周
- 关键词：系统级芯片
- 新型垂直沟道NPN型偶载场效应晶体管的设计与研制
- 该论文的主要内容是研制一种新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管(VDCFET)及其片上系统(SOC),报道了器件的设计思想和特性.该论文首先从集成电路发展的角度介绍了研究垂直沟道的偶载场效应晶体管(VDCFET)的目的...
- 任永玲
- 关键词：集成电路系统级芯片
- 文献传递
- 全离子注入薄基区硅晶体管的研究
- 2005年
- 针对数字电路的开发和应用,设计了一种薄基区晶体管,其横向结构采用单侧基极引出.采用全离子注入,实现了基区宽度为80～100 nm的npn纵向结构.基极用电压输入,Vbe在1.2 V附近时,跨导峰值gmac(△Ic/△Vbe)=0.4 mS,βac(△Ic/△Ib)=2.5.当Vbe从0.5 V变到1.2 V时,gmac/gm比βac/β大得多.跨导比电流增益更能准确地描述器件特性.这种器件更倾向于电压控制型器件,用输入电压的变化可以很方便地控制器件开关状态的转换,特别适合于数字电路的开发和应用.采用研制的器件连接了双稳态电路,在电压脉冲的控制下实现了双稳态的翻转.
- 杨茹李国辉姬成周田晓娜韩德俊于理科任永玲马本堃
- 关键词：全离子注入硅晶体管
