张佰君
- 作品数：120 被引量：21H指数：2
- 供职机构：中山大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金广东省重大科技专项更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学金属学及工艺更多>>
- 一种半导体发光器件及其制造方法
- 本发明公开了一种半导体发光器件，其包括衬底及层叠于衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由下往上依次包含N型层、发光层和P型层。在衬底的下表面设置有一电极。在P型层的上表面设置有P型电极，其中，部分P型层被刻蚀到N型层...
- 张佰君王钢范冰丰
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- Si衬底垂直导通AlN/GaN DBR结构GaN基LED
- 目前,Si衬底GaN基LED已经得到了广泛的研究,其性能也得到了很大的提高,但是要实现量产还面临着不小的困难.这主要是因为GaN受到Si衬底的张应力导致龟裂以及Si衬底对光的吸收作用.因此,为了提高Si衬底LED的发光效...
- 杨亿斌林秀其吴志盛刘扬张佰君林艳向鹏柳铭岗陈伟杰韩小标胡钢伟胡国亨臧文杰
- 一种肖特基二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种肖特基二极管及其制备方法。该肖特基二极管包括：基底、空气桥、第一凸体和第二凸体；第一凸体和第二凸体分别设置在基底上表面，且第一凸体和第二凸体由空气桥连通；第一凸体包括由下向上依次生长的第一导电层、第一盖帽...
- 张佰君杨隆坤姚婉青
- 文献传递
- 一种半导体发光器件及其制造方法
- 本发明公开了一种半导体发光器件，其包括替代衬底及通过金属层依次连接于替代衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由上往下至少包含一个缓冲层、N型层、发光层和P型层，N型层内设有导电体，其一端向上延伸露出缓冲层，并设有N型...
- 张佰君王钢范冰丰
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- 一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED
- 2008年
- 为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层蒸镀金属,将n-GaN层和Si衬底层直接导通,形成第一n电极,在减薄的Si衬底背面蒸镀背电极用于形成第二n电极。并且通过改变探针的测试位置,在同一芯片上进行了V-LED与横向导电的LED结构(L-LED)的比较,V-LED展现出了良好的性能,其串联电阻相对降低了10%,在大电流注入的情况下,相对光输出强度也有了提高。
- 卫静婷张佰君刘扬范冰丰招瑜罗睿宏冼钰伦王钢
- 关键词：硅衬底通孔电流扩展绿光LED
- 一种LED用封装基板结构及其制作方法
- 本发明公开一种LED用封装基板结构及其制作方法。本发明所涉及的LED基板的特点是在普通LED基板固晶或共晶的位置生成一个特定尺寸、形状和高度的凸台，此凸台与基板直接相连。凸台外的基板上铺有电路连接层，凸台上通过固晶或共晶...
- 吴昊张佰君王力蚁泽纯凌敏捷
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- 一种三族氮化物肖特基势垒二极管的生长及制备方法
- 本发明公开了一种厚膜、低缺陷密度、高耐压的三族氮化物肖特基势垒二极管（SBD）的制备方法，该三族氮化物SBD利用了选择区域外延生长的方法，其结构由下到上依次包括：底层衬底，带有选择区域生长窗口的介质层，以及利用选择性外延...
- 张佰君陈杰刘扬
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- 一种GaN基增强型MOSHFET器件及其制备方法
- 本发明涉及GaN增强型MOSHFET器件及其制备方法。该器件包括衬底及生长在衬底上的外延层，其中，外延层由下往上依次包括应力缓冲层及GaN层，GaN层上在栅极区域选择生长一层p-GaN层，在接入区选择生长一层异质结构势垒...
- 刘扬姚尧张佰君
- 一种GaN增强型MIS-HFET器件及其制备方法
- 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种GaN增强型MIS-HFET器件及其制作方法。本发明的器件包括栅极、源极、漏极、绝缘介质层和衬底，所述衬底上由下往上依次设有应力缓冲层、第一GaN层和选择生长层，所述选择生长层包...
- 刘扬张金城贺致远张佰君
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- 纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法
- 本发明公开一种纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法，该器件由下往上依次包括衬底（1）、n型GaN层（2），电子阻挡层（3）、非掺杂GaN层（4）及异质结构势垒层（5），由异质结构势垒层表面刻蚀凹槽至n型Ga...
- 刘扬杨帆张佰君
