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冯志成

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇电阻
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇低导通电阻
  • 2篇电化学腐蚀
  • 2篇动部件
  • 2篇元胞
  • 2篇湿法
  • 2篇外延层
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子机械
  • 2篇微电子机械系...
  • 2篇微机电系统
  • 2篇谐振
  • 2篇谐振型
  • 2篇密封式
  • 2篇耐压
  • 2篇晶体管

机构

  • 8篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 8篇冯志成
  • 5篇张正元
  • 4篇刘玉奎
  • 4篇胡明雨
  • 2篇徐岚
  • 2篇刘建华
  • 2篇罗驰
  • 2篇刘登华
  • 1篇梅勇
  • 1篇李小刚
  • 1篇张正元
  • 1篇徐勇

传媒

  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种BCD工艺兼容技术研究
瞄准单片功率集成电路对BCD工艺的特殊需求,开展了BCD工艺兼容技术研究,解决了其关键技术问题,初步建立了 BCD工艺,制作出NPN管的BVCEO达到25V,β为50;VDMOS的BVDS达到35V,阈值电压为3V;PM...
张正元冯志成郑纯胡明雨
关键词：功率器件阈值电压
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硅片腐蚀单面保护夹具
本发明公开了一种硅片腐蚀单面保护夹具。该夹具包括有主体密封座、密封盖、内部加强板、气导管以及气导连接件等。通过其外部主体座密封式设计、内部加强板的结构设计和加装气体导出装置设计，使该夹具在湿法化学腐蚀和电化学腐蚀工艺中，...
刘登华徐岚冯志成
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硅片腐蚀单面保护夹具
本发明公开了一种硅片腐蚀单面保护夹具。该夹具包括有主体密封座、密封盖、内部加强板、气导管以及气导连接件等。通过其外部主体座密封式设计、内部加强板的结构设计和加装气体导出装置设计，使该夹具在湿法化学腐蚀和电化学腐蚀工艺中，...
刘登华徐岚冯志成
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谐振型压力传感器芯片的局部真空封装方法
本发明涉及一种谐振型压力传感器芯片的局部真空封装方法。该方法在所要局部真空封装区域围成一个厚度为10－20μm、环宽为100－200μm的钛钨/金环，同时进行深槽腐蚀及释放可动部件，利用金属在共晶烧结中的回流来调整表面的...
张正元刘玉奎罗驰胡明雨冯志成郑纯刘建华
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单片集成压力传感器的制造方法
本发明公开了一种单片集成压力传感器的制造方法。本发明方法克服了电阻式压力传感器与放大处理电路加工工艺兼容的问题，将电阻式压力传感器加工工艺与放大处理电路的加工工艺结合起来，利用专用的夹具保护了正面的集成电路和压敏电阻，同...
张正元梅勇冯志成李建根李小刚徐勇
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低导通电阻功率VDMOS晶体管的制造方法
本发明涉及一种低导通电阻功率VDMOS晶体管的制造方法。该方法是从降低两个VDMOS元胞之间正对漏端通道的导通电阻入手，在满足VDMOS管耐压的情况下，在N<Sup>+</Sup>硅片上的第一层N<Sup>－</Sup>...
张正元冯志成刘玉奎胡明雨郑纯
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低导通电阻功率VDMOS晶体管的制造方法
本发明涉及一种低导通电阻功率VDMOS晶体管的制造方法。该方法是从降低两个VDMOS元胞之间正对漏端通道的导通电阻入手，在满足VDMOS管耐压的情况下，在N<Sup>+</Sup>硅片上的第一层N<Sup>-</Sup>...
张正元冯志成刘玉奎胡明雨郑纯
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谐振型压力传感器芯片的局部真空封装方法
本发明涉及一种谐振型压力传感器芯片的局部真空封装方法。该方法在所要局部真空封装区域围成一个厚度为10-20μm、环宽为100-200μm的钛钨/金环，同时进行深槽腐蚀及释放可动部件，利用金属在共晶烧结中的回流来调整表面的...
张正元刘玉奎罗驰胡明雨冯志成郑纯刘建华
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