于理科
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管的设计及特性
- 2003年
- 研制了一种新模式的半导体场效应晶体管——垂直沟道的偶载场效应晶体管(VDCFET) ,这种结构可以避免现有光刻技术的制约 ,使用常规的半导体双极晶体管工艺 ,既可把有效沟道长度减短 ,大大提高器件的速度 ,又可将电源电压降低到小于 1 V,大幅度降低功耗 ,改进其电学性能 .本器件可应用于高频电路、D触发器、环振电路及反相器等重要电路 .从纵向和横向报道了器件的设计思想 ,并给出了器件特性的测量结果 .
- 任永玲于理科李国辉姬成周
- 关键词：系统级芯片
- NPN型偶载场效应晶体管离子注入设计和器件研制
- 该文就力图用全离子注入的方法去制造一种沟道长度仅有80nm(有效沟道长度50nm)的NPN型VDCFET.文章对离子注入的搭配、器件的制作工艺、电学特性的测量等相关问题进行了深入研究,主要分为以下几部分内容.1.VDCF...
- 于理科
- 关键词：离子注入快速退火扩展电阻
- 文献传递
- 全离子注入NPN型偶载场效应晶体管的离子注入工艺研究
- 2003年
- 通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计 ,初步构造出离子注入的分布图像 ,通过与实验结果比较 ,进一步完善模型 .选用高斯与半高斯混合模型 ,得到了与实验结果更吻合的模拟方案 .从而找到了研制NPN型偶载场效应晶体管 (VDCFET)离子注入的最佳条件 ,并研制了性能良好的VDCFET .
- 于理科郭慧民任永玲李国辉姬成周
- 关键词：离子注入工艺高斯模型混合模型
- 全离子注入锗光电晶体管的研制
- 2001年
- 采用锗材料研制出了工作在 1.55μm波长的全离子注入光电晶体管 .选用 (12 0 keV ,2 .5× 10 12 cm- 2 ) +(2 6 0keV ,5× 10 12 cm- 2 )的硼注入和 16 0keV ,5× 10 14 cm- 2 磷注入 ,6 50℃ 15s快速退火 ;采用聚酰亚胺作为钝化膜以及台面结构 .NPNGe光电三极管的hFE=4 0～ 180 .在波长为 1.55μm、功率为 0 .7μW的光照下得到了 4 0 A·W-
- 杜树成于理科姬成周李国辉
- 关键词：锗离子注入光电晶体管半导体材料锗晶体管
- 全离子注入薄基区硅晶体管的研究
- 2005年
- 针对数字电路的开发和应用,设计了一种薄基区晶体管,其横向结构采用单侧基极引出.采用全离子注入,实现了基区宽度为80～100 nm的npn纵向结构.基极用电压输入,Vbe在1.2 V附近时,跨导峰值gmac(△Ic/△Vbe)=0.4 mS,βac(△Ic/△Ib)=2.5.当Vbe从0.5 V变到1.2 V时,gmac/gm比βac/β大得多.跨导比电流增益更能准确地描述器件特性.这种器件更倾向于电压控制型器件,用输入电压的变化可以很方便地控制器件开关状态的转换,特别适合于数字电路的开发和应用.采用研制的器件连接了双稳态电路,在电压脉冲的控制下实现了双稳态的翻转.
- 杨茹李国辉姬成周田晓娜韩德俊于理科任永玲马本堃
- 关键词：全离子注入硅晶体管
