郭慧民
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：北京师范大学核科学与技术学院低能核物理研究所更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金高等学校骨干教师资助计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- β粒子验证相对论动量-能量关系实验中的一些问题被引量：4
- 2002年
- 讨论了β粒子验证相对论动量能量关系实验中实验曲线比理论曲线偏低的原因，并对测β粒子能谱时低能部分本底和干扰计数的来源及扣除方法做了论述.修正之后，得到了较好的实验结果.
- 郭慧民周会
- 关键词：本底Β粒子相对论近代物理实验能量损失
- 一种新型PNP晶体管的数值分析被引量：1
- 2003年
- 从基本半导体方程出发 ,用数值模拟方法得到了一种新型晶体管内部的电场分布 ,载流子浓度分布和输出特性 .晶体管的有效基区宽度约为 50nm .证明了这种晶体管有效基区中的电场是载流子输运的主要机制 ,它的输出特性与MOS场效应管的输出特性相似 .这种晶体管有望用作数字电路中的高速器件 .
- 郭慧民周会姬成周
- 关键词：PNP晶体管数值模拟电场分布载流子浓度
- 全离子注入NPN型偶载场效应晶体管的离子注入工艺研究
- 2003年
- 通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计 ,初步构造出离子注入的分布图像 ,通过与实验结果比较 ,进一步完善模型 .选用高斯与半高斯混合模型 ,得到了与实验结果更吻合的模拟方案 .从而找到了研制NPN型偶载场效应晶体管 (VDCFET)离子注入的最佳条件 ,并研制了性能良好的VDCFET .
- 于理科郭慧民任永玲李国辉姬成周
- 关键词：离子注入工艺高斯模型混合模型
- VDCFET的数值分析
- 该文讨论的垂直偶载场效应管(VDCFET)是近几年提出的一种新型器件.该文从基本半导体方程出发,采用漂移扩散模型(DDM)描述载流子的输运,用Matlab语言作为编程工具,通过数值模拟方法对VDCFET做数值分析.采用有...
- 郭慧民
- 关键词：漂移扩散模型数值模拟
- 文献传递
- 单晶硅中离子注入及快速热退火后浓度分布模型
- 2003年
- 在考虑B ,P ,As离子注入单晶硅中的浓度分布模型的基础上 ,讨论了快速热退火对 3种注入离子浓度分布的影响 ,提出了 3种离子在快速热退火后浓度分布的修正模型 .由修正后的模型得到的多次离子注入模拟结果与实验结果符合很好 .
- 周会郭慧民田强
- 关键词：单晶硅离子注入快速热退火退火温度退火时间
