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刘登华

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

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地区

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共 9 条 记 录，以下是 1-9
邹昭伟
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：离子注入机 SOI 刻蚀 介质隔离 深槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯志成
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：封装方法 封装 共晶 功率VDMOS 单片集成
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐岚
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：SPC 统计过程控制 半导体工艺 可靠性 化学溶液
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘兴钊
供职机构：电子科技大学
研究主题：YBCO 高温超导 基片 筒式 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘玉奎
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：微电子机械系统 击穿电压 硅薄膜 MEMS 压力传感器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
印子华
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：阳极 半导体设备 激光图形发生器 绝缘子 离子注入机
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐绍根
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：质心 控制精度 盘旋 束流 超浅结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘道广
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE_HBT SIGE HBT VDMOS器件 自对准
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王保刚
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：阳极 绝缘子 离子注入机 离子源 等离子体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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