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张金城

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 13个电子电信
  • 4个理学
  • 2个自动化与计算...
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  • 1个生物学
  • 1个金属学及工艺
  • 1个电气工程
  • 1个医药卫生
  • 1个农业科学
  • 1个一般工业技术
  • 1个历史地理

主题

  • 12个氮化镓
  • 11个GAN
  • 11个MOSFET
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  • 10个衬底
  • 9个等离子增强化...
  • 9个绝缘栅
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  • 7个外延层
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  • 6个阈值电压
  • 6个稳定性
  • 6个物理学

机构

  • 12个中山大学
  • 1个德岛大学

资助

  • 13个国家高技术研...
  • 13个国家重点基础...
  • 13个国家自然科学...
  • 13个国际科技合作...
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传媒

  • 13个中国科技论文
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  • 3个第十七届全国...
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  • 2个半导体光电
  • 2个第十五届全国...
  • 2个第十五届全国...
  • 1个激光生物学报
  • 1个文物春秋
  • 1个照明工程学报
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  • 1个2011’全...

地区

  • 9个广东省
共 13 条 记 录，以下是 1-10
刘扬
供职机构：中山大学
研究主题：GAN 栅极 势垒 阈值电压 FET器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张佰君
供职机构：中山大学
研究主题：GAN 光电极 衬底 半导体发光器件 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贺致远
供职机构：中山大学
研究主题：GAN SI衬底 欧姆接触 ALGAN/GAN 功率型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姚尧
供职机构：中山大学
研究主题：FET器件 GAN 绝缘层 欧姆接触 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王硕
供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室
研究主题：场板结构 材料特性 表面态 MOSFET HFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨帆
供职机构：中山大学电子与信息工程学院
研究主题：MOSFET GAN 表面态 施主 2DEG
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈震
供职机构：中山大学电子与信息工程学院
研究主题：阈值电压 栅极 MOSFET GAN 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪毅强
供职机构：中山大学
研究主题：绝缘层 势垒 沟道 FET器件 氮化物半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周桂林
供职机构：中山大学
研究主题：GAN SI衬底 层状结构 肖特基势垒二极管 肖特基势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑越
供职机构：中山大学电子与信息工程学院
研究主题：GAN MOSFET 稳定性 氮化镓 阈值电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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